- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
- •3. Опто- и функциональная электроника.
- •4. Классификация имэ по конструкторско-технологическим и функциональным признакам.
- •5. Элементы полупроводниковых ис: структура и свойства биполярных и униполярных (полевых) транзисторов.
- •7. Планар техн-гия. Осн гр операций тп изгот-я изделий мэ
- •8.Особенности проектирования изделий микроэлектроники.
- •9. Подложки полупроводниковых и гибридных микросхем: материалы, методы получения и обработки.
- •11. Формирование пленочных структур методами испарения (термического и электронно-лучевого).
- •12. Формирование пленочных структур методами распыления (катодного, магнетронного, ионно-лучевого и др.).
- •13. Эпитаксиальное наращивание слоев. Назначение и виды полупроводниковых эпитаксиальных структур.
- •14. Формирование конфигурации пленочных элементов и окон в пленках (фото-, рентгено- и электронография, электронное фрезерование и др.).
- •15.Формирование областей с различными электрофизическими характеристиками: физические основы и особенности диффузионное и ионного легирования.
- •16. Технология диффузионного и ионного легирования пп подложек,
- •17. Придание материалам и элементам требуемых свойств термообработкой (отжиг пленок, вжигание контактов, активирующий
- •18. Основные этапы тп сборки и герметизации (разделение пластин на кристаллы, сварка, пайка, склеивание и др.).
- •19. Разделение пластин на кристаллы, корпусирование и сборка.
- •20. Основные виды контрольных и испытательных операций.
- •21. Основные операции типового тп изготовления ттлш сбис на
- •22. Типовой тп изготовления полупроводниковой ис на униполярных (полевых) транзисторах.
- •1. Что такое степень интеграции ис, чем она ограничивается?
- •2. В чем преимущества оптоэлектронных приборов перед приборами с электрическими связями?
- •3.Что дает применение базовых матричных кристаллов (бмк) при проектировании ис?
- •4. Какие методы удаления материала называются «сухими» и в чем их преимущества перед традиционными «мокрыми»?
- •5. Что положено в основу классификации изделий мэ по функциональным признакам?
- •6.Какие виды конденсаторных структур применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •7.В чем отличие гомоэпитаксиальных структур от гетероэпитаксиальных, где применяются такие структуры?
- •8. Назовите преимущества униполярных транзисторных структур перед биполярными.
- •9. Почему в качестве базового конструктивного элемента ис принята транзисторная структура?
- •10. Какие виды резисторов применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •11. Что является конечным продуктом проектирования имэ, что понимают под физической структурой ис.
- •12. Какие недостатки обычного термического испарения устраняются при использовании электронно-лучевого испарения?
- •13. Что скрывается за понятием «вакуумная гигиена», как она обеспечивается в производстве ис?
- •14. В чем сущность планарной технологии? Назначение входящих в нее основных операций.
- •15. На каких стадиях тп изготовления ис применяется обработка резанием?
- •16. Какие функции в составе приборов и в ходе тп изготовления ис играет SiO2?
- •17. Почему в современной технологии сбис все чаще SiO2 заменяют Si3n4?
- •18. Каким методом получают самый качественный по диэлектричес-ким свойствам оксид кремния?
- •19. Чем молекулярно-лучевая эпитаксия отличается от эпитаксии, основанной на газотранспортных реакциях?
- •20.Почему магнетронное распыление обеспечивает более высокую производительность при получении тонких пленок по сравнению с другими ионно-плазменными методами?
- •21.Какие материалы и почему используют для изготовления термических испарителей?
- •22.Функциональное назначение и основные характеристики фоторезистов.
- •23. Какие методы микролитографии применяются при изготовлении ис с топологическими размерами элементов меньшими 0,5 мкм?
- •24.Основные недостатки контактной литографии и способы их устранения?
- •25.На чем основан процесс диффузионного легирования, какие преимущества и недостатки этого метода?
- •26. Что кроется за понятиями «загонка» и «разгонка»?
- •27. На чем основан метод ионного легирования, какие недостатки термической диффузии он устраняет?
- •28. Почему электрический контроль кристаллов ис проводится на пластинах в неразделенном состоянии? Как его осуществляют?
- •29.Какие корпуса обеспечивают наилучшую защиту ис? Из каких элементов они состоят?
- •30. Почему метод сквозного прорезания имеет преимущества перед методами скрайбирования?
- •32.На каких стадиях тп изготовления ис применяются операции сварки, пайки и склеивания?
- •33. Назовите основные методы операционного и заключительного контроля в технологии ис.
- •34.Каким видам испытаний подвергаются полупроводниковые приборы и ис.
- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
3.Что дает применение базовых матричных кристаллов (бмк) при проектировании ис?
Базовый матричный кристалл – это большая интегральная схема, на которой разведены, но не соединены элементарные цепи и логические элементы. Заказчик разрабатывает схему соединений, так называемую маску, и эта маска в качестве последнего слоя наносится на БМК, и элементарные схемы и разрозненные цепи складываются в одну большую схему.
Преимущества:
1) высокая эффективность изготовления на заказ небольшими сериями;
2) быстрота создания;
3) сравнительно небольшая стоимость;
4)гибкость в проектировании аппаратуры, возможность применить оригинальные схемные решения.
БМК применяются, когда требуется быстро разработать и начать производство изделия; когда объём производства изделия относительно невысок, а подходящих БИС среди выпускаемых нет; при создании специфичной аппаратуры с оригинальной схемотехникой.
4. Какие методы удаления материала называются «сухими» и в чем их преимущества перед традиционными «мокрыми»?
Мокрые методы: Хим.травление - как для удаления нарушенного слоя после шлифования, так и в ходе получ конфигурации структур на подложке. Исп-ся в основном кислотные (смесь азотной и плавиковой) и щелочные травители (NaOH, KOH и др.). Пр-сс отличается значительной чувствительностью к темп-ре, состоянию поверхности и кристаллической ориентации подложки (селективностью). SiO2 травится водными растворами смеси HF с ее солями (KF, NaF, NH4F).
Эл-химическое травление основано на электролитических реакциях. ПП пластина - анод, на котором происходит анодное окисление (растворение). Электролит – водные р-ры HF и ее солей. Скорость травления выше, чем у химического. Применяется как для локального удаления материала, так и для очистки и полировки.
Сухие методы: Газовое травление - на химическом взаимодействии материала с газообразными травителями с образованием летучих соединений. Применяется как метод окончательной очистки перед операциями, в которых одним из определяющих факторов является структура поверхностного слоя (например, перед эпитаксией). В качестве травителей используют смеси H2 или He2 с галогенами (F, Cl, Br); HBr, HCl, H2S, CF6 и др. Обеспечивается высокая чистота поверхностей, большие скорости травления. Применение ограничено из-за высоких температур процесса (800-1300ОС), необходимости использовать газы высокой чистоты.
Ионно-плазменное и ионно-лучевое травление - удалении поверхностных слоев Si и др материалов при их бомбардировке высокоэнергетичными ионами инертных газов. Процесс наз распылением. Исп также для получения тонких пленок и слоев. Ионные методы универсальны. Их используют как для финишной очистки перед формированием структур в вакууме, так и для локальной прецизионной обработки.
Плазмо-химическое травление - разрушении обрабатываемого материала ионами активных газов, образующимися в плазме газового разряда. Используются для травления Si, SiO2, Si3N4, фоторезистов и некоторых металлов. Оборудованием являются специальныые реакторы.
«Сухие» наиболее эффектны для очистки и локальной обр-ки в технологии СБИС с субмикронными размерами эл-тов. По большинству технол-ких возможностей превосх жидкостное химическое и электрохимическое травление.