Окно измерений
При
нажатии кнопки
открывается
окно осциллографа (рис. 9).
Рис. 9. Окно «Осциллограф»
Для запуска измерения необходимо нажать кнопку «Обновлять», а при снятии температурных измерений нажать кнопку «Термостат». При нажатии вкладки «Настройки» в окне «Осциллограф» открывается окно настроек текущего измерения, где отображается текущий режим измерения и устанавливается время обновления измерения (рисунок 10). Если частота процессора невелика, можно увеличить время обновления (например, 3 с). В этом случае ПЭВМ будет успевать обрабатывать измерительную информацию и характеристики на экране не будут искажены.
Рисунок 10-Окно «Настройки»
Меню настройки
Меню настройки содержит две вкладки:
- Параметры;
- Термостат.
Нажав вкладку «Параметры» открывается окно (рис. 11) содержащее вкладки:
- установки - содержит сведения об IP - адресе сервера и порта;
- образцы - содержит сведения об образцах установленных в термокамере измерительного блока.
Рис. 11. Окно «Параметры»
Нажав вкладку «Термостат» в меню «Настройки» открывается окно настроек параметров термостат (рис. 12):
- установка начальной температуры измерений;
- установка конечной температуры измерений;
- установка шага измерения температуры.
Рисунок 12 - Окно «Термостат»
Порядок выполнения работы
1. Включить ПК, подать напряжение на измерительный блок с помощью тумблера (загорится сигнальная лампа «Сеть»). Прибор должен быть включен до запуска программы. Запустить программу «Биполярные структуры».
2. Замерить начальную температуру транзисторных структур.
3. Снять ВАХ указанных преподавателем диодных структур транзисторов.
При этом необходимо задать максимальные значения обратного и прямого напряжений для управляемого источника напряжения (УИН) и предельные значения измеряемого обратного и прямого токов.
Максимальный предел изменения прямого тока – 50 мА, которое достигается при прямом смещении кремниевых структур на 0,7 – 1 В и 0,4 – 0,7 В для германиевых.
Обратный ток для кремниевых переходов составляет десятые – сотые доли микроампер, а у германиевых - единицы - сотни микроампер. На ВАХ диодов должно наблюдаться явление электрического пробоя.
4. Снять отдельно прямую и обратную ветви ВАХ диодов в более крупном масштабе и определить напряжение отпирания и напряжение электрического пробоя приборов.
5. Снять входные ВАХ исследуемых транзисторов при трех различных значениях напряжения коллектор – эмиттер UКЭ.
В данной лабораторной работе реализована возможность регистрации входных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером. При этом снимается зависимость напряжения база – эмиттер UБЭ от тока базы IБ при постоянном напряжении коллектор-эмиттер UКЭ.
С помощью управляемого источника тока (УИТ) изменяется ток базы транзистора всегда в диапазоне от нуля до 1 мА, а UБЭ измеряется электронным вольтметром. Можно снять семейство входных характеристик при различных значениях напряжения UКЭ (от нуля до 5В), задаваемых при помощи УИН.
6. Снять выходные ВАХ исследуемых транзисторов при трех различных значениях тока базы IБ.
В данной лабораторной работе реализована возможность регистрации выходных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером. При этом снимается зависимость тока коллектора IК от напряжения коллектор – эмиттер UКЭ при постоянном токе базы IБ.
С помощью УИН изменяется UКЭ транзистора в диапазоне от нуля до заданного предельного значения, при этом измеряется IК. Можно снять семейство выходных характеристик при различных значениях IБ (от нуля до 1 мА), задаваемых УИТ. Выбор необходимых значений IБ осуществляется путем перемещения движка регулятора тока базы. Правильно выбирайте предел измерения по току коллектора. При смене значения IБ, как правило, необходимо нажать кнопку “Авто”.
7. Повторить работу по пунктам 3-6 при заданных преподавателем температурах.