3 . Методика эксперимента

В работе определяются низкочастотные h−параметры би­полярного транзистора в схеме ОБ. Схема для измерения параметров h_11б и h_21б приведена на рис. 7.

Рис. 7. Схема измерения h_11б и h_21б

Режим измерения по постоянному току − заданные значения и − устанавливается с помощью источников Eэ, Ек и Rэ. Вначале с помощью регулировки (контролируя величину по ) устанавливается заданное значение , за­тем регулировкой установить ток (миллиамперметр в режиме измерения постоянного тока). Режим к.з. на выходе для переменных составляющих обеспечен подключением коллектора тран­зистора через миллиамперметр к источнику с низким выходным сопротивлением. Входное воздействие задается с помощью генератора синусоидального напряжения и резистора R_Г. Конденсатор необходим для исключения влияния источника сигнала на режим работы транзистора по постоянному тону. Измерения прово­дятся на частоте 0,1 1кГц. Величины переменных составляющих Должны быть на порядок меньше постоянных составляющих токов и напряжений на соответствующих электродах транзистора. При измерении необходимо с помощью осциллографа убедиться в отсутствии нелинейных искажений сигналов путем наблюдения осциллограмм пе­ременных составляющих .

Схема измерения параметров h_12б и h_22б приведена на рис. 8.

Рис. 8. Схема измерения h_12б и h_22б

Режим х.х. на входе для переменной составляющей сигнала обеспечивается подключением эмиттера к источнику через относительно высокоомный (по сравнению с входным сопротивлением транзистора) резистор . Установка режима работы по постоян­ному току осуществляется аналогично. Напряжение на коллекторе устанавливается регулировкой , а ток −источником . При измерении параметра h_12б=U_ЭБ/U_КБ напряжение U_ЭБ измерить с помощью осциллографа. Резистор может при этом отсутствовать. Если при измерении h_12б=i_К/U_КБ чувствительности миллиамперметра недостаточно, то необходимо включить резистор R_К1 (порядка 1 кОм из имеющихся на стенде) и подключить параллельно ему вольтметр, а величину тока i_К рассчитать. Величина входного воздействия U_КБ должна быть порядка 2−ЗВ.

4. Задание

4.1. По статическим характеристикам транзистора в схеме ОБ аналитическим методом определить h −параметры для двух режимов работы:

1.

2.

Данные занести в таблицу 4.1.

Таблица 4.1

Режим	1	2
h22Б, мкСм

4.2. Для указанных в п. 4.1 двух режимов по постоянному то­ку измерить h−параметры транзистора в схеме ОБ. Рассчитать физические параметры Т−образной схемы замещения. Данные занести в таблицу 4.2.

Таблица 4.2

Режим	1	2
h22Б, мкСм