
- •Основы кристаллографии и дефекты кристаллического строения
- •Кристаллографические проекции
- •Симметрия структуры кристаллов
- •Точечные дефекты
- •Механизмы их перемещения
- •Введение
- •Понятие о кристаллическом строении кристаллографическая символика
- •Основные свойства кристаллов
- •1.2. Кристаллографическая символика
- •1.3. Символы узлов
- •1.4. Символы плоскостей
- •1.5. Символы направлений
- •1.6. Символы плоскостей и направлений кристаллов гексагональной сингонии
- •1.7. Примеры определения символов плоскостей и направлений
- •1.8. Определение символов граней и направлений по методу косинусов в кубической решетке
- •1.9. Связь между символами плоскостей и направлений в кристаллах
- •Вопросы для самопроверки:
- •Кристаллографические проекции
- •2.1 Сферическая проекция
- •2.2. Стереографическая проекция
- •2.3. Гномостреографическая проекция
- •2.4. Гномоническая проекция
- •2.5. Решение кристаллографических задач по сетке Вульфа
- •Элементы симметрии конечных фигур. Симметрия структуры кристаллов
- •3.1. Понятие симметрии
- •3.2. Элементы симметрии кристаллических многогранников
- •3.3. Изображение элементов симметрии на плоскости стереографической проекции
- •Обозначение элементов симметрии
- •3.4. Теоремы сложения элементов симметрии
- •3.5.Категории и сингонии
- •Характеристика категорий и сингоний
- •3.6.Обозначение классов симметрии
- •3.7. Формы кристаллов
- •3.8. Решетки Бравэ
- •Тип ячейки Бравэ
- •Элементы симметрии кристаллических структур
- •Международные обозначения винтовых осей и плоскостей скользящего отражения.
- •3.10. Координационное число. Координационный многогранник
- •Координационное число для некоторых структур
- •Введение.
- •4. Точечные дефекты
- •4.1. Виды точечных дефектов
- •4.2. Искажение решетки вокруг точечных дефектов
- •4.3. Термодинамика точечных дефектов
- •4.4. Миграция точечных дефектов
- •4.5. Источники и стоки точечных дефектов
- •4.6. Комплексы точечных дефектов
- •4.7. Поведение вакансий при закалке и отжиге
- •4.8. Методы определения концентрации вакансий, энергии их образования и миграции
- •5. Основные виды дислокаций и их движение
- •5.1. Краевая дислокация
- •5.2. Скольжение краевой дислокации
- •5.3. Переползание краевой дислокации
- •5.4. Винтовая дислокация
- •5.5. Смешанные дислокации
- •5.6. Призматические дислокации
- •5.7. Вектор бюргерса
- •5.8. Плотность дислокаций
- •6. Упругие свойства дислокаций
- •6.1. Энергия дислокаций
- •6.2. Силы, действующие на дислокацию
- •6.3. Упругое взаимодействие параллельных краевых
- •6.4. Упругое взаимодействие параллельных винтовых
- •7. Поверхностные дефекты
- •7.1.Плотнейшие упаковки
- •7.2. Дефекты упаковки
- •7.3. Границы зерен и субзерен
- •7.4. Малоугловые границы
- •7.5. Высокоугловые границы
- •8. Дислокации в типичных металлических структурах
- •8.1. Подразделение дислокаций на полные и частичные
- •8.2. Энергетический критерий дислокационных реакций
- •8.3. Характерные полные дислокации
- •9. Частичные дислокации. Растянутые дислокации
- •9.1. Частичные дислокации шокли
- •9.2. Частичные дислокации франка
- •9.3. Стандартный тетраэдр томпсона
- •9.4. Вершинные дислокации и дислокации ломер-коттрелла
- •9.5. Тетраэдр дефектов упаковки. Стандартная бипирамида
- •9.6. Дислокационные реакции в о.Ц.К. Решетке
- •10. Взаимодействие дислокаций между собой и с точечными дефектами
- •10.1. Поперечное скольжение растянутых дислокаций
- •10.2. Двойникующая дислокация
- •10.3. Дислокации в упорядоченных сплавах
- •10.4. Пересечение дислокаций
- •10.5. Взаимодействие дислокаций с точечными дефектами
- •10.6. Торможение дислокаций
- •10.7. Образование дислокаций
- •10.8. Методы выявления дислокаций в металлах
- •Библиографический список:
3.5.Категории и сингонии
Полное сочетание элементов симметрии кристаллического многогранника называется его классом симметрии или точечной группой симметрии. Существует 32 класса симметрии кристаллов. Учитывая особенности сочетаний элементов симметрии, 32 класса симметрии делятся на три категории. В кристаллических многогранниках встречаются единичные или симметрично – равные направления.
Единичным направлением называется единственное, не повторяющееся в кристаллическом многограннике направление. Таковым является, например, направление, совпадающее с осью L6 в шестигранной пирамиде.
Симметрично-равное направление, которое можно получить с помощью элементов симметрии, и которому есть равное в кристаллическом многограннике.
В кубе нет единичных направлений, здесь для любого направления можно найти симметрично-равное.
По симметрии и по числу единичных направлений кристаллы делятся на три категории: низшую, среднюю, высшую.
К низшей категории относятся кристаллы, у которых нет осей симметрии выше второго порядка и есть несколько единичных направлений. Это кристаллы наименее симметричные, с ярко выраженной анизотропией свойств.
К средней категории относятся кристаллы, у которых имеется главная ось (главной осью симметрии называется простая ось симметрии, или инверсионная ось, совпадающая с единственным единичным направлением) порядка выше второго (и она одна) и есть одно единичное направление, совпадающее с главной осью. В кристаллах средней категории заметно различие свойств вдоль и поперек оси симметрии. Характерные формы кристаллов, относящихся к средней категории-призмы, пирамиды и др.
Кристаллы вышей категории имеют несколько осей симметрии порядка выше второго, и единичных направлений в них нет; все направления являются симметрично-равными, поэтому анизотропия свойств в кристаллах высшей категории выражена слабее всего. Примерами кристаллов, относящихся к высшей категории, являются куб, октаэдр, тетраэдр.
Все 32 класса симметрии кристаллов разделяются по трем категориям, которые в свою очередь, разделяются на 7 сингоний.
Таблица 3
Характеристика категорий и сингоний
(понятие, введенное французским ученым Ш. Сорэ в 1893 г.) В сингонии объединяются те кристаллы, для которых одинакова симметрия элементарных ячеек их структур и одинакова система осей координат. Кристаллам, принадлежащим к классам одной сингонии, свойственна совокупность характерных углов. Отсюда и название «сингония», буквально означающее «сходноугольность» (в переводе с греческого).
Классификация кристаллов по сингониям определяется выбором кристаллографической системы координат, или элементарной ячейки кристалла. Характеристика категорий и сингоний кристаллов дана в табл.3.
Для того, чтобы разные исследователи могли описывать кристаллы одинаковыми символами, введены правила кристаллографической установки – условный порядок расположения осей координат. Правила установки кристаллов показаны в табл.3.