- •Тема 1.1.4.: Микросхемы ттл. Общие положения, разновидности имс ттл. Имс с открытым коллектором с тремя выходными состояниями.
- •Основные положения.
- •2. Диодный логический элемент или (дизъюнктор, схема сборки).
- •3. Диодный логический элемент и (конъюнктор, схема совпадения).
- •4 . Транзисторный элемент не (инвертор).
- •5. Логический элемент и-не в интегральном исполнении (дтл).
- •6. Логический элемент и-не в интегральном исполнении (ттл).
- •6 .1. С резистором в коллекторе.
- •6.2. С открытым коллектором.
- •6.3. С тремя состояниями.
- •Основные положения.
- •2. Логические элементы кмоп.
- •2.1. Инвертор.
- •2.2. Логический элемент и-не.
- •2.3. Логический элемент или-не.
- •5. Основные положения, логический элемент эсл.
- •3. Особенности кмоп ис.
- •4. Основные серии ис кмоп-структур.
- •6. Особенности эсл ис.
- •Тема 1.1.6.: Сравнительная характеристика разных типов имс
- •Классификация интегральных микросхем.
- •Сравнительная характеристика разных типов имс
- •Тема 1.2.1: Таблица истинности комбинационных цифровых устройств (кцу). Минимизация, ее задачи.
- •Синтез комбинационных цифровых устройств.
- •Минимизация с помощью диаграмм Вейча (карт Карно).
- •Тема 1.2.2.: Построение кцу в базисах и, или, не; и-не, или-не.
- •1. Построение кцу в базисе и, или, не
- •2. Построение кцу в базисе и-не.
- •Построение кцу в базисе или-не
6. Логический элемент и-не в интегральном исполнении (ттл).
6 .1. С резистором в коллекторе.
Представляет соединение логической схемы И (на VT1 – многоэмиттерном транзисторе) и сложного (каскадного) инвертора. Эмиттерные переходы выполняют роль схемы И, также как и входные диоды в ДТЛ-схемах, а коллекторный переход – роль диодов смещения.
Многоэмиттерный транзистор VT1 образует трехвходовую цепь И. В случае присоединения хотя бы одного эмиттера этого транзистора к потенциалу, близкому к нулю, транзистор насыщается и присоединяет к нулевому потенциалу вход инвертора, состоящего из трех одноимиттерных транзисторов (VT2-VT4).
Если на все входы (эмиттеры) цепи И поданы 1, то эмиттерные переходы VT1 будут смещены в обратном направлении и ток через R1 и коллекторный переход втекает в базу VT2 и далее в базу VT4, что приводит к их насыщению (VT1 работает в инверсном режиме: коллекторный переход – в прямом, эмиттерный переход – в обратном). VT3 закрывается, т.к. между коллекторами VT2 и VT4 напряжение оказывается недостаточным для отпирания VT3 и VT4.
Основное назначение смещающего диода – в надежном запирании VT3 при насыщении VT2 и VT4. В результате Vвых соответствует лог. 0. VД1 – VД3 – для защиты от пробоя эмиттерных переходов. Для поочередного включения выходных транзисторов применяют расщепитель фаз на VT2, R2 и R3. Он имеет 2 выхода: коллекторный и эмиттерный, импульсы на которых противофазны.
.
6.2. С открытым коллектором.
При построении цифровых устройств на базе ИЛЭ часто возникает необходимость объединения выходов нескольких логических элементов с целью перехода на общую выходную цепь. Эта задача может решаться несколькими способами. Можно выполнить объединение нескольких выходных цепей с помощью логического элемента ИЛИ. При этом приходится мириться с дополнительными затратами и увеличением задержки прохождения цифровых сигналов.
Другой способ основан на применении в логических элементах выходных цепей с открытым коллектором или эмиттером.
Н а функциональной схеме наличие выхода с открытым коллектором часто отмечается специальным символом в обозначении элемента
А налогично может быть организовано объединение выходных цепей с открытым эмиттером. На функциональной схеме такой выход также отмечается специальным символом .
Интегральные ТТЛ схемы со свободным (открытым) коллектором предназначены для работы на внешнюю нагрузку, в качестве которой могут быть использованы электромагнитное реле, индикаторы, а также для выполнения логических операций; допускают параллельное подключение нескольких выходов к общей нагрузке. Обычные ИМС не допускают параллельное включения выходов.
6.3. С тремя состояниями.
Один из наиболее широко используемых способов объединения элементов основан на применении выходных цепей, допускающих управляемое отключение от нагрузки, называемое часто переходом в третье состояние. Обычно для этой цели используется выходной каскад на двух транзисторах. Кроме состояний на выходе V0 (транзистор VT2 открыт, VT1- заперт) и V1 (транзистор VT2 заперт , VT1- открыт) может быть реализовано третье состояние, когда оба транзистора VT1 и VT2 заперты. Такое состояние (называемое высокоимпедансным) соответствует отключению выходного каскада от нагрузки.
Д ля управления VT3 и VT4 введена дополнительная управляющая цепь, которая называется управлением (вход С). Когда на вход С поступает V, соответствующее уровню логического 0, VT3 и VT4 закрыты (VT3 закрыт низким потенциалом на базе, а VT4 из-за того, что на эмиттере VT1 логический 0).
Е сли на вход С подать высокий потенциал, то диод VД2 будет закрыт и VT3 будет работать как в обычной ТТЛ-схеме. Наличие у логического элемента выходов с тремя состояниями (обозначается специальным символом ) позволяет объединять выходы без использования дополнительных элементов.
Ввиду улучшенных характеристик эти схемы используют в качестве шинных формирователей (т.е. выходы соединяются между собой и подключаются к общей нагрузке) вместо схем с открытым коллектором.
Основные серии: К155, 158, 131, 555, 531, КР1533, 1531, 133, 136, 130, 533, 530, 1533, 1531.
Тема 1.1.5.: Микросхемы КМОП-структуры. Общие положения, разновидности ИМС КМОП, их особенности. Универсальные серии КМОП. Микросхемы транзисторной логики с эмиттерными связями (ЭСЛ). Общие положения, разновидности, особенности.