- •21 Загальна х-ка процесу розсіювання високоенергетичних електронів у тв. Тілі
- •22 Відбиті та вторинні електрони
- •23 Будова рем
- •24 Основи формування зображення рем, збільшення та глибина фокусу
- •25 Детектори електронів у рем
- •Детектори сцинтилятор-фотопомножувач. Еверхарт та Торнлі
- •26 Методи обробки сигналу у рем
- •27 Поняття про ідеальне зображення. Аберації 3-го порядку Ідеальне, або гаусівське, зображення
- •28 Конструкція пем. Хід променів у колоні мікроскопа із 3-х ступеневим збільшенням Конструкція пем
- •29 Практичні режими роботи пем: дифракційний, мікродифракційний, світлопольний, темнопольний Режими роботи пем
- •30 Фізичні основи принципу роботи та конструкція скануючого тунельного мікроскопу
- •31 Основи термодинаміки і кінетичної теорії газів (рівноважний тиск металевої пари).
- •32 Основи термодинаміки і кінетичної теорії газів (розподіл атомів металевої пари за швидк).
- •33 Випаровування матеріалів для т.Плівок і покриттів: ел.-променеве, іонне, реактивне)
- •34 Методи контролю та вимірювання товщин тонких плівок.
- •35 Чотири стадії росту плівки; механізм конденсації плівок.
- •36 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (дислокації).
- •37 Утворення дефектів у процесі росту плівки і покриття (межі зерен).
- •38 Нанокристал. Та аморфні плівкові матеріали.
- •39 Внутрішні макронапруження в конденсатах.
- •40 Процеси старіння в тонких плівках.
- •1 Основні х-ки вакуумної системи. Основне р-ня вакуумної техніки.
- •2 Класифікація вакуумних насосів. Параметри і робочий діапазон дії.
- •5 Конструкція та принцип дії багатоступеневого паромасляного дифузійного насосу.
- •6 Конструкція і принцип роботи іонно-сорбційних, адсорбційних, кріогенних насосів.
- •7 Механ. Молекулярні та турбомолекул. Насоси.
- •8 Принцип роботи обертальних пластинчатих насосів. Робочі рідини для оберт. Насосів.
- •9 Розбірні вакуумні з’єднання. Гнучкі вакуумні з’єднання. Передача руху у вакуум.
- •10 Конструкція і принцип роботи вакуумних уловлювачів.
- •11 Послідовність формування та схема техн.. Процесу дифузійно-планарних імс
- •12 Послідовність формування та схема техн.. Процесу епітаксійно-планарних імс.
- •13 Послідовність формування та схема техн.. Процесу виготовлення V-канальних німс.
- •14 Послідовність формування та схема техн.. Процесу німс з діелектричною ізоляцією
- •15 Впровадження домішки у напівпровідник шляхом термічної дифузії
- •16 Впровадження домішки у напівпровідник шляхом іонної імплантації
- •17 Автоепітаксія кремнію як базовий технологічний процес виготовлення імс.
- •18 Загальна х-ка фотолітографічного процесу.
- •19 Схема технолог. Процесу виготовлення товсто плівкових гімс. Х-ка та трафаретний друк.
- •20 Загальна х-ка етапів та методів зборки імс.
21 Загальна х-ка процесу розсіювання високоенергетичних електронів у тв. Тілі
Розсіюванням пучка високоенергетичних електронів у твердому тілі - процес взаємодії між електронами пучка з одного боку та атомами й електронами мішені з іншого. Процес розсіювання електронів поділяється на два типи: 1) пружна взаємодія, яка призводить до зміни траєкторії електрона без істотних змін його енергії; 2)непружна взаємодія, при якій відбувається передача енергії електронів твердому тілу.
М айже всі види випромінювання (рис. 1.1), що виникають внаслідок взаємодії електронного пучка з твердим тілом, використовують для отримання інформації про його природу у приладах з електронним зондом. До таких приладів відносяться растрові електронні мікроскопи (РЕМ), рентгенівські мікроаналізатори (РМА), електронні оже-спектрометри (ЕОС). 1 - пучок електронів; 2 - тверде тіло; 3 - відбиті електрони; 4 - вторинні електрони; 5 - рентгенівське випромінювання; 6 - електромагнітне випромінювання; 7- оже-електрони
Ключовим поняттям є ймовірність, або переріз, розсіювання (Q): де N, n1 – число зіткнень та атомів у одиниці об'єму мішені; n2 – число електронів, які падають на одиницю площі поверхні мішені.
Середня довжина вільного пробігу електрона де A, ρ – атомна маса та густина матеріалу мішені; NA – число Авогадро
П ружне розсіювання. У випадку пружного розсіювання (рис. 1.2) величина швидкості електрона v залишається фактично незмінною (Eк = mv2/2 = const). Рисунок 1.2 – Схема пружного розсіювання електрона.
Після взаємодії електрон відхиляється від початкового напрямку руху на кут п (2° - 180°). Якщо електрон розсіюється на кути менше 2°, то у цьому випадку проявляються вже непружнi процеси. Ймовірність пружного розсіювання описується за допомогою моделі Резерфорда: де Z – атомний номер матеріалу мішені; E – енергія електрона (в кеВ)
Непружне розсіювання. Для непружного розсіювання характерним є те, що у результаті взаємодії енергія електрона пучка змінюється, хоча напрям його руху фактично не змінюється. Деякі випадки недружнього розсіювання:
1) Збудження плазмонів - Електронний пучок може збудити хвилі у “вільному електронному газі”
2) Збудження електронів провідності - Енергія, яка передається від електронного пучка, достатня для забезпечення роботи виходу електрона, що знаходиться у зоні провідності твердого тіла, за поверхню зразка (вторинні електрони).
3) Iонiзацiя внутрішніх оболонок - Електрони, що мають достатньо високу енергію, при взаємодії з атомами можуть вибити зв’язані електрони, якi знаходяться на внутрішніх оболонках атомів. Це призводить до переведення атомів у збуджений стан. Унаслідок релаксації відбувається випромінювання рентгенівських квантів та оже-електронiв.
4) Гальмівне рентгенівське випромінювання. Електрон пучка з високою енергією може гальмуватися у кулонівському полі атома. Різниця між енергією електрона до i після гальмування виділяється на випромінювання рентгенівського кванта.
5) Збудження фононів. Значна частка енергії йде на збудження коливань кристалічної решітки (фононів) - нагрівання твердого тіла. Коли пучок падає на масивну мішень, то ділянка, якій електрони віддають свою енергію, має надійний тепловий контакт із рештою зразка. За рахунок відтоку тепла від місця падіння пучка температура мішені фактично не змінюється.