
- •21. Основные технологические процессы создания моп-имс на примере изопланарного процесса.
- •28. Обратные связи в усилителях. Влияние обратной связи на свойства усилителей.
- •2. Влияние обратной связи на коэффициент усиления
- •1.8 Влияние обратной связи на нелинейные искажения, фон и помехи
- •1.9 Влияние обратной связи на нестабильность усиления
- •1.10 Влияние обратной связи на входное сопротивление усилителя
- •1.11 Влияние обратной связи на выходное сопротивление усилителя
- •1.12 Влияние отрицательной обратной связи на частотную, фазовую и переходную характеристики
- •29. Источники вторичного электропитания.
- •70. Методы изготовления печатных плат по субтрактивной технологии.
- •71. Сущность аддитивной технологии изготовления печатных плат.
- •73. Комбинированный позитивный метод.
- •79. Припои, паяльные пасты и флюсы.
70. Методы изготовления печатных плат по субтрактивной технологии.
Для изготовления ПП реализуют в основном 3 технологии:
субтрактивная
аддитивная
полуаддитивная
Сущность субтрактивной технологии состоит в том, что используют фольгированный диэлектрик, на котором образуют защитное покрытие, соответствующее полю проводников и далее осуществляют травление на пробельных участках.
Особенности:
“ - ”: позволяет изготавливать только односторонние ПП;
при малой плотности печатного монтажа происходит большой расход меди;
“ + ”: относительная быстрота изготовления ПП;
малое воздействие химических веществ на электрические свойства диэлектрика.
В рамках субтрактивной технологии реализуются следующие методы изготовления печатных плат:
- сеточно-химический
- офсетно-химический
- фотохимический
1. образуют сетку (ячейки 30-50 мкм), наносят полимерный материал(фоточувствительный).
Данный
метод легко реализуем ручным способом,
а также с помощью автоматического
оборудования, которое проводит все
операции
автоматически.
2. заимствует оборудование для типографской печати. Вначале изготавливают клише с выступающими элементами, соответствующие печатным проводникам. На данное клише наносят краску, которая переносится на барабан из офсетной резины, с которой дальше образуется оттиск на заготовке
3. нет данных
При офсетном и сеточном способах изготавливают ПП 1 и 2 класса(0,75 и 0,45 мм), а фотоспособом – все классы(0,75;0,45;0,25;0,15;0,1).
71. Сущность аддитивной технологии изготовления печатных плат.
Технология формирования слоев методом ПАФОС.
Метод ПАФОС - полностью аддитивный электрохимический метод изготовления МПП.
Рекомендуется для изготовления печатных плат с шириной проводников и зазоров
50-100 мкм при толщине проводников 30-50 мкм. Проводящий рисунок создается на временных “носителях” - листах из нержавеющей стали.
При изготовлении односторонних слоев без межслойных переходов:
1. Предварительное гальваническое осаждение слоя меди толщиной 2-5 мкм на временные “носители”. Листы из нержавеющей стали.
2. Обработка поверхности медной шины на временных “носителях”.
а) механическая обработка водной суспензией пемзы ( + - лучшее качество подготовки поверхности; - не всегда возможна, т. к. она иногда повреждает медную шину).
б) химическая обработка в растворе персульфата аммония на струйных конвейерных установках. ( + - этот процесс обеспечивает адгезию и химическую стойкость защитных изображений на стадиях гальванического формирования проводящего рисунка и щелочного оксидирования).
3. Нанесение пленочного фоторезиста (формирование защитного слоя).
4. Экспонирование.
5. Проявление.
6. Получение проводников:
а) Электрохимическое осаждение слоя никеля (2-3 мкм);
б) Электрохимическое осаждение слоя меди (30-50 мкм).
7. Нанесение на верхнюю поверхность сформированных проводников адгезионных слоев.
8. Удаление пленочного фоторезиста.
9. Набор пакета “носителей”.
10. Прессование пакета (впрессовывание проводящего рисунка в диэлектрик на всю толщину).
11. Механическое удаление носителей.
12. Травление тонкой медной шины в слоях без межслойных переходов.
При изготовлении двусторонних слоев с межслойными переходами:
1. Предварительное гальваническое осаждение слоя меди толщиной 2-5 мкм на временные “носители”.
2. Обработка поверхности медной шины на временных “носителях”.
а) механическая обработка водной суспензией пемзы
б) химическая обработка в растворе персульфата аммония на струйных конвейерных
установках. ( + - этот процесс обеспечивает адгезию и химическую стойкость защитных изображений на стадиях гальванического формирования проводящего рисунка и щелочного
оксидирования).
3. Нанесение пленочного фоторезиста (формирование защитного слоя).
4. Экспонирование.
5. Проявление.
6. Получение проводников:
а) Электрохимическое осаждение слоя никеля (2-3 мкм);
б) Электрохимическое осаждение слоя меди (30-50 мкм).
7. Нанесение на верхнюю поверхность сформированных проводников адгезионных слоев.
8. Удаление пленочного фоторезиста.
9. Набор двухслойного пакета “носителей”.
10. Прессование пакета (впрессовывание проводящего рисунка в диэлектрик на всю толщину).
11. Механическое удаление носителей.
12. Сверление отверстий.
13. Химико-гальваническая металлизация.
14. Нанесение пленочного фоторезиста.
15. Экспонирование.
16. Проявление.
17. Формирование контактных площадок переходов гальваническим осаждением меди и никеля или сплава олово/свинец.
18. Удаление фоторезистивной маски.
19. Травление тонкого медного слоя на поверхности.
При изготовлении двусторонних слоев с межслойными переходами форма, размеры и точность проводящего рисунка определяются рисунком в рельефе пленочного фоторезиста, т. е. Процессами фотохимии.
При соблюдении условий проведения процессов:
• в пленочных резистах ширина проводников на высоте 0,2-0,7 толщины фоторезиста равна ширине изображения проводника на фотошаблоне (разброс замеров 5-10 мкм).
• искажения ширины проводников на поверхности подложки относительно изображений на фотошаблоне в среднем составляют 10-20 мкм.
• суммарный интервал разброса ширины проводников по всей высоте фоторельефа не превышает 15-20 мкм.
Профиль рельефа фоторезиста зависит от модели светокопировальной установки. При экспонировании на установках, имеющих совершенную экспонирующую систему с высокой коллимацией высокоинтенсивных световых лучей и отсутствием нагрева рабочей копировальной поверхности (например, устройства HMW-201иOPTI-BEAM 7100), образуется рельеф фоторезиста с ровными боковыми стенками и малым наклоном к поверхности подложки.
Недостатки использования фотошаблонов:
• фотошаблон на фотопленке меняет свои линейные размеры при изменении температуры и влажности
• точность ФШ зависит от точности плотера и устройств изготовления базовых отверстий
• сложности при получении линий толщиной менее 100 мкм - возрастают, например, требования к чистоте помещений, поскольку дефекты, вызываемые попаданием пылинок на изготавливаемые ФШ с линиями шириной 50 мкм, устранить практически невозможно
• при экспонировании резиста через ФШ на защитном полиэфирном слое (толщиной 25 мкм) между ФШ и резистом неизбежно происходит рассеяние света, особенно при слабо коллимированном источнике, это существенно ухудшает разрешение фоторезиста.
Аддитивные процессы позволяют уменьшить ширину проводников и зазоров до 50-100 мкм при толщине проводников 30-50 мкм. Один из перспективных вариантов реализации такого процесса с использованием электрохимического осаждения металлов (ПАФОС) показан на рисунке. От субтрактивных процессов этот метод принципиально отличается тем, что металл проводников не вытравливают, а наносят. Проводящий рисунок создается на временных "носителях" - листах из нержавеющей стали, поверхность которых предварительное покрывается гальванически осажденной медной шиной толщиной 2-5 мкм.
На этих листах формируется защитный рельеф пленочного фоторезиста. Проводники получают гальваническим осаждением тонкого слоя никеля (2-3 мкм) и меди (30-50 мкм) во вскрытые в фоторезисте рельефы. Затем пленочный фоторезист удаляют и проводящий рисунок на всю толщину впрессовывают в диэлектрик.
Прессованный слой вместе с медной шиной механически отделяют от поверхности временных носителей. В слоях без межслойных переходов медная шина стравливается.
При изготовлении двухсторонних слоев с межслойными переходами перед травлением тонкой медной шины создают межслойные переходы посредством металлизации отверстий с контактными площадками (рис. 3). Проводящий рисунок, утопленный в диэлектрик и сверху защищенный слоем никеля, не подвергается травлению при удалении медной шины. Поэтому форма, размеры и точность проводящего рисунка определяется рисунком рельефа в пленочном фоторезисте, то есть процессами фотолитографии.
Дальнейшее повышение плотности монтажа методом ПАФОС и уменьшение ширины проводников до 50 мкм и менее возможно при использовании лазерных методов формирования рисунка непосредственно в диэлектрике. Наиболее подходят для этого углекислотные лазеры, лучи которых могут быть сфокусированы до 35-40 мкм.
Отметим в заключение, что метод ПАФОС, основанный на прецизионной фотолитографии и лазерном экспонировании является ярким примером того, как на новом витке развития производства оказалась востребованной "древняя" технология изготовления ПП методом переноса [3]. Ведь при описании разновидности этого метода, основанной на общепринятой 30 лет назад трафаретной печати, уничижительно отмечалось, что "...она еще находит применение в промышленности".