5.2 Температурная зависимость теплового пробоя.

Механизмы пробоя p-n перехода, в частности, теплового, были описаны выше. Напряжение теплового пробоя рассчитываются по формуле:

(48)

Зависимость определяется в основном .

6. Расчет прямого падения напряжения.

Падение напряжения на самом p-n переходе, на базе, в эмиттере, на подложке и контактах составляет прямое падение напряжения:

(49)

где - падение напряжения на p-n переходе.

(50)

- ток инжекции:

(51)

- падение напряжения на эмиттере:

(52)

- падение напряжения на промодулированной базе:

*1/(b+1) (53)

где

(54)

- падение напряжения на подложке:

(55)

- падение напряжения на эмиттерном контакте:

(56)

- падение напряжения на контакте подложки:

(57)

6.1 Температурная зависимость прямого падения напряжения.

Температурная зависимость прямого падения напряжения на диоде обусловлена зависимостью электрофизических параметров от температуры. Наибольшее влияние оказывает зависимость и . зависимость очень сильная и является доминирующей, поэтому падение напряжения уменьшается с ростом температуры.

(58)

(59)

(60)

(61)

(62)

(63)

Зависимость падения напряжения на базе от температуры определяется зависимостью подвижности от температуры:

*1/(b+1) (64)

(65)

Падение напряжения на омических сопротивлениях эмиттера и подложки, определяются зависимостью .

(66)

(67)

(68)

(69)

7. Расчет вольт – фарадной характеристики.

Диоды с p-n переходами обладают емкостными свойствами, что связано с пространственными перераспределениями заряда электронов и дырок при приложении внешнего напряжения к p-n переходу. Ёмкость p-n перехода в сильной степени определяет быстродействие переходов и приборов на их основе.

При изменении напряжения на величину ,изменяется толщина ОПЗ это связано с изменением объёмного заряда нескомпенсированных ионов на величину (из-за протекания носителей заряда соответствующего знака к соответствующим сторонам границ ОПЗ).

За счет протекания тока проводимости во внешней цепи электронно – дырочный переход ведет себя подобно конденсатору. Для резкого перехода:

(70)

где - толщина ОПЗ (формула 25)

(71)

8. Зависимость добротности от частоты.

Качество диодов определяется такими параметрами, как добротность .добротность определяют отношением реактивного сопротивления к активному. Эквивалентная схема диода показана на рисунке 10.

Рис. 11. Эквивалентная схема диода.

(72)

Для резкого перехода:

(73)

(74)

(75)

(76)

(77)

Добротность разделяется на и .

(78)

(79)

(80)

где - добротность на низкой частоте.

- добротность на высокой частоте.

(81)

(82)

(83)

Зависимость - от температуры:

(84)

Т.к. , то зависимость определяется этим соотношением.

Зависимость от температуры:

(85)

(86)