9.1 Что обозначают цифры в обозначении стабилитронов.
Первая буква обозначает материал полупроводника
Вторая буква обозначает подкласс стабилитрона
Цифра обозначает мощность стабилитрона1-3- мощность менее 0.3Вт,4-6-мощность от 0,3-5,7-9-от 5 до 10Вт
Две цифры соответствуют номинальному напряжению стабилизации
Буква указывает особенность конструкции или корпуса стабилитрона или последовательность разработки буквами от А до Я (А –металлический корпус)
9.3 Дано:
М=38,5 Н*м;
U=220 В;
Iв=1,3 А;
КПД=82,5 %;
n=1500 об/мин;
Rя=0,58 Ом;
_____________
Рэл=?
Решение:
9.4 Динамические звенья и их характеристики)Дифференциальные уравнения а передаточные функции лин.Динамич.Систем.)
Динамическое звено - любое устройство, вне зависимости от его физического вида и конструктивного оформления, описываемого определенного вида дифференциальным уравнением.
Динамические (временные) характеристики могут быть получены экспериментально, либо построены по уравнению звена или системы. Перечислим динамические характеристики:
Переходная характеристика. Представляет собой переходный процесс на выходе звена, возникающий при подаче на вход звена единичного скачкообразного воздействия
режим вкл./выкл. кривая разгона
для
того чтобы отличить динамическую
характеристику вводят:
переходная характеристика
И
мпульсная
переходная функция (ИПФ) (весовая
функция). Представляет собой реакцию
звена или системы на единичную импульсную
функцию, поданную на его (её) вход.
(t)-функция, которая представляет собой импульс бесконечно малой длительности и бесконечно большой амплитуды, имеющая площадь=1.
единичная импульсная
функция (t)=1’(t)
Пример: режим короткого замыкания
3. Частотная характеристика
Частотные характеристики описывают установившиеся вынужденные колебания на выходе звена, вызванные гармоническим воздействием, поданным на вход звена.
X=Xмcos(t) – на входе Y=Yмcos(t+) - на выходе, где - сдвиг по фазе
(9)
ККП (частотная передаточная функция) представляет собой комплексное число, модуль которого равен отношению амплитуды выходного сигнала к амплитуде входного, а аргумент – сдвигу фаз между входным сигналом и выходным.
10.1 Туннельный диод
Туннельный диод или диод Есаки — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперных характеристиках при прямом напряжении участка отрицательной дифференциальной проводимости.
Изготавливается из германия или арсенида магния, это вещ-ва с малым удельным сопротивлением,что приводит к высокой напряженности поля. В нем, как и в других диодах происходит диффузионное перемещение носителейчерез p-n переход и обрайтный их дрейф под действием поля.Основную роль в нем играет туннельный эффект.
В качестве рабочей используют прямую ветвь ВАХ. Из ВАХ видно, что при повышении напряжения в I и III областях увеличивается ток. Во IIй области с увеличением напряжения уменьшается ток, это означает, что дифференциальное сопротивление имеет отрицательный характер. Работа на этом участке позволяет использовать туннельный диод как усилительный элемент.
Основными параметрами туннельного диода явл. ток пика Iп(кривая 1 на рис) и отношение тока пика к току впадины Iп/Iв.
Туннельный диод является быстродействующим полупроводниковым прибором и применяется в генераторах высокочастотных колебаний и импульсных переключателях.Существует разновидность туннельного диода-обращенный диод.
10.3
Дано:
Рн=4,5 кВт;
U=220 В;
n=1000 об/мин;
Rв=137 Ом;
_____________
М=?; I=?
Решение:
