621.38(075) № 4604
У912
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
Р
ОССИЙСКОЙ
ФЕДЕРАЦИИ
Технологический институт
Федерального государственного
образовательного учреждения высшего
профессионального образования
"Южный федеральный университет"
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ ПОСОБИЕ
для выполнения индивидуального задания студентов
по дисциплинам
Физические основы микроэлектроники,
Физические основы электроники
Для студентов специальностей
210202 – Проектирование и технология электронно-вычислительных средств,
140609 – Электрооборудование летательных аппаратов,
140610 – Электрооборудование и электрохозяйство предприятий, организаций и учреждений
Таганрог 2010
У
Составители: Захаров А.Г., Какурина Н.А., Какурин Ю.Б., Богданов С.А.
Учебно-методическое пособие для выполнения индивидуальных заданий по дисциплинам: "Физические основы микроэлектроники", "Физические основы электроники": – Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2010. – 80 с.
В настоящей работе в конспективной форме изложены основные понятия и законы твердотельной электроники, приведены общие сведения о физических процессах и явлениях в полупроводниковых структурах, даны указания и методические рекомендации по выполнению индивидуальных заданий и оформлению пояснительной записки. Рассмотрены некоторые примеры расчетов электрофизических свойств полупроводниковых структур.
Даны варианты индивидуальных заданий и приложения, содержащие различные справочные материалы, необходимые для их выполнения.
Рецензенты:
А.Б. Колпачев, канд. физ.-мат. наук, профессор кафедры физики ТТИ ЮФУ,
И.В. Куликова, канд. техн. наук, доцент кафедры КЭС ТТИ ЮФУ.
С
Предисловие………………………………….........
|
5 |
1. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О ФИЗИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЯХ И ПРОЦЕССАХ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ……….……... |
7 |
1.1. Основные понятия и уравнения твердотельной электроники…………………..…….... |
7 |
1.2. Электронно-дырочный переход………..………... |
10 |
1.3. Структура металл-полупроводник……...……….. |
23 |
1.4. Структура металл-диэлектрик-полупроводник… |
29
|
|
|
2. Состав индивидуального задания…………. |
37 |
|
|
3. УКАЗАНИЯ К СОСТАВЛЕНИЮ ПОЯСНИТЕЛЬНОЙ ЗАПИСКИ……………………………………………………. |
38 |
|
|
4. ВАРИАНТЫ ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ЗАДАНИЙ………. |
43
|
4.1. Электронно-дырочный переход………………….. |
43 |
4.2. Структура металл-полупроводник………..…….. |
51 |
4.3. Структура металл-диэлектрик-полупроводник… |
53 |
|
|
5. НЕКОТОРЫЕ Примеры расчетов электрофизических ХАРАКТЕРИСТИК полупроводниковых структур………………….. |
56 |
|
|
ПРИЛОЖЕНИЯ……………………………………………... |
65 |
П 1. Соотношения между некоторыми физическими единицами. Множители для образования дольных и кратных единиц……………………………………...…… |
65 |
п 2. Физические константы…………..………...................... |
66 |
п 3. Основные параметры и свойства некоторых полупроводников и диэлектриков…………………...….. |
67 |
п 4. Логарифмический масштаб………………….………… |
70 |
п 5. Графики зависимостей удельных сопротивлений Si и Ge от концентрации примесей при 300 К……………... |
72 |
П 6. Экспериментальные значения высоты барьера Шоттки φb, эВ при 300 К………………………………… |
73 |
п 7. Графики зависимости разности работ выхода φms от уровня легирования кремниевой подложки для МДП-структур с затворными электродами из Al, Au и поликремния n+ и p+-типа………………………………... |
74 |
п 8. Неперы и децибелы…………………………….………. |
75 |
п 9. Темы рефератов……………………………………….... |
77 |
п 10. Пример оформления титульного листа………….…... |
79 |
|
|
Библиографический список……………………… |
80 |