Министерство образования и науки РФ
Федеральное государственное образовательное учреждение
среднего профессионального образования
«Режевской строительный техникум»
Рассмотрено и одобрено УТВЕРЖДАЮ:
цикловой комиссией
информационных Зам. директора
дисциплин. по учебной работе
__________________ _________________
Летунова Н.А. Шидловская Т.В.. Протокол № _______ “___”_____________
Вопросы Ко II ступени Государственного экзамена
по дисциплине «Электронная техника»
для студентов специальности 230101 «Вычислительные машины, комплексы, системы и сети»
Основные параметры и характеристики триодов.
Динамический коэффициент усиления триода.
Статистический коэффициент усиления триода.
Внутреннее сопротивление триода.
Основные параметры и характеристики транзисторов.
Входное сопротивление транзистора.
Коэффициент обратной связи транзистора.
Коэффициент усиления по току транзистора.
Выходная проводимость транзистора.
Включение транзистора по схеме с общей базой.
Включение транзистора по схеме с общим коллектором.
Включение транзистора по схеме с общим эмиттером.
Абсолютная и относительная погрешности измерения.
Класс точности измерительных приборов: вольтметр, амперметр, гальванометр.
Номинальное предельное значение тока.
Номинальное предельное значение напряжения.
Определение сопротивления шунта.
Основные параметры и характеристики реостатов.
Ток в цепи реостатов.
Сопротивление электрической цепи при заданном положении движков реостатов.
Напряжение между движками реостатов.
Эквивалентное сопротивление параллельного участка электрической цепи.
Основные параметры и характеристики трансформаторов.
Коэффициент трансформации трансформатора.
Первичная и вторичная обмотки. Номинальные токи в обмотках.
Магнитный поток в сердечнике трансформатора.
Напряжение на зажимах вторичной обмотки при холостом ходе.
Действующие значения ЭДС обмоток однофазного трансформатора.
Площадь поперечного сечения магнитопровода.
Коэффициент формы кривой напряжения.
Преподаватель _________________ Ворончихина К.А.
Министерство образования и науки РФ
Федеральное государственное образовательное учреждение
среднего профессионального образования
«Режевской строительный техникум»
Рассмотрено и одобрено УТВЕРЖДАЮ:
цикловой комиссией
информационных Зам. директора
дисциплин. по учебной работе
__________________ _________________
Летунова Н.А. Шидловская Т.В.. Протокол № _______ “___”_____________
Задачи
ко II ступени Государственного экзамена
по дисциплине «Электронная техника»
для студентов специальности 230101 «Вычислительные машины, комплексы, системы и сети»
Задача № 1. Определить внутреннее сопротивление Ri крутизну динамической анодно-сеточной характеристики Sд и динамический коэффициент усиления Кд лампового триода типа 6Н7С, если его статический коэффициент усиления μ=40, крутизна статической характеристики S=2,5мА/В=2,5*10-3А/В, сопротивление нагрузочного резистора Ra = 20кОм.
Решение.
Определяют внутреннее сопротивление исходя из внутреннего уравнения триода:
Ri = μ /S= 40/(2,5*10-3) = 16 000 Ом = 16 кОМ.
Крутизна динамической анодно-сеточной характеристики:
Sд = S*( Ri / (Ra + Ri )) = 2,5*(16/(20+16)) = 40/36 = 1,11 мА/В.
Динамический коэффициент усиления:
Кд = μ*( Ra / (Ra + Ri))= 40*(20/(20+16)) = 22,2.
Задача № 2. Рассчитать значения h-параметров транзистора типа П 416, включенного по схеме с общей базой, если известны значения этих параметров при включении транзистора по схеме с общим эмиттером: h11э = 650 Ом; h12э= 32*10-3; h21э = 40; h22э= 1,5*10-4 См.