1.2.Электронные ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

http://avnsite.narod.ru/physic/pp/teor_p2.htm

http://www.techno.edu.ru/db/msg/7457.html

№

Содержание

73. 1

Основы зонной теории. Классификация твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики. Эффективная масса. Дырки-носители заряда в валентной зоне. Зонная структура основных полупроводников.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

74. 2,3

Примеси в полупроводниках. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Уровень Ферми. Собственные и примесные полупроводники. Доноры и акцепторы. Мелкие и глубокие примесные состояния.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

75. 4

Неравновесные носители заряда в полупроводниках. Генерация, излучательная и безизлучательная рекомбинация. Время жизни. Квазиуровень Ферми. Модель Шокли-Рида-Холла.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

76. 5,6

Явления переноса в полупроводниках. Подвижность и коэффициент диффузии, соотношение Энштейна, длины диффузии и дрейфа. Механизмы рассеяния носителей заряда. Амбиполярные диффузии и дрейф. Диффузно-дрейфовое приближение.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

77. 7

Явления переноса в полупроводниках. Подвижность и коэффициент диффузии, соотношение Энштейна, длины диффузии и дрейфа. Механизмы рассеяния носителей заряда. Амбиполярные диффузии и дрейф. Диффузно-дрейфовое приближение.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

78. 8,9

Твердотельная СВЧ электроника. Лавино-пролетный и туннельный диоды. Домены сильного поля и неустойчивости в полупроводниках с двумя типами носителей заряда.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

79. 10

Резонансно- туннельные диоды и функционально интегрированные полупроводниковые приборы.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

80. 11

Образование p-n перехода, база диода. Зонная энергетическая диаграмма перехода. Распределение свободных носителей в переходе. Ступенчатые и линейные переходы. Токи, протекающие через p-n переход в состоянии равновесия. Принцип детального равновесия. Процессы протекающие в переходе при прямом и обратном смещении

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

81. 12,13

Особенности ВАХ реального диода. Токи генерации и рекомбинации в p-n переходе. Омическое вырождение ВАХ диода. Температурная зависимость ВАХ диода. ТКН. ВАХ диода при высоком уровне инжекции. Пробой p-n перехода. Типы пробоя. Зависимость пробивного напряжения от температуры. Л.2., Л.7

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

82. 14

Фотопроводимость, фотоэффект в p-n переходе, фотоэффект на барьере Шоттки.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

83. 15

Модели электрических параметров полупроводниковых приборов Bsim

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

84. 16

Структура, схемы включения и режимы работы биполярного транзистора. Транзисторный эффект. Усилительные свойства биполярного транзистора при различных схемах включения. Эквивалентная схема Эберса- Молла для идеального транзистора.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

85. 17

Уравнение Эберса –Молла. Основные статистические параметры идеального транзистора. Входные ВАХ идеального транзистора в схеме ОБ и ОЭ. Выходные ВАХ идеального транзистора в схеме ОБ и ОЭ. ВАХ идеального транзистора в схеме ОК.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

86. 18- 20

ВАХ реального транзистора. Сопротивления тел коллектора и базы в схеме Эберса-Молла. Эффект Эрли и его отображение на эквивалентной схеме транзистора. Статистические параметры биполярного транзистора. Эффективность переходов транзистора. Коэффициент переноса через базу. Коэффициент передачи эмиттерного тока. Пробой коллекторного перехода. Прокол базы.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

87. 21,22

Динамические свойства транзистора. Частотные зависимости коэффициента переноса через базу и коэффициента передачи биполярного транзистора в схемах ОБ и ОЭ.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

88. 23,24

Динамические параметры транзистора. Схема Эберса-Молла для реального транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора. Диод Шоттки. Энергетическая диаграмма. Качественное описание ВАХ диода Шоттки. Диодная и диффузионная теории выпрямления, ВАХ реального диода Шоттки. Статистические и динамические параметры диода Шоттки. Барьерная емкость. Эквивалентные схемы диода Шоттки. Л.7.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml

89. 25,26

Структура и принцип работы МПД-транзистора. Физическая причина насыщения тока стока. Отсечка канала. Выходная ВАХ идеального МДП-транзистора в схеме ОИ. Проходная ВАХ идеального МДП транзистора. Типы транзисторов.

Программные продукты

Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point

Интернет -ресурсы

http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml