- •21 Загальна х-ка процесу розсіювання високоенергетичних електронів у тв. Тілі
- •22 Відбиті та вторинні електрони
- •23 Будова рем
- •24 Основи формування зображення рем, збільшення та глибина фокусу
- •25 Детектори електронів у рем
- •Детектори сцинтилятор-фотопомножувач. Еверхарт та Торнлі
- •26 Методи обробки сигналу у рем
- •27 Поняття про ідеальне зображення. Аберації 3-го порядку Ідеальне, або гаусівське, зображення
- •28 Конструкція пем. Хід променів у колоні мікроскопа із 3-х ступеневим збільшенням Конструкція пем
- •29 Практичні режими роботи пем: дифракційний, мікродифракційний, світлопольний, темнопольний Режими роботи пем
- •30 Фізичні основи принципу роботи та конструкція скануючого тунельного мікроскопу
- •31 Основи термодинаміки і кінетичної теорії газів (рівноважний тиск металевої пари).
- •32 Основи термодинаміки і кінетичної теорії газів (розподіл атомів металевої пари за швидк).
- •33 Випаровування матеріалів для т.Плівок і покриттів: ел.-променеве, іонне, реактивне)
- •34 Методи контролю та вимірювання товщин тонких плівок.
- •35 Чотири стадії росту плівки; механізм конденсації плівок.
- •36 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (дислокації).
- •37 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (межі зерен).
- •38 Нанокристал. Та аморфні плівкові матеріали.
- •39 Внутрішні макронапруження в конденсатах.
- •40 Процеси старіння в тонких плівках.
- •1 Основні х-ки вакуумної системи. Основне р-ня вакуумної техніки.
- •2 Класифікація вакуумних насосів. Параметри і робочий діапазон дії.
- •5 Конструкція та принцип дії багатоступеневого паромасляного дифузійного насосу.
- •6 Конструкція і принцип роботи іонно-сорбційних, адсорбційних, кріогенних насосів.
- •7 Механ. Молекулярні та турбомолекул. Насоси.
- •8 Принцип роботи обертальних пластинчатих насосів. Робочі рідини для оберт. Насосів.
- •9 Розбірні вакуумні з’єднання. Гнучкі вакуумні з’єднання. Передача руху у вакуум.
- •10 Конструкція і принцип роботи вакуумних уловлювачів.
- •11 Послідовність формування та схема техн.. Процесу дифузійно-планарних імс
- •12 Послідовність формування та схема техн.. Процесу епітаксійно-планарних імс.
- •13 Послідовність формування та схема техн.. Процесу виготовлення V-канальних німс.
- •14 Послідовність формування та схема техн.. Процесу німс з діелектричною ізоляцією
- •15 Впровадження домішки у напівпровідник шляхом термічної дифузії
- •16 Впровадження домішки у напівпровідник шляхом іонної імплантації
- •17 Автоепітаксія кремнію як базовий технологічний процес виготовлення імс.
- •18 Загальна х-ка фотолітографічного процесу.
- •19 Схема технолог. Процесу виготовлення товсто плівкових гімс. Х-ка та трафаретний друк.
- •20 Загальна х-ка етапів та методів зборки імс.
22 Відбиті та вторинні електрони
70% електронів пучка передають свою енергію в області взаємодії і поглинаються мішенню, а решта 30% покидають межі зразка. Такі електрони отримали назву відбитих. Коефіцієнт відбиття електронів : де ів, із, іп – струм, який визначається кількістю відбитих, загальних та тих, що пройшли через зразок, електронів відповідно
Процес відбиття відбувається за рахунок декількох послідовних актів пружного розсіювання, у яких зміна напрямку руху така, що електрон покидає зразок. Можливі випадки, у яких електрон відразу після першого акту розсіювання відбивається. більшість електронів, перед тим як покинути поверхню зразка, проникають на глибину порядку 0,3RКО у тверде тіло. Відбиті електрони створюють сигнал, який використовують для отримання зображення у РЕМ.
З алежність коефіцієнта відбиття від атомного номера. Число траєкторій електронів, що перетинають поверхню твердого тіла, збільшується зі збільшенням атомного номера матеріалу мішені
З алежність коефіцієнта відбиття від енергії та кута нахилу пучка. Розмір області взаємодії істотно залежить від енергії електронного пучка. Але експериментальні результати показують, що коефіцієнт відбиття при Θ ≤ 40° фактично не залежить від енергії пучка. Для нахилених пучків коефіцієнт відбиття описується таким співвідношенням
Розподіл за енергіями. Значна кількість відбитих електронів виникає після того, як станеться якась втрата частки енергії внаслідок зіткнення. Висновки: при збільшенні атомного номера мішені кількість відбитих електронів зростає; максимум на залежності зміщується праворуч, а це означає, що енергія відбитих електронів прямує до Е0 зі зростанням Z
Кутовий розподіл. Кутовий розподіл відбитих електронів при нормальному падінні пучка описується законом косинуса , де – кількість відбитих електронів, визначених за нормаллю до поверхні; – кут спостереження. коли електронний пучок падає перпендикулярно до поверхні, то кількість електронів зменшується до 0 по мірі того, як кут прямує до 90.
Просторовий розподіл. Просторовий розподіл показує, яка кількість електронів покидає поверхню зразка на тій чи іншій відстані від точки падіння пучка на мішень.
Висновки:
1. для отримання більш достовірної інформації про об’єкт потрібно вибирати лише ті відбиті електрони, у яких втрата енергії мінімальна.
2 Якщо зразок має шорстку поверхню, то вихід відбитих електронів може збільшуватись або зменшуватися залежно від того, під яким кутом знаходиться площина нерівності до падаючого пучка, це призводить до певного контрасту на зображенні.
3 Інтенсивність відбитих електронів є функцією топології поверхні зразка.
4 Найбільш достовірну інформацію про елементний склад зразка можна отримати, якщо він має ідеально рівну поверхню.
Вторинні електрони. Вторинні електрони виникають унаслідок взаємодії первинного пучка, що має велику енергію, зі слабозв’язаними електронами провідності. При такій взаємодії відбувається передача енергії порядку декількох еВ. Коефіцієнт вторинної електронної емісії залежить також від кута нахилу пучка. Коефіцієнт вторинної електронної емісії