- •Билет 1. Классификация веществ. Зонная диаграмма. Понятие носителей заряда. Теория проводимости. Собственная и примесная проводимость.
- •Билет 3 . Уравнение Шредингера.
- •Билет 5. Циклотронный резонанс.
- •Билет 11. Концентрация носителей в соб.
- •Билет 12. Рассеяние на ионах примеси.
- •Билет 13. Рассеяние на атомах примеси и дислокациях. Рассеяние на нейтральных примесях
- •Рассеяние на ионизированной примеси
- •Билет 15. Подвижность носителей заряда.
- •Билет 16. Удельная проводимость и удельное сопротивление полупроводника.
- •Билет 17. Рекомбинация полупроводника в условиях равновесного состояния.
- •Билет 18. Рекомбинация полупроводника в условиях неравновесного состояния.
- •Билет 19. Механизм рекомбинации носителей на ловушках.
- •Билет 20. Механизм поверхностной рекомбинации.
- •Билет 21. Движение носителей заряда. Уравнение непрерывности для электронов и дырок. Плотности электронного и дырочного токов.
- •Билет 22. Диффузионный и дрейфовый токи. Диэлектрическая релаксация.
- •Билет 23 и 24. Эффект поля. Зонная диаграмма при эффекте поля
- •Билет 25. Диффузионный ток в полупроводнике.
- •Билет 26. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда в случае монополярной проводимости. Движение неосновных носителей заряда.
- •Билет 27. Монополярная диффузия носителей.
- •Билет 28. Биполярная диффузия носителей.
- •Билет 29. Образование p-n перехода, база диода, энергетическая диаграмма. Структура и классификация диодов.
- •Билет 30. P-n переход в равновесном состоянии.
- •Билет 31. P-n переход в неравновесном состоянии.
- •Билет 32. Невыпрямляющий контакт металл-полупроводник
- •Билет 35. Идеальная модель диода. Характеристические сопротивления и тепловой ток.
- •Билет 36. Особенности реального диода. Обратная вах. Эквивалентная схема диода при обратном смещении.
- •Билет 37. Туннельный пробой p-n перехода.
- •Билет 38. Лавинный пробой p-n перехода.
- •Билет 39. Тепловой пробой p-n перехода.
- •Билет 40. Прямая характеристика реального диода. Ток рекомбинации. Сопротивление базы.
- •Билет 41. Прямая характеристика реального диода. Зависимость напряжения прямой характеристики от температуры. Работа диода при высоком уровне инжекции. Распределение токов в базе.
- •Билет 42. Прямая характеристика реального диода. Дрейфовая составляющая тока инжектированных носителей. Коэффициент инжекции.
- •Билет 43. Прямая характеристика реального диода. Модуляция сопротивления базы. Эквивалентная схема диода при прямом смещении.
- •Билет 44. Инерционные свойства диодов. Барьерная емкость.
- •Билет 45. Инерционные свойства диодов. Диффузионная емкость.
- •Билет 47. Туннельный диод. Диод Шоттки.
- •Билет 48. Биполярный транзистор. Структура и режимы работы биполярного транзистора. Транзисторный эффект.
- •Билет 49. Биполярный транзистор. Режимы работы биполярного транзистора при схеме включения с Общей Базой.
- •Билет 50. Биполярный транзистор. Эффект Эрли.
- •Билет 52. Эквивалентная схема Эберса-Молла.
- •52. Биполярный транзистор. Входные и выходные вах идеального транзистора в схеме об. Вах идеального транзистора в схеме ок.
- •Билет 57. Сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов.
- •Билет 63. Мдп транзистор. Вах идеального мдп транзистора. Физические причины насыщения тока стока. …
- •Билет 64. Мдп транзистор. Выбор рабочей точки. Крутая и пологая область мдп. Удельная крутизна транзистора.
- •Билет 65. Мдп транзистор. Равновесные и неравновесные состояния.
- •Билет 66. Мдп транзистор. Эквивалентная сх, сх.Вкл.
- •Билет 67. Фотоэлектрический явления. Внутренний фотоэффект.
- •Билет 68. Фотоэлектрический явления. Теория фотопроводимости.
- •Билет 72. Эффект Холла
Билет 23 и 24. Эффект поля. Зонная диаграмма при эффекте поля
Рассмотрим зонную диаграмму приповерхностной области полупроводников в равновесных условиях. Рассмотрим, как будет меняться концентрация свободных носителей в приповерхностной области полупроводника, когда вблизи этой поверхности создается электрическое поле. Для примера будем считать, что электрическое поле создается заряженной металлической плоскостью с поверхностной плотностью зарядов σ. Поскольку силовые линии электрического поля должны быть замкнуты, то на поверхности полупроводника возникает равный по величине, но противоположный по знаку электрический заряд. В зависимости от знака заряда на металлической плоскости (положительной или отрицательной) экранирующий это поле заряд в приповерхностной области полупроводника также будет различных знаков. На рисунке 2.2 приведены ситуации положительно и отрицательно заряженной плоскости.
Рис. 2.2. Изменение концентрации свободных носителей в приповерхностной области полупроводника при наличии вблизи поверхности заряженной металлической плоскости
Случай, когда в приповерхностной области возрастает концентрация свободных носителей, носит название обогащение, а когда в приповерхностной области уменьшается концентрация свободных носителей - обеднение.Если концентрация доноров в объеме полупроводника ND=1015см-3, то среднее расстояние между свободными электронами (и ионизированными донорами) в квазинейтральном объеме полупроводника будет равно а = ND-1/3 = 10-5 см = 1000 Å. При поверхностной плотности заряда = 1012 см-2 толщина слоя пространственного заряда ионизованных доноров будет равна 1011 / 1015 = 10-4 см или 1 микрон. Отсюда следует, что электрическое поле в полупроводник может проникать на значительные расстояния [12]. Изменение концентрации свободных носителей в приповерхностной области полупроводника под действием внешнего электрического поля получило название эффекта поля [13, 14].При наличии внешнего поля приповерхностная область в полупроводнике не будет электронейтральной. Заряд, возникший в этой области, обычно называется пространственным зарядом, а сама область - областью пространственного заряда (ОПЗ). Наличие электрического поля E(z) в ОПЗ меняет величину потенциальной энергии электрона. Если поле направлено от поверхности вглубь полупроводника, то электроны в этом случае будут иметь минимальную энергию у поверхности, что соответствует наличию потенциальной ямы для электронов там же.Изменение потенциальной энергии электронов:
где U(∞)-потенциальная энергия электронов в квазинейтральном объеме полупроводника. Поскольку на дне зоны проводимости кинетическая энергия электронов равна нулю (E = _2k2/2m*), то изменение потенциальной энергии по координате должно точно так же изменить энергетическое положение дна зоны проводимости Ec, (а соответственно и вершины валентной зоны Ev.) На зонных диаграммах это выражается в изгибе энергетических зон. Величина разности потенциалов между квазинейтральным объемом и произвольной точкой ОПЗ получила название электростатического потенциала:
Значение электростатического потенциала на поверхности полупроводника называется поверхностным потенциалом и обозначается символом ψs.Знак поверхностного потенциала ψs соответствует знаку заряда на металлическом электроде, вызывающего изгиб энергетических зон.ψs > 0, зоны изогнуты вниз, ψs < 0, зоны изогнуты вверх (рис. 2.3).
Рис. 2.3. Энергетические зоны на поверхности полупроводника n-типа: а) в случае обеднения; б) в случае обогащения