20 Загальна х-ка етапів та методів зборки імс.

Операції до зборки

Етапи: розділ пластини із сформованими елементами на кристали; монтаж кристалів на плату або до основи корпусу; під'єднання відводів; захист ІМС. Для захисту інтегрованої мікросхеми від дії зовнішних впливів, а саме механічної сили, вібрацій, вологи, температури та інше, її герметизують захисним покриттям, керамікою, склом або в герметичному металічному корпусі. Після кожної операції проводиться контроль. До розділення пластини на окремі кристали доцільно провести так званий вхідний контроль, який проводиться в автоматичному режимі.

Для нанесення подряпин (скрайбування) застосовують алмазні різці. Після скрайбування пластину переносять в установку з гумовими підпружиненими валиками або півсферою, де гідравлічним способом проводять ломку кристалів.

В процесі складання ІМС виконується велика кількість електричних з'єднань відводів кристалів і компонентів з внутрішніми контактними площинами та відводами корпусу, де використовується, різні матеріали. Тому для виконання з'єднань застосовуються різноманітні методи До таких методів відносяться: спаювання, зварювання, з'єднання з допомогою клеїв і т.д.

Лазерний розділ пластин проводиться без додаткового механічного розподілу на кристали. Процес здійснюється з попереднім нанесенням рисок і наступним розділом лазерним променем або одначасним розділенням на кристали. Утворення рисок проходить в результаті випаровування матеріалу при дії на пластину сфокусованого лазерного променя значної потужності. При наскрізному різанні відбувається процес плавлення.

Монтаж кристалів

Після розділу пластини на кристали проводять їх монтаж і закріплення всередині корпусу шляхом спаювання чи приклеювання. Перед склеюванням поверхні потрібно старанно очистити від жиру, висушити і покрити тонким шаром клею. Після очищення і сушіння на поверхні, що склеюється, не повинно залишатися забруднень. Для кріплення кристалу на основі металічних корпусів рекомендується застосовувати електропровідні евтектичні сплави. Якщо необхідно зменшити температуру спаювання, то застосовують припой на основі золота і олова.

Приєднання виводів

Після встановлення кристалу в основу корпусу з'єднують контактні площинки з відводами корпусу. У випадку кремнієвого кристалу з'єднання виконується з допомогою тонкого золотого дроту. Перспективним напрямом є застосування безкорпусннх напівпровідникових ІМС з балочними або кульковими відводами.

Зварюванням називають технологічний процес утворення нероз'ємного з'єднання двох матеріалів під дією тепла чи тиску. У процесі зварювання елементарні частинки матеріалів зближуються на віддаль, коли між ними починають діяти міжатомні зв'язки, які забезпечують міцність з'єднання.

Термокомпресійне зварювання - це зварювання при одночасній дії на з'єднувальні матеріали температури і тиску. Для отримання якісного з`єднання вибирають оптимальні режими зварювання. При цьому контролюються температура, тиск та час зварювання.

Зварювання непрямим імпульсним нагріванням здійснюється V - подібним інструментом, через який в момент з'єднання матеріалів пропускають електричний струм.

Зараз застосовують напівавтоматичні та автоматичні лінії чи установки для зварювання непрямим імпульсним нагріванням.

Герметизація мікросхем.

Для зменшення механічних і кліматичних впливів на роботу та. надійність мікросхем застосовують їх корпусний і без корпусний захист, тобто герметизацію. Під герметичністю конструкції розуміють здатність будь-якого замкнутого об'єму не пропускати через себе рідину або газ.