- •Глава V. Типовые оптические приборы
- •§4.1. Глаз как оптическая система.
- •§4.2. Лупа
- •4.3. Микроскоп
- •§4.4. Зрительные трубы
- •§4.5. Фотографические системы
- •§4.6. Проекционные системы
- •Глава V. Фотометрические понятия и единицы
- •§5.1. Энергетические характеристики излучения
- •§5.2. Светотехнические характеристики излучения
- •§5.3. Потери света в оптической системе
- •Глава V. Источники излучения
- •§6.1. Основные законы теплового излучения
- •§6.2. Излучение реальных тел, тепловые источники
- •§6.3. Газоразрядные источники
- •§6.4. Лазеры
- •§6.5. Светодиоды
- •Глава V. Приёмники излучения
- •§7.1. Классификация приёмников излучения,
- •§7.2. Характеристики фотоприёмников
- •§7.3. Фотоэлементы с внешним фотоэффектом
- •§7.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом
- •Глава vш. Оптические методы контроля, применяемые
- •§8.1. Контроль качества полированных поверхностей по
- •§ 8.2. Метод определения толщины эпитаксиальных слоёв
§ 8.2. Метод определения толщины эпитаксиальных слоёв
по окрашиванию шлифа
На
образце со стороны эпитаксиального
слоя изготавливают косой шлиф под
некоторым углом ,
поверхность которого химически окрашивают
для визуализации границы эпитаксиального
слоя с подложкой. Под микроскопом
определяется расстояние от края шлифа
до этой границы
(рис. 8.2). Толщина эпитаксиального
слоя определяется по формуле:
.
(8.1)
Основной трудностью в применении этого метода является точное определение угла .
Если
применять интерференционный микроскоп
(МИМ-4, МИМ-10) то необходимость в
определении угла
отпадает. Толщина эпитаксиального слоя
при этом измеряется непосредственно
по числу интерференционных полос,
укладывающихся на поверхности шлифа
от его края до границы эпитаксиального
слоя с подложкой. Так как расстояние
между соседними полосами интерференции
равно
монохроматического света интерференционного
микроскопа, то
(где
– число полос).
Для контроля толщины эпитаксиального слоя может использоваться и сферический шлиф. При этом толщина слоя определяется по формуле:
,
(8.2)
где Н – длина хорды контура сферического шлифа, касательной к контуру границы эпитаксиальный слой – подложка 1 (рис. 8.3); R– радиус сферической поверхности.
Т
акие
методы определения толщины эпитаксиальных
слоёв могут использоваться, если
удельное сопротивление слоя отличается
от сопротивления подложки по крайней
мере на порядок.
В диапазоне толщин 1 25 мкм метод косого шлифа имеет погрешность измерений 15%, а сферического 26%.
