
- •21 Загальна х-ка процесу розсіювання високоенергетичних електронів у тв. Тілі
- •22 Відбиті та вторинні електрони
- •23 Будова рем
- •24 Основи формування зображення рем, збільшення та глибина фокусу
- •25 Детектори електронів у рем
- •Детектори сцинтилятор-фотопомножувач. Еверхарт та Торнлі
- •26 Методи обробки сигналу у рем
- •27 Поняття про ідеальне зображення. Аберації 3-го порядку Ідеальне, або гаусівське, зображення
- •28 Конструкція пем. Хід променів у колоні мікроскопа із 3-х ступеневим збільшенням Конструкція пем
- •29 Практичні режими роботи пем: дифракційний, мікродифракційний, світлопольний, темнопольний Режими роботи пем
- •30 Фізичні основи принципу роботи та конструкція скануючого тунельного мікроскопу
- •31 Основи термодинаміки і кінетичної теорії газів (рівноважний тиск металевої пари).
- •32 Основи термодинаміки і кінетичної теорії газів (розподіл атомів металевої пари за швидк).
- •33 Випаровування матеріалів для т.Плівок і покриттів: ел.-променеве, іонне, реактивне)
- •34 Методи контролю та вимірювання товщин тонких плівок.
- •35 Чотири стадії росту плівки; механізм конденсації плівок.
- •36 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (дислокації).
- •37 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (межі зерен).
- •38 Нанокристал. Та аморфні плівкові матеріали.
- •39 Внутрішні макронапруження в конденсатах.
- •40 Процеси старіння в тонких плівках.
- •1 Основні х-ки вакуумної системи. Основне р-ня вакуумної техніки.
- •2 Класифікація вакуумних насосів. Параметри і робочий діапазон дії.
- •5 Конструкція та принцип дії багатоступеневого паромасляного дифузійного насосу.
- •6 Конструкція і принцип роботи іонно-сорбційних, адсорбційних, кріогенних насосів.
- •7 Механ. Молекулярні та турбомолекул. Насоси.
- •8 Принцип роботи обертальних пластинчатих насосів. Робочі рідини для оберт. Насосів.
- •9 Розбірні вакуумні з’єднання. Гнучкі вакуумні з’єднання. Передача руху у вакуум.
- •10 Конструкція і принцип роботи вакуумних уловлювачів.
- •11 Послідовність формування та схема техн.. Процесу дифузійно-планарних імс
- •12 Послідовність формування та схема техн.. Процесу епітаксійно-планарних імс.
- •13 Послідовність формування та схема техн.. Процесу виготовлення V-канальних німс.
- •14 Послідовність формування та схема техн.. Процесу німс з діелектричною ізоляцією
- •15 Впровадження домішки у напівпровідник шляхом термічної дифузії
- •16 Впровадження домішки у напівпровідник шляхом іонної імплантації
- •17 Автоепітаксія кремнію як базовий технологічний процес виготовлення імс.
- •18 Загальна х-ка фотолітографічного процесу.
- •19 Схема технолог. Процесу виготовлення товсто плівкових гімс. Х-ка та трафаретний друк.
- •20 Загальна х-ка етапів та методів зборки імс.
33 Випаровування матеріалів для т.Плівок і покриттів: ел.-променеве, іонне, реактивне)
М
етод
електронного бомбардування.
Пучок електронів прискорюється в
електричному полі до енергії 5-30
кВ і фокусується
на поверхні матеріалу для нанесення
плівки. При зіткненні електронів більша
частина кінетичної енергії перетворюється
в джоулеве тепло, і температура поверхні
досягає 3000-3500К.
Випарник майже
не нагрівається. Використовуються
електронні гармати з вольфра-мовим
катодом і з анодом, який випаровується.
У першому випадку в аноді є отвір, через
який електронні промені попадають на
матеріал плівки. У другому випадку
анодом є безпосередньо матеріал, з якого
одержу-ється плівка. Електронна гармата
з незалежним анодом: Анодом є метал,
який випаровується, катод має вигляд
петлі, розміщену біля анода.
Електронна гармата
з анодом, який випаровується: А - анод;
К - катод; ФЕ – фокусуючий електрод; МП
- металева пара; є - електрони; ВН - висока
напруга; В – вода. Найбільш складною
проблемою є одержання розплавленої
краплі на вершині анода. Тому був
запропонований метод електростатичної
стабілізації краплі за допомогою високої
негативної напруги (до 4кВ)
між корпусом
і підкладкою. Більш надійною в роботі
є електронна гармата варіанта б (але її
треба охолоджувати).
І
онне
розпилення.
Осадження
металу в резуль-таті іонного (катодного)
розпилення в тліючому розряді вперше
спостерігав У.Гроув. В основі методу
лежав простий тліючий розряд в газі Н2,
Не, Аг. Метод тліючого розряду має
недоліки: довжина вільного пробігу
іонів та розпилених атомів мала; частина
розпиленого матеріалу розсіюється і
попадає знову на мішень; не можна
змінювати незалежно енергію іонів,
густину іонного струму та тиск газу.
Великий прогрес у застосуванні іонного
розпилення пов’язаний із триелектродною
схемою, в якій плазма утворюється у
вигляді позитивного стовпа розряду між
анодом і катодом. Іонне розпилення
відбувається при введенні у плазму
негативного електрода-мішені. Перевагою
цієї схеми
є те, що навіть за відсутності магнітного
поля плазма може
бути створена при більш низьких тисках газу (~ 10'1 Па). Розряд створюють і підтримують електрони, які випромінюється із термокатода. Як наслідок цього енергію іонів можна вибирати низькою і незалежною від струму розряду та тиску газів. Переваги: швидкості конденсації для різних металів, сплавів та діелектриків відрізняються мало, можна отримати багатошарові плівки та покриття; можна одержувати плівки складних матеріалів без помітної зміни їх складу; простий метод контролю товщини плівки покриття за швидкістю конденса-ції. Основні недоліки-низькі швидкості конденсації (0,08-5 нм/с), забруднення плівок атомами газів.
Реактивне
розпилення.
В деяких випадках є бажаним одержання
хімічних сполук металу та газу. Тому
хімічно активний газ можна спеціально
вводити в установку для одержання
необхідної сполуки. Потрібно визначенні
ту частину вакуумної камери, в якій
відбувається реакція: в газовому
середовищі; на поверхні катода (мішені);
на підкладці (саме тут). Залежно від умов
розпилення можна одержувати різні
хімічні сполуки. Тип сполуки залежить
від процентного вмісту активного газу
і від п-тра конденсації (зведене поле)
де UK
- напруга на
катоді; l
- відстань катод-анод; рг
– тиск реактивного
газу. Pалишається
не зрозумілим, чому при тих же концентраціях
кисню, але при більших значеннях Е
утворюється
СuО.
Роль
зведеного поля незрозуміла.