Длительное и кратковременное взаимодействие

3. Широкая полоса рабочих частот в приборах с длительным взаимодействием электронов с СВЧ полем обусловлена применением в них

 резонансной колебательной системы в виде объемного резонатора,

 нерезонансной колебательной системы в виде отрезка замедляющей системы,

 резонансной колебательной системы в виде открытого резонатора,

 нерезонансной колебательной системы в виде отрезка регулярного волновода.

3. В приборах с длительным взаимодействием электронов с полем бегущей волны используются колебательные системы в виде

 отрезков замедляющих систем;  объемных резонаторов;

 открытых резонаторов;  отрезка регулярного волновода.

3. Рабочая полоса частот в приборах с кратковременным взаимодействием электронов с СВЧ полем определяется

 резонансной колебательной системой в виде объемного резонатора,

 нерезонансной колебательной системы в виде отрезка замедляющей системы,

 резонансной колебательной системы в виде открытого резонатора,

 нерезонансной колебательной системы в виде отрезка регулярного волновода

3. К приборам с длительным взаимодействием электронов с СВЧ полем относятся

 Отражательный клистрон;  лампа бегущей волны,  магнетрон,

 пролетный клистрон,  многорезонаторный пролетный клистрон,

 лампа обратной волны.

3. К приборам с кратковременным взаимодействием электронов с СВЧ полем относятся

 Отражательный клистрон;  лампа бегущей волны,  магнетрон,

 пролетный клистрон,  многорезонаторный пролетный клистрон,

 лампа обратной волны

Замедляющая система

3. Коэффициент замедления замедляющей системы равен

 ,  ,  , 

3.Коэффициент замедления спиральной замедляющей системы равен

// vф=cL/piD

 ,  ,  ,  ,

 .

Поле бегущей волны

3. Эффективное группирование электронов и отбор энергии от электронов полем бегущей волны происходит при выполнении условия синхронизма

 V₀ = V_ф;  V₀ ≤ V_ф;  V₀ > V_ф.

3. Высокие значения выходной мощности при взаимодействии электронов с полем бегущей волны в СВЧ приборах достигаются

 повышением добротности колебательной системы;

 кратковременным взаимодействием электронов с СВЧ полем;

 длительным взаимодействием электронов с СВЧ полем.

Приближения

2.В кинематическом приближении не учитывается

 электростатическое взаимодействие электронов

 разброс скоростей при выходе электронов из катода

 изменение поля в поперечном сечении пучка

1. В односкоростном приближении не учитываются

 электростатическое взаимодействие электронов

 различие в скоростях при выходе электронов из катода

 изменение поля в поперечном сечении пучка

1. В одномерном приближении не учитываются

 электростатическое взаимодействие электронов

 разброс скоростей при выходе электронов из катода

 изменение поля в поперечном сечении пучка

Разное-Формулы

2. Что является условием пространственного резонанса?

 ;  ;  ;  ;  ;  ;

 .

1. Что является условием частотного резонанса?

 ,  , 

4. Циклотронная частота электрона равна

 ,  ,  , 

2. Глубина проникновения электрона в пространство группирования равна

// h=2v²/a

 h=v/a,  h=2v/a,  h=v/2a,  h=4v/a,  h=v/4a, а=eE/m