
- •Лабораторна робота №5 Тема: Задання робочої точки в транзисторному каскаді
- •Прилади й елементи
- •Теоретичні відомості
- •1. Задання струму бази за допомогою одного резистора
- •2. Задання струму бази за допомогою дільника напруги. Npn-транзистор.
- •3. Задання струму бази за допомогою додаткового джерела в ланцюзі емітера.
- •4. Задання струму бази за допомогою резистора в ланцюзі база-колектор.
- •Хід роботи
- •Результати експериментів
- •Струм емітера : (розрахунок)
Лабораторна робота №5 Тема: Задання робочої точки в транзисторному каскаді
Мета: 1. Розглянути різні способи задання робочої точки транзисторного каскаду з загальним емітером.
2. Побудова навантажувальної лінії транзисторного каскаду.
Задання робочої точки транзисторного каскаду.
Дослідження параметрів робочої точки транзистора.
Дослідження умов для перекладу транзистора в режим насичення і відсічки.
Визначення статичного коефіцієнта передачі транзистора за експериментальними даними.
Прилади й елементи
Біполярний транзистор 2N3904
Біполярний транзистор 2N3906
Джерела постійної ЕРС
Резистори
Амперметри
Вольтметри
Теоретичні відомості
1. Задання струму бази за допомогою одного резистора
Схема транзисторного каскаду з загальним емітером представлена на рис. 5.1. Режим, в якому працює каскад, можна визначити, побудувавши його навантажувальну лінію на вихідній характеристиці транзистора. Даний спосіб дозволяє описати поводження транзистора в режимах насичення, підсилення і відсічки.
Режим насичення визначається наступним умовою – струм колектора не керується струмом бази:
βDCIБ>IК=IКН
де Iкн - струм насичення колектора, визначається опором RK у ланцюзі колектора і напругою джерела живлення Ек: IК =ЕК / RК
Рис. 5.1
Цей режим характеризується низьким спаданням напруги колектор-емітер (порядку 0.1В). Для переводу транзистора в цей режим необхідно в базу транзистора подати струм, більший ніж струм насичення бази ІБН: IБН =IКН / βDC
Струм насичення бази задається за допомогою резистора RБН з опором, рівним:
RБН = (EК - UБЕ0) / IБН ≈ EК / IБН
де UБЕ0 - гранична напруга переходу база-емітер. Для кремнієвих транзисторів UБЕ0 ≈ 0.7 В.
В режимі підсилення струм колектора менший за струму Ікн і описується рівнянням навантажувальної прямої: IК = (EК - UКЕ) / RК
Робоча точка в статичному режимі задається струмом бази і напругою на колекторі. Вона визначається точкою перетину навантажувальної прямої і вихідної характеристики транзистора. Базовий струм транзистора визначається як струм через опір у ланцюзі бази RБ (див. рис. 5.1):
IБ = (EК – UБЕ0) / RБ
Струм колектора обчислюється за формулою:
IK = βDC IБ
Напруга колектор-емітер визначається з рівняння навантажувальної прямої:
UКЕ = EК – IК RК
В режимі відсічки струм колектора дорівнює нулю і не створює на резисторі RK спадання напруги. Отже, напруга UKЕ максимальна і дорівнює напрузі джерела живлення Ек. Струм колектора з урахуванням теплових струмів визначається з наступного виразу:
IK = IKE0 + βDC IБ = (βDC + 1) IКБ0 + βDC IБ ≈ βDC (IКБ0 + IБ),
де ІКЕ0, ІКБ0 - зворотні струми переходів колектор-емітер і колектор-база відповідно. Коефіцієнт нестабільності струму колектора (S) через вплив теплових струмів у схемі визначається як:
S = dIК / dIКБ0 = 1 + βDC ≈ βDC
Як випливає з цього виразу, при розглянутому способі задання струму бази коефіцієнт нестабільності залежить від статичного коефіцієнта передачі, який для транзисторів одного типу може сильно розрізнятися.