Применение мдп структур

1. Инвертор на комплементарных структурах рассмотрен только что.

2. Логические структуры на комплементраных транзисторах.

Схема И-НЕ

Вход1 Вход2 Выход

1 1 0

1 0 1

0 1 1

0 0 1

Схема ИЛИ-НЕ

Вход1 Вход2 Выход

1 1 0

1 0 0

0 1 0

0 0 1

Элемент ПЗУ

В случае хранения 1 на плавающем затворе имеется заряд электронов. Поэтому пороговое напряжение высокое U_в. В случае 0 пороговое напряжение низкое U_н. Время хранения 10 лет и более (до 100).

Для считывания на Х шину выбранной строки подается напряжение между U_в и U_н. Транзистор будет открыт или закрыт в зависимости от 0 или 1. Соответственно по шине Y течет ток или не течет.

Запись происходит либо туннельным способом, либо горячими электронами.