- •Политехнический колледж № 39
- •Электропроводность полупроводников. Зависимость электропроводности от внешних факторов. Материал полупроводников.
- •Электронные ключи и формирование импульсов.
- •Политехнический колледж № 39
- •Задача. Изобразить схему усилительного каскада на полевом транзисторе
- •Определение и свойства p-n- перехода. Вах p-n- перехода
- •Триггеры, устройство, принцип действия, применение
- •Триггер на логических элементах. Асихронный rs-триггер.
- •Виды электронной эмиссии, применение в электронных приборах.
- •Политехнический колледж № 39
- •Выпрямительные полупроводниковые диоды (определение, уго, прямое и обратное включение)
- •Параметры ппд:
- •Стабилитроны (определение, уго, параметры, включение в цепь)
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Биполярные транзисторы (определение, структура, обозначение, принцип работы)
- •2. Режимы работы усилителя.
- •3. Задача. Коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Классификация и условное графическое обозначение на схемах полупроводниковых диодов.
- •Параметры ппд:
- •3. Задача. Для биполярного транзистора коэффициент передачи тока
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Назначение фото и светоэлементов. Условное графическое обозначение
- •2. Усилитель постоянного тока. Гальваническая межкаскадная связь.
- •3. Задача. Для схемы включения биполярного транзистора с оэ для
- •Политехнический колледж № 39
- •3. Задача. Какое количество электронов вызывает фототок 100 мА,
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •Входные и выходные характеристики транзисторов.
- •Обратная связь в усилителях.
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •1 Полевые транзисторы с управляемым p-n- переходом
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Биполярные транзисторы (определение, структура, уго, принцип работы).
- •2. Оптроны (схемы, состав, принцип действия, применение)
- •3. Задача. Подсчитать коэффициент усиления трехкаскадного усилителя,
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Условное графическое обозначение на схемах биполярных
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Виды эмиссии. Работа электровакуумного диода и триода.
- •Политехнический колледж № 39
- •Упт с преобразователем и без него. Дифференциальный упт.
- •Биполярный дифференциальный каскад. Дифференциальный усилитель:
- •Политехнический колледж № 39
- •Искажения, вносимые усилителем
- •Политехнический колледж № 39
- •3. Задача. Изобразить принципиальную электрическую
- •Политехнический колледж № 39
- •Искажения, вносимые усилителем
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •Планарно-эпитаксиальная технология
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Характеристики фотоэлементов: вах, световая, спектральная. Фотоэлектронный умножитель.
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Фотодиоды, фототранзисторы, фоторезисторы (определение, уго, принцип действия, параметры и применение)
- •3. Задача. Определить угловую частоту затухающих колебаний w0 и
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Светодиоды: назначение, применение, обозначение на схемах, принцип работы.
- •2. Работа логических элементов «и», «или», «не», «и-не». Таблицы истинности логических элементов.
- •3. Задача 30. Подсчитать индуктивное и емкостное сопротивление для
3. Задача. Изобразить принципиальную электрическую
схему мостового выпрямителя
Кп = 0,67; U0 = 2 U2m /π
Политехнический колледж № 39
УТВЕРЖДАЮ Зам директора по УР __________________
Стрельникова Т.А. |
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 23
Дисциплина: Электронная техника |
СОГЛАСОВАНО Председатель предметной комиссии _____________ Жданова И.М.
|
«___» апреля 2010 г.
|
Группы: ВМ-25, ВМ-21 |
«___» апреля 2010 г. |
1. Классификация и параметры усилителей
ЭУ – радиотехнические устройства, усиливающие мощность, напряжение или ток электрического сигнала. Применяются в устройствах радиосвязи, радиовещания, автоматике, измерительной технике, телевидении, в бытовых приборах и т.д.
Входное сопротивление Rвх = Uвх2 /Pвх - сопротивление между входными зажимами усилителя.
Выходное сопротивление Rвых = Uвых2 /Pвых - сопротивление между выходными зажимами усилителя при отключенной RН
Коэффициент усиления – отношение напряжения или тока (мощности) на выходе усилителя к напряжению или току (мощности) на входе усилителя
КU = Uвых /Uвх Кi = Iвых/Iвх КP = Pвых / Pвх
Коэфф усиление Многокаскадного усилителя
К = К1* К2* К3*…..* Кn
Коэффициенты усиления в логорифмических единицах, дБ:
КU = 20*lg Uвых /Uвх ;
Кi = 20*lg Iвых /Iвх ;
КP = 10*lg Pвых /Pвх ;
Многокаскадного усилителя
К = К1 + К2 + К3 +…..+ Кn
Коэффициент частотных искажений М = КСР /К
или М = 20 lg КСР /К, дБ
Рабочий диапазон частот определяется областью частот, где коэффициент частотных искажений М= Кср /К изменяется не более, чем на 3 дБ.
М доп =20lg Кср /Кдоп=3; lg Кср - lgКдоп = 3/20 = 0,15;
lg Кдоп = lgКср /1,4 lg Кдоп = lgКср - lg10 0,15 ;
Кдоп=Кср /1,4 = 0,7 Кср
fн и fВ соответствуют коэффициенту усиления, равному Кдоп
Рабочий диапазон частот усилителя
Δf = fВ - fн
Чувствительность усилителя Определяется наименьшим напряжением или током на входе, при котором на выходе создается номинальная мощность. Чувствительность для заданного напряжения на выходе определяется по амплитудной характеристике усилителя – графику зависимости амплитуды напряжения сигнала на выходе от амплитуды входного сигнала
Uвых = f(Uвх )
Уровень собственных шумов Определяет нижний достижимый уровень входной полезной мощности, а следовательно, чувствительности и динамического диапазона. Основным источником шумов являются сами элементы и внешние источники помех и пульсации напряжения. Полезный сигнал должен превышать уровень собственных шумов
в несколько раз.
Коэффициент шума
N = (Pc/ Pш)вх / (Pc/ Pш)вых
КПД Отношение мощности на нагрузке усилителя к мощности, потребляемой усилителем от источника питания.
Искажения, вносимые усилителем
Определяют как изменения формы выходного сигнала по сравнению с формой входного сигнала
2. Полупроводниковые интегральные микросхемы (технология изготовления, элементы).
ИМС – устройство с высокой плотностью упаковки электрически связанных элементов (транзисторов, резисторов, конденсаторов и проч.), выполняющее заданную функцию обработки (преобразования) электрических сигналов, изготовленные в едином технологическом процессе и заключенные в общий корпус.
ИМС можно рассматривать как самостоятельные комплектующие изделия.
В зависимости от технологии изготовления
Классификация:
1.1. Пленочные;
1.2. Полупроводниковые;
1.3. Микросборки.
2. В зависимости от количества элементов ИМС
делят по степеням интеграции
2.1. Первой степени – до 10 элементов;
2.2. Второй степени – от 11 до 100 элемент.;
2.3. Третьей – от 101 до 1000 и т. д.
2.4. Свыше 1000 элементов – большие ИМС
3. По функциональному назначению
3.1. Логические (цифровые);
3.2. Аналоговые (линейно-импульсные);
4. По расположению элементов
4.1. Полупроводниковые (активные и пассивные элементы выполняются в виде сочетания неразъемно связанных p-n-переходов в одном ПП кристалле);
4.2. Гибридные ИМС, содержащая подложку (диэлектрическое основание), пассивные элементы на которой выполняют в виде однослойных или многослойных пленочных структур, соединенных пленочными проводниками, а ПП приборы и др. компоненты размещены на подложке в виде дискретных деталей
ПИМС Исходный материал – пластины кремния или арсенида галлия толщиной до 50 мкм и диаметром до 100 мкм.
В се активные и пассивные элементы ПИМС , созданные в едином кристалле, должны быть электрически изолированы друг от друга и в же время соединены между собой в соответствии с функциональным назначением микросхемы.
С хема с диэлектрической изоляцией:
Метод изоляции п-н переходом.
Диффузионно
планарная
технология
Травление – операция, при которой образовавщаяся
на поверхности пластины пленка SiO2 растворяется
плавиковой кислотой на незащищенных участках
Диффузия – операция по формированию p-n-
переходов на заданных участках полупроводника.
Пластину кремния помещают в термостат с
Температурой около 12000С, содержащий газ с
необходимыми примесями, диффундирующими в
Исходныйполупроводник через окна в пленке SiO2.
Изменяя тип и концентрацию примесей, можно
получить требуемую многослойную p-n- структуру
В кристалле полупроводника.
Эпитаксия – операция по наращиванию при высокой
температуре слоя полупроводника одного типа
проводимости на поверхности исходной пластины полупроводника другого типа проводимости.
При этом наращенный слой полностью повторяет
кристаллическую решетку исходного материала.
Напыление – операция по созданию проводников и
Контактных площадок посредством осаждения в
вакууме паров соответствующих материалов на
поверхность кристалла через маску.
Ионное легирование – облучение полупроводниковой
пластины ускоренными до необходимой скорости
ионами примеси
3. Задача 23. Привести принципиальную электрическую схему управляемого выпрямителя и его временную диаграмму.
Двухполупериодный
ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ КОЛЛЕДЖ № 39
УТВЕРЖДАЮ Зам директора по УР _______________
Стрельникова Т.А. |
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 24
Дисциплина: Электронная техника |
СОГЛАСОВАНО Председатель предметной комиссии ______________ Жданова И.М.
|
«___» апреля 2010 г.
|
Группы: ВМ-25, ВМ-21 |
«__» апреля 2010 г. |
Электровакуумные диоды и триоды. Условное графическое обозначение на схемах. Устройство и назначение элементов прибора.
Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы предназначены для работы в фототелеграфной аппаратуре связи, в звуковоспроизводящей аппаратуре кинематографии, телевидении, в автоматике и телемеханике, в контрольных и измерительных устройствах, в связи и сигнализации на невидимых инфракрасных лучах и т. д.
Виды электронной эмиссии: 1)термоэлектронная 2)фотоэлектронная 3)вторичная 4)электростатическая. Эмиссия - процесс выхода электронов с поверхности твёрдого тела в вакуум. Электровакуумные приборы. Электронной лампой называется прибор, в котором используется движение электронов между электродами, помещёнными в вакууме. Электронные лампы, содержащие в баллоне 2 электрода - катод (-) и анод (+), называются двухэлектродными (диодами). Положительное напряжение на аноде: электроны, испускаемые катодом, устремляются к аноду и создают анодный ток. При отрицательном напряжении на аноде: создаётся тормозящее поле, тока нет. Следовательно, диод обладает вентильным свойством (односторонней проводимостью) и применяется для выпрямления переменного тока. Статические параметры диода: крутизна характеристики диода (до 30мА/В) S=Δla/ΔUa, внутреннее сопротивление переменному току R=1/S. Эксплуатационные параметры: н оминальное напряжение и ток накала Uном и Iном, допустимое обратное напряжение на диоде Uобр.max, допустимая мощность, рассеиваемая анодом Pamax. Применение: для выпрямления переменного тока, детектирования высокочастотных модулируемых напряжений и др. Трёхэлектродная лампа, у которой между катодом и анодом расположен третий электрод-сетка, называется триодом.
2. Транзисторные (компенсационные) стабилизаторы
Работа такого стабилизатора основана на сравнении фактического значения выходного напряжения с заданным. Комп. стабилизатор состоит из трёх узлов: источник опорного напряжения, сравнивающий и усилительный элемент, регулирующий элемент.
3. Задача 24. Написать таблицу истинности, соответствующую
логическим операциям: «И», «ИЛИ», «НЕ» (инверсии).
Инверсия (НЕ) - отрицание.
х |
у |
0 |
1 |
1 |
0 |
Дизъюнкция (ИЛИ) - сложение.
Х1 |
Х2 |
У=х1+х2 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
Конъюкция (И) - умножение.
Х1 |
Х2 |
У=х1+х2 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
В этой схеме логические значения сигналов на одних входах буду запрещать или разрещать прозождение на выход данных по другим входам. Входы или сигналы логических элементов, управляющие другими входами, называют стробирующими. В нашей схъеме это вход х2, стробирующий для х1 и наоборот.
На практике часто применяют сложные функции: и-не (операция шеффера), или-не (операция Пирса).