
- •21 Загальна х-ка процесу розсіювання високоенергетичних електронів у тв. Тілі
- •22 Відбиті та вторинні електрони
- •23 Будова рем
- •24 Основи формування зображення рем, збільшення та глибина фокусу
- •25 Детектори електронів у рем
- •Детектори сцинтилятор-фотопомножувач. Еверхарт та Торнлі
- •26 Методи обробки сигналу у рем
- •27 Поняття про ідеальне зображення. Аберації 3-го порядку Ідеальне, або гаусівське, зображення
- •28 Конструкція пем. Хід променів у колоні мікроскопа із 3-х ступеневим збільшенням Конструкція пем
- •29 Практичні режими роботи пем: дифракційний, мікродифракційний, світлопольний, темнопольний Режими роботи пем
- •30 Фізичні основи принципу роботи та конструкція скануючого тунельного мікроскопу
- •31 Основи термодинаміки і кінетичної теорії газів (рівноважний тиск металевої пари).
- •32 Основи термодинаміки і кінетичної теорії газів (розподіл атомів металевої пари за швидк).
- •33 Випаровування матеріалів для т.Плівок і покриттів: ел.-променеве, іонне, реактивне)
- •34 Методи контролю та вимірювання товщин тонких плівок.
- •35 Чотири стадії росту плівки; механізм конденсації плівок.
- •36 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (дислокації).
- •37 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (межі зерен).
- •38 Нанокристал. Та аморфні плівкові матеріали.
- •39 Внутрішні макронапруження в конденсатах.
- •40 Процеси старіння в тонких плівках.
- •1 Основні х-ки вакуумної системи. Основне р-ня вакуумної техніки.
- •2 Класифікація вакуумних насосів. Параметри і робочий діапазон дії.
- •5 Конструкція та принцип дії багатоступеневого паромасляного дифузійного насосу.
- •6 Конструкція і принцип роботи іонно-сорбційних, адсорбційних, кріогенних насосів.
- •7 Механ. Молекулярні та турбомолекул. Насоси.
- •8 Принцип роботи обертальних пластинчатих насосів. Робочі рідини для оберт. Насосів.
- •9 Розбірні вакуумні з’єднання. Гнучкі вакуумні з’єднання. Передача руху у вакуум.
- •10 Конструкція і принцип роботи вакуумних уловлювачів.
- •11 Послідовність формування та схема техн.. Процесу дифузійно-планарних імс
- •12 Послідовність формування та схема техн.. Процесу епітаксійно-планарних імс.
- •13 Послідовність формування та схема техн.. Процесу виготовлення V-канальних німс.
- •14 Послідовність формування та схема техн.. Процесу німс з діелектричною ізоляцією
- •15 Впровадження домішки у напівпровідник шляхом термічної дифузії
- •16 Впровадження домішки у напівпровідник шляхом іонної імплантації
- •17 Автоепітаксія кремнію як базовий технологічний процес виготовлення імс.
- •18 Загальна х-ка фотолітографічного процесу.
- •19 Схема технолог. Процесу виготовлення товсто плівкових гімс. Х-ка та трафаретний друк.
- •20 Загальна х-ка етапів та методів зборки імс.
19 Схема технолог. Процесу виготовлення товсто плівкових гімс. Х-ка та трафаретний друк.
Товстоплівкові мікросхеми являють собою гібридні схеми, пасивна частина яких створюється на основі плівок товщиною в десятки мікрометрів. Для формування конфігурації плівкових елементів замість фотолітографії використовується трафаретний друк пастами спеціального складу. Після друкування та попередньої сушки плівкові елементи підлягають термообробці з метою забезпечення необхідних електрофізичних параметрів елементів і міцної адгезії до підкладки. В звُ язку з цим, як матеріали для підкладки використовують деякі види кераміки, які мають високі фізико – механічні показники.
Товстоплівкова технологія має великий розкид в значеннях електричних параметрів, що пояснюється недоліками трафаретного друку, який не забезпечує необхідної геометричної точності елементів схеми. Тому треба ввести в технологічний процес операцію підгонки резисторів і конденсаторів.
Підгонка товсто плівкових резисторів заключається у видаленні частини їх матеріалу, в результаті чого їх опір зростає.
Спрощена схема технологічного процесу показана зона на рис.1.
Пасти ділять на провідникові, резистивні, діелектричні для конденсаторів і діелектричні для ізоляції між шарами для поверхневого захисту. Функціональними складовими пасти являються частинки неорганічних речовин. В процесі спікання шару ці частинки повинні залишатися в твердій фазі і рівномірно розподілятися по обُ єму елементу. Конструктивна складова – частинки скла. В технологічній собівартості товсто плівкових мікросхем вартість пасти на основі цінних металів може сягати 50%.
Трафаретний друк елементів.
Принцип трафаретного друку заключається в продавлюванні пасти через відкриті ділянки трафаретної форми на підкладку. Ці ділянки відповідають рисунку топологічного шару мікросхеми. Перенесення рисунку з трафаретної форми на підкладку можливе контактним (без технологічного зазору) і «безконтактним» (хоча тут є контакт) вздовж лінії (рис.3а,б)
1- робочий ракель; 2- друкуючий елемент форми; 3- паста; 4- пробільний елемент форми; 5- відбиток на підкладці; 6- підкладка; 7 – технологічний зазор
При виготовленні форм для «безконтактного» друку друкарський елемент являє собою сітку (металеву, поліефірну) а пробільну – сітку з фоторезистом. (рис.5.)
1
-
пробільний елемент; 2-друкарський
елемент ; 3 - нитки сітчастої тканини.
Важливою характеристикою форм на основі ситових тканин є щільність ситових тканин. Робоча пластина ракеля виготовляється з еластичних матеріалів. Верстати для трафаретного друку можуть бути ручними, напівавтоматами та автоматами. Окремі етапи різних циклів можна суміщувати. формування шарів в мікросхемі з однорівневою розводкою, що має резистори і конденсатори: 1)друкування, сушка, спікання провідників і нижніх обкладинок конденсаторів;
2) друкування і сушка діелектрика (один або два шари); 3)друкування і сушка верхніх обкладинок конденсаторів; 4)спільне (сумісне) спікання діелектрика і верхніх обкладинок конденсатора; 5)друкування, сушка і спікання резисторів.