- •1.1 Определение параметров нелинейной модели биполярного транзистора Эберса - Молла.
- •1.2 Методика определения параметров линейной модели биполярного транзистора Джиаколетто.
- •1.3 Линейная модель биполярного транзистора Джиаколетто.
- •2.2 Составление математической модели схемы по переменному току в базисе узловых потенциалов.
2.2 Составление математической модели схемы по переменному току в базисе узловых потенциалов.
Эквивалентная схема усилителя по переменному току для линейного (малосигнального) режима изображена на рисунке 2.3.

Рисунок 2.3 – Эквивалентная схема усилителя (см. рисунок 2.1) по переменному току
Здесь использована малосигнальная модель транзистора Джиаколетто. В этой модели источником управляющего напряжения для управляемого источника тока I является падение напряжения на сопротивлении rБЭ, создаваемое источником переменного сигнала.
Математическая модель схемы по переменному току для малосигнального режима, принимает вид:
|
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
* |
U |
= |
I |
|
1 |
|
|
|
|
|
|
| ||
|
2 |
|
|
|
|
|
|
| ||
|
3 |
|
|
|
|
|
|
| ||
|
4 |
|
|
|
|
|
|
| ||
|
5 |
|
|
|
|
|
|
|
Параметры модели транзистора, записываемые в матрицу узловых проводимостей, определяются по результатам расчета статического режима транзистора. Ток источника сигнала определяется по формуле IГ=EГ/RГ.
Контрольное задание 3 (зач. №35)
В третьем задании необходимо составить принципиальную схему моделируемого устройства, выполнить анализ статического режима, АЧХ и переходных характеристик.

Рисунок 3 – Структурная схема моделируемого устройства
Принципиальная схема блока 1 – вариант 8 (№8=3+5=8, табл.3.1);
Принципиальная схема блока 2 – вариант 5 (№35, табл.3.2);
Тип транзистора – КТ316В, КТ363B(№35, табл.1.1);
Напряжение питания схемы – 22 В (№35, табл.1.2).
3.1 Определение принципиальной схемы моделируемого устройства

Рисунок 3.1 – Принципиальная схема моделируемого устройства
3.2 Моделирование параметров устройства
3.2.1 Анализ
статического режима (режима по постоянному
току)
Рисунок 3.2 – Расчет потенциалов узлов моделируемого устройства

Рис 3.3. Частотный анализ модулируемого сигнала
3.2.2. Расчет потенциалов узлов моделируемого устройства при R1=3000 кОм

Рис 3.4. Частотный анализ модулируемого сигнала с изменением значения R1=3000 Ом

Рисунок 3.5. Расчет потенциалов узлов моделируемого устройства при R1=3000 кОм
3.3 Анализ результатов моделирования
Исследуемое устройство (усилитель) работает с малыми нелинейными искажениями
Изменение номинала резистора R1=3000 кОм приводит к уменьшению коэффициента усиления (примерно на 7 дБ), полоса пропускания практически не изменилась, а коэффициент гармоник увеличился до 0,8 %. Изменения параметров схемы связаны с изменением статического режима.
ЛИТЕРАТУРА
1. Основы компьютерного проектирования: метод. указания и контр. задания для студ. спец. 1-39 01 01 «Радиотехника» заоч. формы обуч. / сост. Н. И. Шатило. – Минск: БГУИР, 2009. – 24 с. : ил.
2. Шатило, II. И. Основы автоматизации проектирования радиоэлектронных устройств: учеб.-метод. пособие для студ. спец. «Радиотехника» заоч. формы обуч. В 3 ч. Ч. 2. / Н. И. Шатило. – Минск: БГУИР, 1998.
3. Автоматизация схемотехнического проектирования / под ред. В. М. Ильина. – М.: Радио и связь, 1987.
4. Рыбаков, С. А. Основы компьютерного проектирования: лаб. практикум для студ. спец. «Радиотехника» / С. А Рыбаков, Н. И. Шатило. – Минск: БГУИР, 2005.
5. Амелин, М. А. Программа схемотехнического моделирования Micro-Cap 8 / М. А. Амелин, С. А. Амелина. - М.: Горячая линия – Телеком, 2007.
6. Алексеев. О. В. Автоматизация проектирования радиоэлектронных средств / О. В. Алексеев, А. А. Головков. – М.: Высш. шк., 2000.
7. Фидлер, Дж. К. Машинное проектирование электронных схем / Дж. К. Филлер, К.Найтингейл. – М.: Высш. шк., 1985.







































