Билет 63. Мдп транзистор. Вах идеального мдп транзистора. Физические причины насыщения тока стока. …

На семействе вольт-амперных характеристик можно выделить две области (линейную область и область насыщения), разделенные штриховой линией. В этих точках (при конкретных, связанных между собой потенциалах затвора и стока) имеет место отсечка канала. Видно, что в линейной области (до отсечки) ток стока растет с увеличением потенциала стока, а в области насыщения (после отсечки канала) ток стока практически не зависит от потенциала стока. С увеличением потенциала затвора растет ток стока и отсечка канала наступает при бóльших потенциалах стока. Физической причиной насыщения тока стока является перекрытие канала вблизи его стокового конца. Это происходит потому что с увеличением напряжения на стоке снижается разность потенциалов Uзи-Uси, уменьшается электрическое поле Ех и его величина оказывается недостаточной для обеспечения режима сильной инверсии. В результате вблизи стока концентрация дырок в канале уменьшается, канал перекрывается и в области перекрытия устанавливается режим обеднения. Сопротивление этого участка канала становится очень большим. Поэтому при дальнейшем приращении напряжения на стоке оно падает в основном на участке перекрытия, а на оставшейся части оно остаётся равным Uсин (напряжение насыщения).

Пороговое напряжение идеального p- канального МДП транзистора состоит из 2х слагаемых- напряжения, необходимого для удержания заряда в обеднённой области, и напряжения, необходимого для достижения режима сильной инверсии: . В реальном p- канальном МДП транзисторе для достижения режима сильной инверсии необходимо подать на затвор дополнительное отрицательное напряжение (напряжение плоских зон).

Билет 64. Мдп транзистор. Выбор рабочей точки. Крутая и пологая область мдп. Удельная крутизна транзистора.

Выбора рабочей точки не нашёл.

(в лабнике линейная-это крутая, 2я-пологая)

Для крутой области характерно наличие канала под всеми точками затвора. При этом если увеличить напряжение на затворе, то концентрация основных носителей в канале и его проводимость увеличиваются, следовательно, увеличивается ток стока и характеристики идут круче.

Однако при дальнейшем увеличении напряжения Uси рост тока стока замедляется, а при напряжении насыщения почти прекращается. Область ВАХ, для которой выполняется условие: |Uси|>|Uсин|, называется пологой областью. Удельная крутизна транзистора определяется из семейства выходных ВАХ в крутой области.