1. Выходной сигнал диодного ао имеет искаженную форму из–за с0.

2. Стремятся, чтобы Сд и Rпр были как можно меньше (выбирают специальные быстродействующие импульсные диоды у которых Сд и Rпр малы).

3. Можно уменьшить R, что приведет к уменьшению амплитуды выходного сигнала (R шунтирует нагрузку АО, поэтому при R=0 напряжение на выходе АО равно нулю).

№10Двухсторонний амплитудный ограничитель.

№11Применение амплитудных ограничителей.

№12Ключевая схема на биполярном транзисторе. Статический режим работы.

• На нагрузочной прямой отмечены две точки: О₁ и О₂. Точка О₁ является точкой пересечения нагрузочной прямой и характеристики тока I_б4. Точку О₂ получают в результате пересечения нагрузочной прямой и характеристики тока I_б0. О₁ соответствует режиму насыщения транзистора.

• В режиме насыщения оба p-n – перехода (коллекторный и эмиттерный) открыты. Параметрами режима насыщения являются: ток базы насыщения I_бн=I_б4, ток коллектора насыщения I_кн »U_п/R и напряжение U_кэн»0*.

• Из (4) следует, что для насыщенного ключа коэффициент S³1 .

Определение

• Током базы насыщения называют минимальный ток базы, при котором транзистор уже находится в состоянии насыщения.

Вывод

• Из (5) следует, что величина тока базы насыщения зависит от типа транзистора и м.б. задана соответствующим выбором сопротивления R и напряжения источника питания U_п.

• Точка О₂ соответствует режиму отсечки транзистора VT1. В режиме отсечки оба p-n – перехода (коллекторный и эмиттерный) закрыты.

• Параметрами режима отсечки являются: напряжение U_{кэ отс}» U_п, ток базы отсечки I_{б отс} »0 и ток коллектора отсечки I_{к отс} »0 , который равен обратному току, протекающему через коллектор.

• В режиме отсечки транзистор VT1 удерживается управляющим сигналом: на базу VT1 необходимо подать отрицательное напряжение.

3. В момент времени t₂ полярность входного напряжения меняется и при t > t₂ VT1 вновь переходит в режим отсечки.

Вывод

• Входное и выходное напряжения транзисторного ключа изменяются в противофазе, т.е. ключ является простейшим инвертором.

№13Процесс перехода ключа из режима отсечки в режим насыщения.

• Ток коллектора во времени изменяется по экспоненциальному закону

• Быстродействие VT1 определяется его постоянной времени t_э, которая связана с граничной частотой транзистора f_гр: t_э = 1/2pf_гр .

• Изменение тока коллектора запаздывает во времени по сравнению с управляющим перепадом тока базы.

• Из (6) следует, что ток коллектора в пределе должен стремиться к I_кк.

• Р ост коллекторного тока практически прекращается в момент t₂, как только достигается величина I_кн. При этом на коллекторе формируется фронт выходного сигнала и устанавливается напряжение

Выводы (продолжение)

• Увеличение амплитуды входного сигнала приводит к тому, что увеличивается насыщение базы транзистора избыточными неосновными носителями, что приводит к повышению инерционности выхода транзистора из режима насыщения, т.е. увеличению времени выключения.

№14Процесс перехода транзисторного ключа из режима насыщения в режим отсечки.

2. В момент времени t₁ входной ток скачком изменяет свое значение до нуля.

3. Интервал [t₁,t₂] характеризуется рассасыванием избыточных неосновных носителей заряда из области базы, которые накопились в ней в процессе насыщения ключа.

4. Т.е. коллекторный p-n ¾ переход можно рассматривать как эквивалентную емкость, которая была заряжена в процессе насыщения ключа и на интервале [t₁, t₂] происходит процесс ее разряда.

5. Учитывая, что в течение времени t_р ключ находится в неработоспособном состоянии, необходимо принимать специальные меры для ускорения процесса рассасывания, т.е. рекомбинации основных и неосновных носителей в базе транзистора VT1.

6. С этой целью необходимо применять в ключевых схемах специальные импульсные транзисторы, в которых технологическим путем вводятся специальные центры рекомбинации, ускоряющие процесс рассасывания.

№15Способы повышения быстродействия транзисторного ключа с помощью ускоряющей ёмкости и нелинейной обратной связи.

Еще раз перечислим требования к управляющему току насыщенного транзисторного ключа