- •Исследование режимов биполярного транзистора
- •Получение вах транзистора vt1
- •Исследование усилительного режима транзистора. Регулирование координат рабочей точки покоя.
- •Исследование усилительного режима транзисторного каскада
- •Исследование ключевого режима транзистора.
- •Исследование режима насыщения.
- •Исследование ключа оэ
Исследование ключевого режима транзистора.
Исследование режима отсечки.
Соберем схему (схема 6).
Схема 6. Схема транзистора с ОЭ.
Установим значение управляющего напряжения Supply- = - 5 В, обеспечив режим глубокой отсечки. С помощью вольтметра DMM измерим напряжение на коллекторе транзистора. Убедимся, перебросив вольтметр на вывод +9V, что эти напряжения очень мало отличаются друг от друга, так как через R7 протекает ток Iко (рис. 6).
Supply-, В |
Uкэ, В |
-5 |
8,937 |
-4 |
8,937 |
-3 |
8,937 |
-2 |
8,937 |
-1 |
8,937 |
0 |
8,997 |
В схеме с общим эмиттером (рис. 24) входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь коллектора. Напряжение UБЭ >0 прикладывается непосредственно к эмиттерному переходу и отпирает его. Напряжение UКЭ распределяется между обоими переходами:
UКЭ = UКБ + UБЭ. Для того чтобы коллекторный переход был закрыт, необходимо UКБ = UКЭ – UБЭ > 0 , что обеспечивается при UКЭ > UБЭ > 0. Т.о. при отрицательных напряжениях UБЭ, мы будем наблюдать режим работы отсечки транзистора. В этом случае, через коллекторный переход течет маленький обратный ток, не оказывающий воздействия на выходную характеристику.
Исследование режима насыщения.
Переключим полярность напряжения управления в схеме (рис. 24), установив на входе вместо Supply- источник Supply+ = 0 В.
Постепенно увеличивая управляющее напряжение с помощью VPS и измеряя коллекторное напряжение, удостоверимся, что транзистор работает в усилительном режиме, когда увеличение UБЭ ведет к уменьшению UКЭ. Значения UБЭ и UКЭ измерим используя вольтметр.
Supply+, B |
Uкэ, В |
Iб, мА |
Iк, мА |
1 |
7,39 |
0,02 |
1,02 |
2 |
3,52 |
0,07 |
4,36 |
3 |
0,152 |
0,12 |
5,39 |
4 |
0,097 |
0,17 |
6,43 |
6 |
0,070922 |
0,27 |
8,95 |
8 |
0,057136 |
0,38 |
12,2 |
10 |
0,051132 |
0,48 |
15,6 |
Условие насыщения транзистора имеет вид: Iк ≤ Iб. Оно определяется отношением тока Iб к Iк. Из условия насыщения видно, что для насыщения транзистора достаточно создать ток базы Iб = Iк, который называется базовым током насыщения.
Ток базы насыщения - это минимальное значение входного тока транзистора, при котором транзистор будет открыт, а коммутируемая цепь закрыта.. В режиме насыщения изменения тока базы приводят к незначительным изменениям UКЭ, т.е. в транзистор потерял свои усилительные свойства.