- •21 Загальна х-ка процесу розсіювання високоенергетичних електронів у тв. Тілі
- •22 Відбиті та вторинні електрони
- •23 Будова рем
- •24 Основи формування зображення рем, збільшення та глибина фокусу
- •25 Детектори електронів у рем
- •Детектори сцинтилятор-фотопомножувач. Еверхарт та Торнлі
- •26 Методи обробки сигналу у рем
- •27 Поняття про ідеальне зображення. Аберації 3-го порядку Ідеальне, або гаусівське, зображення
- •28 Конструкція пем. Хід променів у колоні мікроскопа із 3-х ступеневим збільшенням Конструкція пем
- •29 Практичні режими роботи пем: дифракційний, мікродифракційний, світлопольний, темнопольний Режими роботи пем
- •30 Фізичні основи принципу роботи та конструкція скануючого тунельного мікроскопу
- •31 Основи термодинаміки і кінетичної теорії газів (рівноважний тиск металевої пари).
- •32 Основи термодинаміки і кінетичної теорії газів (розподіл атомів металевої пари за швидк).
- •33 Випаровування матеріалів для т.Плівок і покриттів: ел.-променеве, іонне, реактивне)
- •34 Методи контролю та вимірювання товщин тонких плівок.
- •35 Чотири стадії росту плівки; механізм конденсації плівок.
- •36 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (дислокації).
- •37 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (межі зерен).
- •38 Нанокристал. Та аморфні плівкові матеріали.
- •39 Внутрішні макронапруження в конденсатах.
- •40 Процеси старіння в тонких плівках.
- •1 Основні х-ки вакуумної системи. Основне р-ня вакуумної техніки.
- •2 Класифікація вакуумних насосів. Параметри і робочий діапазон дії.
- •5 Конструкція та принцип дії багатоступеневого паромасляного дифузійного насосу.
- •6 Конструкція і принцип роботи іонно-сорбційних, адсорбційних, кріогенних насосів.
- •7 Механ. Молекулярні та турбомолекул. Насоси.
- •8 Принцип роботи обертальних пластинчатих насосів. Робочі рідини для оберт. Насосів.
- •9 Розбірні вакуумні з’єднання. Гнучкі вакуумні з’єднання. Передача руху у вакуум.
- •10 Конструкція і принцип роботи вакуумних уловлювачів.
- •11 Послідовність формування та схема техн.. Процесу дифузійно-планарних імс
- •12 Послідовність формування та схема техн.. Процесу епітаксійно-планарних імс.
- •13 Послідовність формування та схема техн.. Процесу виготовлення V-канальних німс.
- •14 Послідовність формування та схема техн.. Процесу німс з діелектричною ізоляцією
- •15 Впровадження домішки у напівпровідник шляхом термічної дифузії
- •16 Впровадження домішки у напівпровідник шляхом іонної імплантації
- •17 Автоепітаксія кремнію як базовий технологічний процес виготовлення імс.
- •18 Загальна х-ка фотолітографічного процесу.
- •19 Схема технолог. Процесу виготовлення товсто плівкових гімс. Х-ка та трафаретний друк.
- •20 Загальна х-ка етапів та методів зборки імс.
37 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (межі зерен).
На початковій стадії росту плівки, коли острівці досить малі, вони є монокристаликами. Але в міру коалесценції острівців, їх рекристалізації у плівці з'являється велика кількість дефектів кристалічної будови: вакансії та їм комплекси (пори), дислокації, дефекти пакування, межі зерен, двійники та ін. Експериментальні дослідження свідчать про те, що такі дефекти, як двійники та дефекти пакування в полікристалічних плівках містяться в меншій кількості порівняно з монокристалічними. Поряд із цим у полікристалічних зразках велику роль відіграють такі дефекти, як межі зерен. Зважаючи на те, що основним предметом нашого вивчення, за малим винятком, є полікристалічні плівки, основна увага буде зосереджена на таких дефектах, як дислокації та межі зерен.
Межі зерен
Якщо порівнювати між собою масивні та плівкові зразки, то в останніх площа меж кристалічних зерен в загальному випадку буде набагато більшою, що пов'язано з меншою величиною середнього розміру зерен (L) у плівках. У граничному випадку, коли рухливість адатомів мала, розмір зерен
може бути сумірним із розміром критичного зародка. Згідно сучасними уявленнями межа зерен має ширину від 1 до 3 нм. За В.В.Покропивним, загальним принципом формування межі зерна є максимальне відновлення розірваних зв'язків із рівноважною довжиною. У зв'язку з наявністю вакансій на межі зерен може відбуватися дифузія чужорідних атомів (це явище можна також назвати адсорбцією чужорідних атомів), у процесі якої відновлюватимуться розірвані зв'язки. При певній концентрації чужорідних атомів, коли всі вакансії будуть зайняті, на межі зерен можуть утворюватися сегрегації з цих атомів або відбуватися фазові переходи (фазоутворення). Такі явища значно впливають на електронні процеси на межі зерен. Розмір зерен дуже суттєво залежить від таких термодинамічних та кінетичних параметрів: товщини плівки, температури підкладки, темпера тури відпалювання та швидкості конденсації. Рисунок якісно ілюструє ці залежності. Основна особливість графіків, наведених на рисунку, полягає в тому, що розміри зерен не змінюються, починаючи з певного значення того чи іншого параметра. У перших трьох випадках (а-в) спостерігається цілком зрозуміле збільшення середнього розміру зерна і лише при збільшенні швидкості конденсації - зменшення. Це пояснюється тим, що при певній швидкості конденсації швидкість зародкоутворення починає перевищувати швидкість їх лінійного росту. В результаті утворю ється багато, але малих розмірів, зерен.
38 Нанокристал. Та аморфні плівкові матеріали.
Питання про утворення аморфного стану в плівках у процесі низькотемпературної конденсації частково розглядалося під час аналізу механізмів конденсації.
Згідно із сучасними уявленнями аморфний стан є нерівноважною фазою, а фазою плівкового матеріалу, яка стабілізується внаслідок того, що швидкість зародження зародків набагато більша за швидкість їх лінійного зростання. Якщо зародок конденсату складається з одного чи двох атомів, то буде утворюватися аморфна фаза. Але якщо утворяться зародки із декількох десятків атомів, то конденсат являтиме собою нанокристалічний матеріал.
За допомогою дифракційних або мікроскопічних методів ці два структурні стани розрізнити практично неможливо, хоча, вимірюючи опір плівок (R) у процесі термічного відпалювання, можна зафіксувати різну залежність для аморфних і нанокристалічних зразків. Це показано на рисунку.
Залежність R(T) при відпалюванні аморфних (1) та нанокристалічних (2) плівок
Різний характер залежності пояснюється тим, що при кристалізації а фази відбувається нерівноважний фазовий а -> к перехід, тоді як нагрівання нанокристалічного матеріалу приводить до звичайної рекристалізації, що супроводжується плавним зменшенням електричного опору. Крім того, температура а —> к переходу суттєво залежить від товщини плівки, у той час як характер залежності R(T) для нанокристалічних плівок практично залишається незмінним при будь-яких товщинах. Підкреслимо, що подібні залежності одержані практично для усіх плівок металів та напівпровідників, які конденсуються в аморфну фазу.
Залежність температури кристалізації аморфної фази від товщини плівки
Слід також відмітити, що межа існування аморфної фази за температурою та товщиною дуже залежить від чистоти плівки (або чистоти вакууму при конденсації плівки).
Забруднення плівки домішковими атомами газів призводив до збільшення і температури, і товщини стабілізації аморфної фази.
Крім цього, експериментальні дослідження показують що температура а —>к переходу в процесі конденсації значно відрізняється від аналогічної величини в процесі термо відпалювання. Зробимо висновки.
Незважаючи на те, що аморфна фаза енергетично менш вигідна порівняно з кристалічною, на даний час існують спроби описати а—>к перехід методами рівноважної термодинаміки для малих систем. Підставою для цього є те що експериментальна залежність Т а—>к від товщини визначається співвідношенням
яке повністю відповідає теоретичному, що одержується в рамках рівноважної термодинаміки.
І нарешті, принциповим питанням теорії аморфного стану є модель аморфної фази. Тут, виходячи з результатів електронної мікроскопії високої розрізнювальної здатності розвиваються дві моделі: сітка невпорядкованих атомів та мікрокристалічна модель.