3. Методика эксперимента

Экспериментальное определение h-параметров осуществля­ется в соответствии с системой (1): при определении и воздействием является переменная составляющая тока базы , а при определении и переменная составляющая напряжения на коллекторе .Схема измерения параметров и приведена на рис. 4.

Режим по постоянному току задается с помощью регулируемых источников напряжения и и токозадающего резистора .

При задании режима все измерительные приборы должны быть в соответствующем режиме - переключатель "₌": "_" в положение "=". Вначале с помощью по вольтметру устанавливается требуемое напряжение , затем регулировкой устанавливается по миллиамперметру требуемый ток транзистора . Ориентировочные значения сопротивлений резисторов: , . Измерения проводятся на частоте 500-1000Гц. Величина входного воздействия должна быть в раз меньше тока покоя .

Рис. 4. Схема измерения h_11Э и h_21Э

Схема измерения параметров h_12Э и h_22Э приведена на рис.5.

Рис. 5. Схема измерения h_12Э и h_22Э

Входным воздействием является переменная составляющая на­пряжения на коллекторе U_К амплитудой 1÷2B. Значение сопротивления R_К порядка 0,5÷1 кОм. Резистор R_Г, моделирующий выходное сопротивление генератора синусоидального напряжения, может отсутствовать. Для обеспечения холостого хода на входе резистор R_Б должен быть высокоомным - 50-100кОм. При проведении эксперимента наблюдать сигналы с помощью осциллографа.

4. Задание

1. По статическим характеристикам транзистора в схеме ОЭ опреде­лить графо-аналитическим методом h -параметры для двух режимов:

1) I_ОЭ = 2мА, U_ОК =5В.

2) I_ОЭ = 6мА, U_ОК =5В.

Определить интегральный коэффициент передачи тока базы:

Данные занести в таблицу 4.1.

Таблица 4.1

Режим	1	2
∆IБ мкА
∆UБЭ/ , мВ
∆IК/, мА
∆UКЭ, В
∆IК//, мкА
∆UБЭ//, мВ
h11Э , Ом
h12Э
h21Э
h22Э, мкСм

2. Для указанных в п. 4.1 режимов измерить h -параметры транзис­тора в схеме ОЭ. Рассчитать физические параметры Т-образной схемы замещения. Данные занести в таблицу 4.2.

Таблица 4.2

Режим	1	2
iБ, мкА
UЭБ/,мВ
iК/, мА
UКБ, В
UЭБ//, мВ
iК//, мкА
h11Э, Ом
h12Э
h21Э
h22Э, мкСм
rЭ, Ом
rБ, Ом
rК, кОм
β

3. Измерить интегральный коэффициент передачи тока базы. Сравнить с найденным в п. 4.1. Изобразить эквивалентную схему транзис­тора в режиме малого сигнала в системе h -параметров для режима по постоянному току I и физическую Т-образную схему замещения для режима 2.

4. Пересчитать по измеренным для данного транзистора в схеме ОБ h параметрам для зажима I параметры для схемы ОЭ. Сравнить с измеренными h - параметрами. Данные занести в таблицу 4.3.

Таблица 4.3

Параметры	ОБ эксперимент	ОЭ расчёт	ОЭ эксперимент
h11, Ом
h12
h21
h22, мкCм