5. Проведение измерений:
5.1 Подготовка к работе
Вызвать пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB) двойным щелчком по ярлыку . Он находится на рабочем столе компьютера и имеет имя «WEWB32».
Открывается окно EWB, содержащее ряд кнопок для выбора компонент схем и наборное поле, на котором размещается схема.
5.1.1 Вызвать сохраненную схему с транзистором из базы EWB. Дополнить ее до схемы усилительного каскада рисунок 19.
Транзистор установить такой, для которого проводилась нагрузочная прямая, RК – вычисленное в пункте 3. В цепях базы и коллектора включены приборы для измерения токов IБ и IК и напряжений UБЭ и UКЭ.
Сопротивление Rб установить равным RК. Напряжение источника V2 (ЕК) установить таким, какое было принято при выполнении пункта 3. Напряжение источника V1 установить равным V1 = Rб·Iбmin + UБЭ. UБЭ = 500мВ, Iбmin = 10 мкА.
Установить RЭ = 1 Ом.
Внимание. При сборке схемы не пытайтесь установить обозначения элементов, приведенные на рисунке 19. EWB присвоит им свои обозначения и нумерацию. Следует помнить, что номер элемента присваивается автоматически по мере вывода его на наборное поле.
5.1.2 Включить режим моделирования
Убедиться, что схема собрана правильно, т.е. на базе имеется напряжение, равное напряжению V1, напряжение UКЭ (М3) примерно равно напряжению ЕК, ток коллектора (М4) составляет доли мкА.
Е
сли
что-то не так, то внимательно проверить
схему.
Рисунок 19. Схема усилительного каскада
5.1.3 Заготовить таблицу 10.
5.2 Проведение измерений
5.2.1 Определение характеристик
Увеличивая (или уменьшая) напряжение V1, установить напряжение на базе (М2) приблизительно равным 500 мВ.
Записать полученные значения токов и напряжений в таблицу.
Увеличивая далее напряжение V1, устанавливать ток базы 10 мкА, 20 мкА и т.д. согласно таблицы и записывая в нее показания приборов М2, М3, М4.
Напряжение на базе записывать с точностью три значащих цифры.
Таблица 10.
IБ мкА ( М1) |
|
10 |
20 |
40 |
60 |
80 |
100 |
120 |
… |
UБЭ мВ (М2) |
500 |
|
|
|
|
|
|
|
|
UКЭ В (М3) |
ЕК |
|
|
|
|
|
|
|
|
IК мА (М4) |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Ток базы увеличивать до такой величины, пока ток коллектора не достигнет значения IКНАС или напряжение UКЭ не станет менее одного вольта.
Увеличить ток базы еще на 40 мкА и убедиться, что ток коллектора более не увеличивается, а напряжение UКЭ не уменьшается.
5.2.2 Исследование влияния температуры
Установить ток базы равным 60 мкА.
Из таблицы 10 переписать значения токов и напряжений на электродах "холодного" транзистора для этого режима в таблицу 11.
Установить температуру транзистора равную 57˚С (меню Analysis, опция Analysis options, вкладка Global).
Вновь записать полученные значения токов и напряжений "горячего" транзистора в таблицу 11.
Таблица 11.
|
IБ мкА |
UБЭ мВ |
IК мА |
UКЭ В |
t = 27oC |
60 |
|
|
|
t = 57oC |
|
|
|
|
∆t = 30 oC |
∆IБ = |
∆UБЭ = |
∆IК = |
∆UКЭ = |
Вычислить величину изменений токов и напряжений транзистора под действием температуры и заполнить строку 4 таблицы.