- •В.И. Паутов, в.А. Матвиенко электроника
- •Екатеринбург
- •Содержание
- •Пояснительная записка
- •Лабораторная работа 1 Характеристики и параметры полупроводниковых диодов
- •5. Порядок проведения измерений:
- •5.1 Подготовка к работе
- •5.2 Проведение измерений
- •6. Обработка результатов измерений:
- •7. Отчет по работе:
- •8. Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа 2 Характеристики и параметры биполярного транзистора
- •1. Цель работы:
- •2. Домашнее задание:
- •3. Расчетная часть:
- •4. Основные теоретические положения:
- •5. Проведение измерений:
- •6. Обработка результатов измерений:
- •8. Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа 3 Характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом
- •5 Порядок выполнения работы:
- •5.1 Подготовка к работе
- •5.2 Проведение измерений
- •6. Обработка результатов измерений:
- •7. Содержание отчёта:
- •8 Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа 4 Режим работы транзистора по постоянному току
- •1. Цель работы:
- •2. Подготовка к выполнению работы:
- •3. Расчетная часть:
- •4. Общие положения, термины и определения:
- •5. Проведение измерений:
- •5.1 Подготовка к работе
- •6. Обработка результатов измерений:
- •7. Содержание отчета:
- •8. Контрольные вопросы:
- •Литература
5.2 Проведение измерений
5.2.1 Снимите прямую ветвь вольт-амперной характеристики U = f(I) кремниевого диода при температуре t1 = 270С, задавая ток I и фиксируя напряжение U с помощью вольтметра М1. Ток диода изменяйте от 1 мА до 1 А (1000 мА).
Рекомендуемые значения тока: 1, 10, 20, 50, 100, 200, 350, 500, 750, 1000 мА.
Результаты измерений занести в таблицу 2.
5.2.2 Установить значение температуры диода равным 57ºС и повторить измерения пункта 5.2.1.
Для установки температуры в меню Analysis выбрать опцию Analysis options. В открывшемся окне выделить вкладку Global, в окне Simulation temperature (TEMP) установить значение заданной температуры 57 degrees C (с помощью правой клавиатуры, затем Enter). Выполнить измерения и установить прежнее значение температуры 27 degrees C.
5.2.3. Замените кремниевый диод на диод Шоттки.
Снимите прямую ветвь вольт-амперной характеристики U = f(I) диода Шоттки при температуре t = 270С по методике п. 5.2.1.
Таблица 2.
Диод Si |
t 0С |
IПР (мА) (I1) |
1 |
10 |
20 |
50 |
100 |
200 |
350 |
… |
1000 |
27ºС |
UПР (В) (M1) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
57ºС |
UПР (В) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Диод Шоттки |
27ºС |
UПР (В) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
57ºС |
UПР (В) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Снимите прямую ветвь вольт-амперной характеристики диода Шоттки при температуре t = 570С.
По результатам измерений заполнить таблицу 2.
Сравните постоянное прямое напряжение на кремниевом диоде и диоде Шоттки при токе 1 А.
6. Обработка результатов измерений:
6.1 Построить графики вольт-амперных характеристик диодов в одних координатах согласно рисунка 6.
6.2 По графикам
– определить дифференциальное сопротивление диодов
rД = ΔUПР/ΔIПР.
Для определения rД построить на графике характеристический прямоугольный треугольник, как показано на рисунке 6. Вершины треугольника расположить на 500 и 1000 мА. ΔIПР = (1000мА – 500мА). Сопротивление определить для нормальной и повышенной температуры;
– определить статическое сопротивление диода при прямом токе, равном 500 мА,
R0 = UПР/IПР.
Сопротивление определить для нормальной и повышенной температуры;
– вычислить температурный коэффициент напряжения ТКН на прямой ветви вольт-амперной характеристики для обоих диодов
Рисунок 6. Примерный вид прямой ветви ВАХ диодов
6.3 На полученных графиках построить также идеализированную ВАХ p-n-перехода.