24.Основные недостатки контактной литографии и способы их устранения?

Осн-ые недостатки контактной фотолит-фии: быстрый износ дорогих и сложных в изгот-нии фотошаблонов и возникновение дефектов на контактирующих поверхностях. Это частично устраняется при проекционной литографии и литографии на микрозазоре.

25.На чем основан процесс диффузионного легирования, какие преимущества и недостатки этого метода?

Диффузия происходит, если в тв-дом теле имеется градиент конц-ции какого-либо в-ва N(x,t) и продолжается, пока она не выровняется по всему объему.

Легирование м-дом диффузии имеет ряд недостатков:

1. Высокие темп-ры (могут изменить хар-ки ранее полученных стр-р).

2. Сложность расчета профилей распр-ния примесей и глубины залегания р-п-перехода особенно при многостадийной диффузии.

3. Невозм-сть получить концентрацию примесей большую ее предела растворимости и опред-ный профиль концентрации.

4. Наличие боковой диффузии.

5. Длительность процесса (2-5 ч., а иногда до 60 ч.) и др.

26. Что кроется за понятиями «загонка» и «разгонка»?

Загонка и разгонка – 2 этапа процесса диффузии.

1. Загонка из источника легирующего эл-та (В2О3, Р2О5 и др.) – на пов-сти пластины созд-ся слой, насыщенный примесью (обычно боро- или осфоросиликатное стекло).

2. Разгонка – в отсутствии внешнего источника примесь распределяется на

требуемую глубину. Этап сопровождается выращиванием на поверхности подложки защитного слоя SiO2.

27. На чем основан метод ионного легирования, какие недостатки термической диффузии он устраняет?

Под ионным легированием понимается контролируемое изменение электрофизических свойств монокристаллов путем облучения их ускорен­ными ионами различных элементов. Таким образом, можно сказать, что метод ионного легирования основан на контролируемом внедрении в материал (твердое тело) ускоренных ионизированных атомов и молекул. Особенно перспективным метод ионного легирования оказался для полупроводниковой электроники. Этот метод обладает преимуществами: универсальность, т.е. возможность введения любой примеси в любой материал; локальность воздействия; отсутствие нагрева подложки; возможность строгого дозирования примесей; простота управления; высокая чистота вводимых примесей и т.д.

Диффузией называют перенос вещества, обусловленный хаотическим тепловым движением атомов, возникающий при наличии градиента концентрации данного вещества, и направленный в сторону убывания этой концентрации в той среде, где происходит диффузия. При производстве современных изделий электронной техники, диффузия является одним из методов введения в объем твердого тела примесных атомов, определяющих тип проводимости и уровень легирования диффузионного слоя. В результате диффузии образуются p-n- переходы, которые являются основой для формирования диодов, транзисторов, конденсаторов.

По сравнению с термической диффузией метод ионного внедрения имеет ряд преимуществ, которыми определяется его широкое практическое применение. Одним из основных достоинств метода ионного легирования является низкая температура процесса, исключающая возникновение ряда отрицательных воздействий на исходную подложку, а также возможность независимого контроля концентрации вводимых примесных атомов и характера их распределения (профиль регулируется энергией ионов, а концентрация — дозой облучения). Кроме того, концентрация примесных атомов при ионном легировании не ограничивается предельной растворимостью, как при диффузии. Недостаток метода ионного легирования заключ. в относительно неглубоком (менее 1 мкм) проникновении атомов основных легирующих элементов внутрь полупроводника.