С донорного уровня в зону проводимости;
из валентной зоны на акцепторный уровень;
из зоны проводимости в валентную зону;
из валентной зоны в зону проводимости.
Носители заряда при дырочной примесной проводимости полупроводников возникают после переноса электронов:
С донорного уровня в зону проводимости;
из валентной зоны на акцепторный уровень;
из зоны проводимости в валентную зону;
из валентной зоны в зону проводимости.
При собственной электропроводности полупроводников носителями заряда являются:
только электроны;
только дырки;
дырки и электроны, концентрация электронов больше;
дырки и электроны, концентрации одинаковы.
При примесной донорной электропроводности носителями заряда являются:
электроны;
дырки;
положительные ионы;
отрицательные ионы.
При примесной акцепторной электропроводности носителями заряда являются:
Электроны;
дырки;
положительные ионы;
отрицательные ионы.
При собственной электропроводности энергия активации носителей равна энергетическому расстоянию:
от валентной зоны до акцепторного уровня;
от донорного уровня до зоны проводимости;
от акцепторного уровня до донорного уровня;
ширине запрещенной зоны.
При примесной электронной проводимости энергия активации носителей равна энергетическому расстоянию:
от валентной зоны до акцепторного уровня;
от донорного уровня до зоны проводимости;
от акцепторного уровня до донорного уровня;
ширине запрещенной зоны.
При примесной дырочной проводимости энергия активации носителей равна энергетическому расстоянию:
от валентной зоны до акцепторного уровня;
от донорного уровня до зоны проводимости;
от акцепторного уровня до донорного уровня;
ширине запрещенной зоны.
При примесной электронной электропроводности, если электропроводность меняется с температурой по закону
,
то
- энергетическое расстояние:
от валентной зоны до акцепторного уровня;
от донорного уровня до зоны проводимости;
от акцепторного уровня до донорного уровня;
ширина запрещенной зоны.
При примесной дырочной электропроводности, если электропроводность меняется с температурой по закону , то - энергетическое расстояние:
от валентной зоны до акцепторного уровня;
от донорного уровня до зоны проводимости;
от акцепторного уровня до донорного уровня;
ширина запрещенной зоны.
Неосновные носители заряда возникают в примесных электронных проводниках за счет перехода электронов:
с донорного уровня в зону проводимости;
из валентной зоны на акцепторный уровень;
с акцепторного уровня на донорный уровень;
из валентной зоны в зону проводимости.
Неосновные носители заряда возникают в примесных дырочных полупроводниках за счет перехода электронов:
с донорного уровня в зону проводимости;
из валентной зоны на акцепторный уровень;
с акцепторного уровня на донорный уровень;
из валентной зоны в зону проводимости.
Какие из названных эффектов не относятся к термоэлектрическим:
Холла;
Зеебека;
Пельтье;
Томсона.
Какие из названных эффектов не относятся к гальваномагнитным:
Холла;
возникновение продольной разности температур;
возникновение поперечной разности температур;
Пельтье.
Чем отличаются с точки зрения зонной теории электропроводности полупроводники от диэлектриков:
заполненностью валентной зоны;
шириной запрещенной зоны;
наличием донорных уровней;
наличием акцепторных уровней.
Чем отличаются с точки зрения зонной теории электропроводности металлы от полупроводников: