
- •1.Спекание корундовых изделий. Оксиды, влияющие на спекание.
- •2.Виды корундовой керамики, их свойства и области применения.
- •4. Модификации диоксида циркония. Частичная и полная стабилизация диоксида циркония.
- •5. Технология изделий из диоксида циркония. Свойства и области применения циркониевой керамики.
- •6.Технология бериллиевой керамики
- •7. Свойства и применения керамики из оксида бериллия. Охрана труда
- •8. Свойства оксида магния. Технология, свойства и применение периклазовой керамики.
- •10. Стеатитовая керамика виды, технология и области применения.
- •12.Технология и свойства кордиеритовой, цельзиановой и цирконовой керамики. Области применения.
- •13. Технология и свойства волластонитовой и сподуменовой керамики. Области применения.
- •14. Диоксид титана и другие важнейшие соединения, входящие в состав конденсаторной керамики.
- •15. Технология конденсаторной керамики. Особенности технологии важнейших типов керамических конденсаторов.
- •16. Титанат бария и его свойства как сегнетоэлектрика. Пьезосвойства сегнетоэлектрических кристаллов.
- •17. Особенности технологии и важнейшие типы пьезокерамических материалов(п.М). Области применения пьезокерамики.
- •18. Особенности неметаллических ферромагнетиков и их значение для техники. Строение и свойства феррошпинелей и зависимости от химического состава.
- •19. Типы магнитной керамики, их особенности и типичные составы. Технология основных видов магнитной керамики.
- •21 Основные методы изготовления изделий из бескислородных соединений. Области применения керамики из бескислородных соединений.
- •23. Технология и важнейшие свойства композиционных материалов на основе сочетания металлических и неметаллических фаз (керметов).
- •24. Методы металлизации керамики. Вакуум-плотные спаи керамики с металлами и методы их получения.
- •25. Особенности механической обработки керамики. Физико-механические характеристики керамики, влияющие на ее обработку.
15. Технология конденсаторной керамики. Особенности технологии важнейших типов керамических конденсаторов.
Массы, из которых изготовляют керамические конденсаторы, образуют системы: TiO2; ZrO2-TiO2; и т.п. Эти вещества получают химическим путем с последующей термической обработкой. Высокая диэлектрическая проницаемость ряда материалов позволила резко снизить габарит и массу конденсаторов. Основной оксид, участвующий в формировании перечисленных масс, - TiO2. В чистом виде диоксид титана в природе не встречается; его получают путем химической переработки титаносодержащих руд: ильменита, сфена и др. Диоксид титана существует в трех модификациях: анатаза, брукита и рутила.
Диоксид титана широко используют в металлургии твердых сплавов, в производстве электродов, в качестве пигмента для красителей в лакокрасочной промышленности и для других целей.
Технология изготовления. Диоксид титана имеет очень большой отрицательный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости. В процессе обжига образуют новые кристаллические фазы в виде титанатов, цирконатов, которые и придают конденсаторам необходимые свойства.
Высокочастотные конденсаторы изготовляют из титановых масс с добавками SrO, Bi2O3, ZrO2 и др. Простейшей связкой является глина. Однако в некоторые массы глину не вводят, и изделия изготовляют методами непластичной технологии с введением временных органических связок. Промышленность выпускает высокочастотные конденсаторы в большом количестве. Поэтому при производстве таких мелких деталей имеет большое значение механизация большинства производственных процессов. Для прессования дисковых конденсаторов сконструированы специальные прессы – автоматы. Трубчатые конденсаторы протягивают на поршневых прессах. Сконструированы полуавтоматы, в которых протяжка совмещена с последующей сушкой. Сушат изделия на роликовой сушилке.
Температура обжига находится в пределе 1250-13500 С. Большинство масс и изделий обжигают один раз. Конденсаторы металлизируют серебром, припаивают к ним выводы, после чего покрывают цветной эмалью. Обычно изделия обжигают в электрических туннельных печах. В производстве конденсаторной керамики в большинстве случаев прибегают к предварительному синтезу в порошках или брикетах. В производстве конденсаторной керамики, особенно высокочастотной, все в большей степени начали применять химические методы подготовки кристаллических фаз. Некоторые виды конденсаторов производят литьем под давлением, горшковые льют в гипсовые формы с последующей механической обработкой. Для изготовления многослойных конденсаторов типа КМ применяют метод пленочного литья: получение тонких пленок из пластифицированных масс; вырубка из формы заготовок определенной геометрии; металлизация одной стороны заготовки палладиевой пастой; сборка и прессование пакета; вырубка в размер конденсатора; спекание; серебрение торцовых поверхностей; пайка выводных электродов; эмалирование.
16. Титанат бария и его свойства как сегнетоэлектрика. Пьезосвойства сегнетоэлектрических кристаллов.
16.
Титанат бария и его свойства как
сегнетоэлектрика. Пьезосвойства
сегнетоэлектрических кристаллов, их
фазовые превращения и связь со свойствами.
Сегнетокерамика
имеет ряд преимуществ: сохраняет
сегнетоэлектрические свойства в довольно
широком интервале температур и частот.
Благодаря своему поликристаллическому
строению она имеет сегнетоэлектрические
свойства при всех направлениях
электрического поля, в то время как в
солевых сегнетоэлектриках направление
поля должно обязательно совпадать с
сегнетоэлектрической осью. Способами
керамической технологии изделиям
сегнетокерамики можно придать любую
форму, что очень важно для ее использования
в технике. Сегнетокерамика, как и всякая
другая керамика, обладает большой
механической прочностью, устойчива к
действию температуры и влаги. Титанат
бария в настоящее время широко применяют
для производства сегнето- и пьезоэлектрической
керамики; кристаллизуется он в решетке
типа перовскита СаТiO3,
температура Кюри 120° С. В решетке титаната
бария ионы Ва+2
и О-2
образуют плотную упаковку, малые ионы
Ti4+
находятся
r
центре октаэдра, образованного шестью
ионами кислорода. Выше температуры Кюри
(120° С) титанат бария имеет идеальную
кубическую решетку типа перовскита.
При охлаждении ниже 120° С, т.е. в
сегнетоэлектрической области, решетка
становится тетрагональной. При дальнейшем
понижении температуры до 10° С отмечается
второе полиморфное превращение ВаТiO3.
Кристаллическая решетка переходит из
тетрагональной в орторомбическую. И,
наконец, при —70° С орторомбическая
решетка переходит в тригональную. Все
три структуры обратимые и сегнетоэлектрические
(рис). Таким образом, титанат бария имеет
три точки Кюри и соответственно может
находиться в четырех кристаллографических
состояниях, три из которых
сегнетоэлектрические.
Изделия из титаната бария имеют следующие свойства:
Плотность кажущаяся в г/см3 5,3—5,8; Диэлектрическая проницаемость (при нормальной температуре) 1100—1800; Диэлектрические потери tgδ 0,03; Удельное объемное сопротивление в ом·см 1012—1013; Пьезомодуль в см/ст.в: продольных колебаний (2,5÷6) 10-6, радиальных (1,3÷2,5) 10-8; Чувствительность см/ст.в (1,18÷1,39) 10-9; Коэффициент электромеханической связи К 0,18-0,37; Предел прочности в кГ/см2:при сжатии 4000-6000, растяжении 250, изгибе 600-800.
Диэлектрическая проницаемость, пъезомодуль и удельное объемное сопротивление ВаТiO3 зависят от температуры. Пьезоэлектрические характеристики титаната бария в значительной степени зависят также от напряженности и частоты электрического поля.
По типу химической связи и физическим свойствам все кристаллические сегнетоэлектрики принято подразделять на две большие группы: ионные сегнетоэлектрические кристаллы (сегнетоэлектрики типа смешения) и дипольные сегнетоэлектрические кристаллы (упорядочивающиеся сегнетоэлектрики). Свойства ионных и дипольных сегнетоэлектриков существенно различаются. Ионные сегнетоэлектрические кристаллы
Для структуры ионных сегнетоэлектриков характерно наличие кислородного октаэдра, благодаря чему эти сегнетоэлектрики называют сегнетоэлектриками кислородно-октаэдрического типа. Ионные сегнетоэлектрики имеют структуру элементарной ячейки типа перовскита CaTiO3. К ионным сегнетоэлектрикам относится титанат бария BaTiO3, титанат свинца PbTiO3, ниобат калия KNbO3, ниобат лития LiNbO3, танталат лития LiTaO3, йодат калия KIO3, ниобат лития LiNbO3, барий-натриевый ниобат (БАНАН) Ba2NaNb5O15 и др. Все соединения кислородно-октаэдрического типа нерастворимы в воде, обладают значительной механической прочностью, легко получаются в виде поликристаллов по керамической технологии. Спонтанная поляризация и фазовый переход диэлектрика из параэлектрического состояния в сегнетоэлектрическое происходит в результате смещения иона Ti4+ (или замещающего его) в объеме элементарной ячейки из центрального положения и деформации ячейки. При получении твердых растворов на основе таких кристаллов можно получать материал с широким диапазоном свойств. Например при изменении соотношения компонентов твердого раствора BaTiO3 и SrTiO3 диэлектрическая проницаемость изменяется от 2000 до 12000, а точка Кюри от 120оС (BaTiO3) до 250оС (Sr TiO3) Дипольные сегнетоэлектрические кристаллы У дипольных кристаллов сегнетоэлектриков имеются готовые полярные группы атомов, способные занимать различные положения равновесия. К дипольным сегнетоэлектрикам относятся сегнетова соль NaKC4H4O6.4H2O, триглицинсульфат NH2CH2COOH.H2SO4, дигидрофосфат калия KH2PO4, нитрит натрия NaNO2и др. Дипольные сегнетоэлектрики обладают высокой растворимостью в воде и малой механической прочностью. Растворимость сегнетовой соли в воде так велика, что ее кристаллы можно распилить с помощью влажной нити. Благодаря высокой растворимости в воде можно легко вырастить крупные монокристаллы этих соединений из водных растворов. Атомы в этих соединениях связаны между собой преимущественно ковалентной связью. Подавляющее большинство сегнетоэлектриков первой группы имеет значительно более высокую температуру Кюри и большее значение спонтанной поляризованности, чем сегнетоэлектрики второй группы. У значительной части дипольных сегнетоэлектриков точка Кюри лежит намного ниже комнатной температуры.
Фазовые
переходы в
С.- переходы 2-го рода или 1-го рода, близкие
ко второму. Для описания свойств С. в
области фазовых переходов обычно
используется теория Ландау,
конкретизированная В. Л. Гинзбургом
применительно к С. Теория исходит из
факта существования фазового перехода
при понижении температуры до Т
= Тк; характерной
особенностью перехода является
исчезновение некоторых элементов симметрии,
связанное со смещением из симметричных
положений определённых типов атомов в
кристаллич. решётке. Совокупность этих
смещений связана с параметром
порядка
,
к-рый равен 0 при
.
Наличие в кристалле дефектов существенно влияет не только на динамику доменных стенок и процессы переполяризации, но и на температурные зависимости разл. физ. величин вблизи Тк. Это вызывает расхождение эксперим. данных с предсказаниями теории Ландау.