13 Послідовність формування та схема техн.. Процесу виготовлення V-канальних німс.

П ри виготовленні поліпланарних мікросхем на монокристалічну пластину Si р - типу, звільнену від оксиду травленням, методом епітаксії спочатку наноситься тонкий шар з провідністю n+, а потім n - типу провідності. Після цього його поверхня окисляється ( рис 1 )

Використовуючи спочатку фото літо-графію по SiO₂, а потім травлення SiO₂ і Sі по контуру майбутніх елементів, одержуємо канавки V - подібної форми глибиною трохи більшою, ніж товщина епітаксійного шару ( рис.2 ).

Н а наступних етапах пластина покрива-ється шаром оксиду (рис.З) та полікристал-лічним Sі (рис.4 )

Д алі пластина шліфується, полірується, а потім її поверхня окислюється. В результаті отримуються ізольовані один від одного колектори окремих транзисторів ( рис.5 )

Для отримання базових областей з провідністю р - типу використовують фотолітографію (рис.6) та термічну дифузію з окисленням ( рис.7 )

Далі знову проводимо фотолітографію. Наступним травленням вікон з послідуючою термічною дифузією виготовляють емітери та приконтактні ділянки у колектора, які мають провідність п+ ( + означає велику електронну провідність близьку до металу ) - рис 8,9.

Д алі необхідно виконати систему мінізєднань. Для цього спочатку за допомогою фотолітографії у шарі SіО₂ відкривають вікна у місцях контакту зовнішньої розводки з відповідними областями транзистора (рис. 10)

Далі на пластину наноситься шар алюмінію (рис.11). Після цього проводять фотолітографію і травлення по Al ( рис. 12). Шаблон для останньої фотолітографії відповідає електронній схемі мікросхеми.

Схема техпроцесу має такий вигляд

14 Послідовність формування та схема техн.. Процесу німс з діелектричною ізоляцією

М онокристалічна пластина кремнію з провідністю п-типу на початковій стадії технологічного процесу піддається такій обробці : спочатку на звільнену від оксиду поверхню заноситься тонкий епітаксіальний або дифузійний шар з провідністю п+ з наступним окисленням поверхні (рис. 1.)

В икористов. Фото-літографію, у шарі оксиду травляться вік-на по контуру майбут-ніх елементів (рис.2.)

Далі травиться кремній на глибину, яка відповідає майбутнім елемен-там, а потім отримана рельєфна поверхня окислюється (рис.З.). На поверхню пластини наноситься шар полікристалічного Sі великої товщини, ( рис.4.)

О бернена сторона пластини шліфується, на нову товщину, аж до дна канавок. Потім поверхня полірується та окислюється ( рис.5 ).

Ізоляція елементів забезпечується окисним шаром SіО₂. Таким чином, маємо ізольовані одну від другої області для окремих елементів. На наступних етапах формується структура решти областей транзисторів.

Для створення базової області відкриваються вікна прямокутної форми у шарі оксиду методом фотолітографії ( рис.6. ). Потім за допомогою термічної дифузії формуються області з провідністю р - типу, далі пластина окислюється (рис.7). Подібним чином виготовляють емітерну область та приконтактну ділянку колектора ( рис.8,9.)

Для виготовлення металевої розводки спочатку методом фотолітографії відкриваються вікна в шарі SіО₂ (рис.10). Далі термічним напиленням наноситься шар провідника ( алюмінію ) ( рис. 11).

П ісля цього здійснюється травлення шару металу. При цьому використо-вується фотолітографія.

Загальна схема технологічного процесу виготовлення структур мікросхем з діелектричною ізоляцією