Резонатор

2. Чему равна полуширина резонансной кривой моды резонатора?

 ,  , 

2. Что называется добротностью объемного резонатора ?

 ,  ,  ,

2. Чему равна добротность резонатора на моде с резонансной частотой =1Ггц и полуширине резонансной кривой 1Мгц?

//

 Q=100,  Q=500, .  Q=1000

2. Как надо видоизменить следующую систему уравнений

rot H=i₀E+J_e^ rot E=-i₀H-J_m^ nE=-Z_snnH, divE=_e, divH=_m,

чтобы получить краевую задачу на свободные незатухающие колебания объемного резонатора ( для расчета СТК идеального резонатора)? Положить в ней

 J_e= J_m,  _e=_m=0,  J_e= J_m=0,  _e=_m,  =,  =0.

2. Как надо видоизменить следующую систему уравнений

rot H=i₀E+J_e^ rot E=-i₀H-J_m^ nE=-Z_snnH, divE=_e, divH=_m,

чтобы получить краевую задачу на СТК реального резонатора?

Положить в ней

 J_e= J_m,  _e=_m=0,  J_e= J_m=0, 2.  _e=_m,  =,  =0.

2. Какое колебание объемного резонатора называется основным?

 невырожденное колебание,

 колебание с наименьшей резонансной частотой,

 колебание с наименьшей резонансной длиной волны.

2. Какой способ селекции колебаний реализуется при переходе от объемного к открытому резонатору Фабри-Перо?

 понижение добротности отдельных колебаний с помощью поглощающих поле вставок,

 понижение добротности отдельных колебаний путем увеличения дифракционного излучения,

 изменением ориентации устройств возбуждения,

 понижение добротности отдельных колебаний путем нарушения условий полного внутреннего отражения

4. Добротность обьемного резонатора равна

 ,  ,

• ,  .

2.Добротность объемного резонатора равна

 ,  ,  , 

Статическое/Динамическое

4. Что относится к приборам со статическим управлением электронным потоком?

 триод,  твистрон,  митрон,  лампа обратной волны

1. Что относится к приборам с динамическим управлением электронным потоком?

 триод,  тетрод,  диод,  клистрон,  лампа бегущей волны.

3. При статическом способе управления электронным потоком изменяется с помощью СВЧ поля

осуществляется путем изменения статической проводимости

 скорость электронов,

 потенциальный барьер вблизи катода,

 частота сигнала.

2.При динамическом способе управления электронным потоком изменяется с помощью СВЧ поля

путем изменения динамики взаимодействия электронного потока с электромагнитным полем в результате чего изменяется доля энергии пучка, преобразуемая в энергию поля

 скорость электронов,  потенциальный барьер вблизи катода,

 частота сигнала.

Углы

2. Чему равен угол пролета электрона?

 Это угол между осью трубки дрейфа и направлением распространения электрона,

 это угол между вектором напряженности ускоряющего электрического поля и направлением движения электрона,

 это величина изменения фазы СВЧ колебаний за время пролета электрона.