
- •Электромагнитная совместимость промышленного электрооборудования
- •Электрооборудование промышленности
- •Введение
- •Основные термины и определения
- •Электромагнитные аномалии в сетях электроснабжения
- •Виды и допустимые нормы электромагнитных помех
- •Основные проблемы обеспечения электромагнитной совместимости в импульсных ивэп и общие методы их решения
- •Ослабление электромагнитных воздействий со стороны сети электропитания Использование структур источников питания, адаптированных к "плохой" сети электропитания
- •Источники гарантированного питания
- •Источники бесперебойного питания
- •Источники питания с универсальным входом (ивэп-ув)
- •Источники питания с коррекцией коэффициента мощности (ивэп-ккм)
- •Подавление импульсных перенапряжений и высокочастотных помех на входе Подавители импульсных перенапряжений
- •Входные (сетевые) помехоподавляющие фильтры (ппф)
- •Практические рекомендации по проектированию ac/dc-преобразователей с улучшенными показателями электромагнитной совместимости
- •Список используемых источников
- •Директива Совета ес от 03.05.1989 г. № 89/336 "о согласовании законодательных актов государств-участников Сообщества, касающихся электромагнитной совместимости"
- •23.5.89 Официальный журнал Европейского Сообщества № l.139/19
Источники питания с коррекцией коэффициента мощности (ивэп-ккм)
Применение стандартных импульсных ИВЭ с конденсаторами большой емкости в сетевом выпрямителе приводит к снижению коэффициента мощности (KM) или Power Factor (PF) за счет появления высших гармоник потребляемого из сети тока. Типовое значение KM составляет 0,5–0,7.
ИВЭП-ККМ могут обеспечить КМ порядка 0,97-0,99, то есть практически синусоидальную форму потребляемого из сети тока при нулевом фазовом сдвиге относительно напряжения.
Вступившие в действие в Европе и в других развитых странах мира новые стандарты ЭМС (EN61000-3-2-95; IEC 6100-3-2) вызвали в России появление аналогичных стандартов, в частности, ГОСТ Р 51317.3-2-99.
Для уменьшения содержания высших гармоник тока при построении ИВЭП-ККМ можно использовать два способа:
1) Пассивная коррекция: установка дросселя в цепи переменного тока после сетевого фильтра или после выпрямительного моста.
2) Активная коррекция: применить активный ККМ.
Первый способ обычно применяют для сравнительно маломощных источников из-за больших массогабаритных показателей подобных дросселей.
При втором способе после сетевого выпрямителя низкочастотное пульсирующее напряжение поступает на повышающий импульсный стабилизатор напряжения, работающий на высокой частоте (см. рис. 3). В этом случае на выходе сетевого выпрямителя целесообразно применение небольшого керамического конденсатора емкостью 1-10 мкФ. Конденсатор облегчает запуск корректора и, что немаловажно, уменьшает уровень помех – как на частоте переключения, так и коммутационных.
Рис. 3. Структура активного ВЧ-корректора коэффициента мощности.
В состав корректора КМ входят: накопительный дроссель, силовой MOSFET (IGBT) ключ, бустерный диод, выходной буферный конденсатор и ККМ-контроллер. Выпрямленное сетевое напряжение стабилизируется на уровне 350-400 В.
Стабилизация выходного напряжения ККМ осуществляется ШИМ-контроллером, работающим от комбинированных сигналов управления: от обратной связи по напряжению – с делителя напряжения на выходе ККМ; от обратной связи по току (токовое управление) – с датчика тока. Такое управление также ограничивает амплитуду выходного тока и его пульсации, в том числе и низкочастотные (100-120 Гц).
Прямое корректирующее воздействие с делителя выпрямленного напряжения увеличивает быстродействие корректора при резких изменениях (бросках) сетевого напряжения. При использовании активного ККМ, благодаря наличию двух контуров стабилизации напряжения (ККМ и преобразователь), сравнительно несложно реализовать блок питания класса ИВЭП–УВ.
Активный ККМ позволяет существенно уменьшить уровень генерируемых кондуктивных помех во входной (силовой) цепи ИВЭП, поскольку во время открытого состояния силового ключа практически нет режекции помех от преобразователя в ИВЭП. Это объясняется тем, что, во-первых, сопротивление MOSFET-ключа в открытом состоянии очень мало (RDSon = 0,05...0,5 Ом), а бустерный быстродействующий диод заперт обратным напряжением, равным выходному напряжению ККМ (350-400 В).