Вариант 08

Исходные данные:

нА

В

Расчет вольтамперной характеристики проведем в соответствии с уравнением

в пределах изменения от -5 В до + 0.4 В

Результаты расчета прямой ветви (U > 0) вольт- амперной характеристики , а также обратной ветви (U < 0) представлены в таблице 1.1 и 1.2 соответственно.

Uпр , В

Iпр , мкА

Uобр , В

Iобр , нА

Построенная по этим значениям вольтамперная характеристика изображена на рис.1.1.

Для определения дифференциального сопротивления Rдиф линейного участка выберем участок прямой ветви вольтамперной

характеристики вблизи заданной рабочей точки А , определенной

В и задав небольшое приращение

напряжения (рис.1.1)

В

получим приращение тока

мкА. Тогда:

=

Ом

Взяв производную dU/dI из выражения для вольтамперной характеристики диода

получим

=

Ом

где

А

- значение тока в рабочей точке А при

В

Сопротивление диода постоянному току в рабочей точке А определяется как

=

Ом

Как видно Ro > R диф , что должно быть обязательно.

ΔU

ΔI

А

Вариант 08

Исходные данные:

мА

мА

кОм

В

Определить величину сопротивления ограничительного резистора Rогр , если напряжение источника Ео изменяется от

В до

В

Будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения напряжения Е.

Решение:

Стабилитрон подключен к схеме рис 2.1.

Рис 2.1.

Выберем средний ток стабилизации из условия

=

А

При этом необходимая величина напряжения питания будет определяться как

( 1 )

где ток нагрузки

=

А

а средняя величина питающего напряжения

=

В

Тогда из выражения ( 1 ) получаем :

=

Ом

Диапазон изменения напряжения будет равным:

=

В

=

В

Вывод: Отсюда видно , что стабилизация обеспечивается во всем диапазоне изменения напряжения

питания Е = (20-30) В

Вариант 8

По справочнику для транзистора КТ 608А приведем входные и выходные характеристики рис. 3.1 и рис. 3.2 соответственно.

Входные характеристики представляют зависимость Iб = f(Uбэ) при Uкэ = const. При Uкэ = 0 входная характеристика представляет собой характеристику прямого тока эмитерного перехода. Чем больше напряжение Uбэ , тем больше

ток базы , т.к при увеличении прямого напряжения на эмитерном переходе снижается потенциальный барьер.

Преодолеть его в этом случае может большее число основных носителей заряда коллектора (электронов) , и большее

число их сможет рекомбинировать с дырками базы. При увеличении абсолютного значения напряжения на коллекторе

ток базы уменьшается , характеристики смещаются вправо от характеристик при Uкэ = 0. Это объясняется тем , что ширина коллекторного перехода увеличивается , а ширина базы уменьшается что вызывает уменьшение рекомбинационной составляющей тока базы.

Выходные характеристики представляют собой зависимость Iк = f(Uкэ) при Iб = const. При токе базы , равном нулю, в коллекторной цепи протекает обратный ток , величина которого равна Iкбо, и выходная характеристика представляет собой характеристику обратно смещенного перехода. Ввиду малости тока Iкбо данная характеристика практически совпадает с осью напряжений (Uкэ). Область тока Iк при Iб = 0 называется область отсечки. При наличии входного тока базы и небольшого напряжения < коллекторный переход открыт и транзистор работает в режиме насыщения , ток коллектора резко возрастает , что соответствует крутому восходящему участку выходных характеристик. Если > транзистор из режима насыщения переходит в активный режим. Рост коллекторного тока замедляется, характеристика идет более полого. В схеме с ОЭ значение коллекторного тока увеличивается за счет увеличения тока базы , т.е смещение выходных характеристик вверх.

По справочнику для транзистора КТ 608А предельно допустимая мощность транзистора

мВ

Для построения кривой предельно допустимой мощности(кривая 1) воспользуемся выражением

при этом

задаваясь значением Uкэ находим значения Iк. Находим из справочника также

мА

В

Составим таблицу значений для кривой допустимой мощности:

Uкэ , В

Iк , мА

Выберем рабочую точку О на рабочем участке выходной характеристики. Рабочей точке О соответствуют параметры:

В

мА

мА

В

Исходный транзистор КТ 608А представляет собой кремневый эпитаксиально-планарный транзистор средней

мощности N-P-N типа.

=

Ом

=

=

См

=

Рассчитаем внутренние параметры физической Т- образной эквивалентной схемы замещения транзистора (рис.3.3).

α

1- α

Рис.3.3

где параметры схемы:

=

Ом

Ом

=

Ом

=