Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабораторна робота №5.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
13.08.2019
Размер:
210.94 Кб
Скачать

Лабораторна робота №5 Тема: Задання робочої точки в транзисторному каскаді

Мета: 1. Розглянути різні способи задання робочої точки транзисторного каскаду з загальним емітером.

2. Побудова навантажувальної лінії транзисторного каскаду.

  1. Задання робочої точки транзисторного каскаду.

  2. Дослідження параметрів робочої точки транзистора.

  3. Дослідження умов для перекладу транзистора в режим насичення і відсічки.

  4. Визначення статичного коефіцієнта передачі транзистора за експериментальними даними.

Прилади й елементи

Біполярний транзистор 2N3904

Біполярний транзистор 2N3906

Джерела постійної ЕРС

Резистори

Амперметри

Вольтметри

Теоретичні відомості

1. Задання струму бази за допомогою одного резистора

Схема транзисторного каскаду з загальним емітером представлена на рис. 5.1. Режим, в якому працює каскад, можна визначити, побудувавши його навантажувальну лінію на вихідній характеристиці транзистора. Даний спосіб дозволяє описати поводження транзистора в режимах насичення, підсилення і відсічки.

Режим насичення визначається наступним умовою – струм колектора не керується струмом бази:

βDCIБ>IК=IКН

де Iкн - струм насичення колектора, визначається опором RK у ланцюзі колектора і напругою джерела живлення Ек: IКК / RК

Рис. 5.1

Цей режим характеризується низьким спаданням напруги колектор-емітер (порядку 0.1В). Для переводу транзистора в цей режим необхідно в базу транзистора подати струм, більший ніж струм насичення бази ІБН: IБН =IКН / βDC

Струм насичення бази задається за допомогою резистора RБН з опором, рівним:

RБН = (EК - UБЕ0) / IБН EК / IБН

де UБЕ0 - гранична напруга переходу база-емітер. Для кремнієвих транзисторів UБЕ0 ≈ 0.7 В.

В режимі підсилення струм колектора менший за струму Ікн і описується рівнянням навантажувальної прямої: IК = (EК - UКЕ) / RК

Робоча точка в статичному режимі задається струмом бази і напругою на колекторі. Вона визначається точкою перетину навантажувальної прямої і вихідної характеристики транзистора. Базовий струм транзистора визначається як струм через опір у ланцюзі бази RБ (див. рис. 5.1):

IБ = (EКUБЕ0) / RБ

Струм колектора обчислюється за формулою:

IK = βDC IБ

Напруга колектор-емітер визначається з рівняння навантажувальної прямої:

UКЕ = EКIК RК

В режимі відсічки струм колектора дорівнює нулю і не створює на резисторі RK спадання напруги. Отже, напруга U максимальна і дорівнює напрузі джерела живлення Ек. Струм колектора з урахуванням теплових струмів визначається з наступного виразу:

IK = IKE0 + βDC IБ = (βDC + 1) IКБ0 + βDC IБβDC (IКБ0 + IБ),

де ІКЕ0, ІКБ0 - зворотні струми переходів колектор-емітер і колектор-база відповідно. Коефіцієнт нестабільності струму колектора (S) через вплив теплових струмів у схемі визначається як:

S = dIК / dIКБ0 = 1 + βDCβDC

Як випливає з цього виразу, при розглянутому способі задання струму бази коефіцієнт нестабільності залежить від статичного коефіцієнта передачі, який для транзисторів одного типу може сильно розрізнятися.