Разновидности дискретных транзисторов
Классификация. По мощности. Мощные > 1Вт. По частоте. <30 МГц, 30 – 300МГц, >300МГц – СВЧ
По назначению – универсальные, усилительные, генераторные, переключательные, импульсные…
Система параметров. Электрические.
Граничная частота, коэффициент передачи тока h21Э, обратные токи переходов, емкости.
Для импульсных транзисторов – напряжения в режиме насыщения, время рассасывания при заданных токах.
Для СВЧ транзисторов – коэффициент усиления на заданной частоте, индуктивности и емкости выводов.
Предельные параметры. Допустимые обратные напряжения на переходах, Допустимое напряжение коллектора в схеме с общим эмиттером при заданном сопротивлении базы, максимальная мощность, максимальный ток коллектора, максимальная температура.
Особенности транзисторов интегральных схем
Изопланарный транзистор.
а
).
диффузией доноров формируют скрытый
слой. Затем на всей пластине наращивают
тонкий (1 – 3мк) эпитаксиальный слой.
б). Наносят маску из нитрида кремния. Травят на половину слоя и формируют противоканальные р+ области.
в). В вытравленных областях проводят селективное окисление, так что окисел проникает в скрытую n+ область. Окисел растет до поверхности.
г). Пленку нитрида удаляют, делают новую маску из диоксида кремния. Диффузией бора формируют базовую область. Окисные области работают как маска.
д). Диффузия фосфора. Формируются эмиттерная и контактная коллекторная области. Снова восстанавливается оксидная пленка. Травятся отверстия, напыляется слой алюминия.
Площадь изопланарного транзистора почти на порядок меньше эпитаксиального.
На поверхности Si – SiO2 существует положительный заряд. Он притягивает электроны и формирует канал. Для предотвращения этого и служат р+ области.
В настоящее время широко используется поликристаллический кремний с примесями и метод самосовмещенных масок.