27. Динистр

ВАХ:

При подаче на анод положительного напряжения, а на катод отрицательное, то эмитерные переходы будут открыты. К К переходу приложено обр напр, т.е. он закрыт, => всё внешнее напр падает на К переходе и ВАХ явл-ся для закрытого p-n перехода (1). Т.к. Э переход смещен в прямом направлении, то происходит инжекция дырок из р1-области и инжекция электронов из n2-области. Эти носители доходят до К перехода и перебрасываются через него.

Iкп- ток коллекторного перехода

Iкп=α1Ia+α2Ia+Iко

Iко=Iко1+Iко2

Ia=Iобр/(1-(α1+α2))

Ia примерно = Iобр ,т.к. α1+α2 <<1

При малых Iэ α<0.1, => сумма (α1+α2)<<1 и Ia≈Iоб

С ↑ напр на А, ↑ прямое напр на ЭП и усиливается инжекция с обеих сторон.

2 участок- отриц rдиф- неуст режим

3 участок- открытое состояние динистора.

26. Переходные и частотные характеристики транзистора(сх. С общим э)

Инерционность транзистора определяется следующими параметрами:1)пролет инжектированных носителей через базу. 2)перезаряд барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного перехода. 3)установление необходимых концентраций.

Дырки попадают в базу и начинают двигаться в результате диффузии к коллектору.

коэффициент передачи эмиттерного тока. Связь между током эмиттера и током коллектора нелинейна=> -нелинейная функция(зависит от времени)

Определим амплитудную и частотную характеристику. С общей базой.

Большой коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером достигается за счет ухудшения его частотных свойств. Это существенный недостаток схемы с общим эмиттером.

Определим частоту когда  становится равным 1. Эта частота называется предельной.