- •Содержание Введение 4
- •1. Лабораторная работа №1 Исследование микроструктур проводниковых материалов
- •1.1. Цель работы
- •1.2. Теоретическая часть
- •1.3. Описание лабораторной установки
- •1.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •1.5.2. Сформулировать цель работы.
- •1.5.3. Изложить сущность физических явлений, определяющих свойства проводниковых материалов.
- •1.5.4. Изобразить оптическую схему микроскопа и описать принцип его работы.
- •2. Лабораторная работа №2 Исследование параметров магнитных материалов осциллографическим методом
- •2.1. Цель работы
- •2.2. Теоретическая часть
- •2.3. Описание лабораторной установки
- •2.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •2.5. Порядок оформления отчета
- •2.6. Содержание выводов
- •2.7. Порядок защиты отчета
- •2.8. Контрольные вопросы
- •3. Лабораторная работа Исследование влияния химического состава, механической и термической обработок на магнитные свойства металлов и сплавов
- •3.1. Цель работы
- •3.2. Теоретическая часть
- •3.3. Описание лабораторной установки
- •3.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •3.5. Порядок оформления отчета
- •3.6. Содержание выводов
- •3.7. Порядок защиты отчета
- •3.8. Контрольные вопросы
- •4. Лабораторная работа «Исследование влияния химического состава на электросопротивление металлов и сплавов»
- •4.1. Цель работы
- •4.2. Теоретическая часть
- •4.3. Описание лабораторной установки
- •4.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •4.5. Порядок оформления отчета
- •4.5.2. Сформулировать цель работы.
- •4.5.3. Изложить сущность физических явлений, определяющих электросопротивление в проводниковых материалах.
- •4.5.4. Изобразить принципиальную схему лабораторного макета и описать принцип его работы.
- •4.5.5. Привести основные метрологические характеристики приборов, входящих в лабораторный макет.
- •4.6. Содержание выводов
- •4.7. Порядок защиты отчета
- •4.8. Контрольные вопросы
- •5. Лабораторная работа Исследование влияния химического состава и температуры на относительную диэлектрическую проницаемость и тангенс угла потерь диэлектриков
- •5.1. Цель работы
- •5.3. Описание лабораторной установки
- •5.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •Измерений и расчетов
- •5.5. Порядок оформления отчета
- •5.6. Содержание выводов
- •5.7. Порядок защиты отчета
- •5.8. Контрольные вопросы
- •6. Лабораторная работа Исследование влияния химического состава и температуры на электрические свойства оксидных полупроводников
- •6.1. Цель работы
- •6.2. Теоретическая часть
- •6.3. Описание лабораторного макета
- •6.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •6.5. Порядок оформления отчета
- •6.6. Содержание выводов
- •6.7. Порядок защиты отчета
- •6.8. Контрольные вопросы
- •7. Лабораторная работа Исследовавние частотных характеристик диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь диэлектриков
- •7.1. Цель работы
- •7.2. Теоретическая часть
- •7.3. Описание лабораторного макета
- •7.4. Порядок выполнения лабораторной работы
- •7.5. Порядок оформления отчета
- •7.6. Содержание выводов
- •7.7. Порядок защиты отчета
- •7.8. Контрольные вопросы
- •Библиографический список
7.3. Описание лабораторного макета
Схема лабораторного макета приведена на рис.7.4. На рис. 7.5 приведена структурная схема прибора Е4-5А. Генератор собран на лампе 6Н3П по двухтактной схеме с емкостной обратной связью. Напряжение, снимаемое с генератора, вводится в измерительный колебательный контур, состоящий из внешней катушки индуктивности и переменного конденсатора, сопряженного со шкалой, проградуированной в пикофарадах. Напряжение на выходе генератора измеряется вольтметром уровня “К”. Напряжение, снимаемое с измерительного колебательного контура, детектируется диодным детектором, собранным на лампе 2Д1С, усиливается усилителем на лампе 6Н2П и измеряется Q - вольтметром. Выпрямитель для питания анодных цепей ламп собран по мостовой схеме на полупроводниковых диодах. Прибор позволяет непосредственно измерять эффективную добротность катушек индуктивности. Кроме того, путем косвенных измерений прибором Е4 - 5А можно измерять величину емкости и тангенса угла потерь диэлектрика внешнего конденсатора, а также
индуктивность катушек индуктивности [7]. Измеритель Е4 - 5А работает в диапазоне частот от 15 до 250 мегагерц. Для уменьшения неравномерности амплитудно-частотной характеристики этот диапазон разбит на пять поддиапазонов. Каждый из этих пяти поддиапазонов имеет свой колебательный кон-
тур. В комплект измерителя входят пять индуктивностей, каждая из которых предназначена для работы на своем поддиапазоне частот.
Основная погрешность низкочастотной градуировки конденсатора измерительного блока по емкости 1 пФ.
Основная погрешность измерения добротности при нормальных условиях:
— на частотах 15 - 100 МГц — 10%;
— на частотах 100 - 250 МГц — не нормируется.
Нормальные условия эксплуатации прибора:
— температура окружающей среды — +20 5С;
— относительная влажность — 6515% при температуре воздуха +205С;
— атмосферное давление 75030 мм рт.ст.
7.4. Порядок выполнения лабораторной работы
7.4.1. Исходные данные индивидуальных заданий.
Каждый студент получает индивидуальное задание.
В таблице 7.1 приведены варианты индивидуальных заданий по исследованию плоского конденсатора. Вариант задания соответствует предпоследней цифре зачетной книжки.
Размеры обкладок конденсаторов: а = 100 мм; в = 100 мм.
В таблице 7.2 приведены варианты индивидуальных заданий по исследованию неплоского конденсатора. Вариант задания соответствует последней цифре зачетной книжки.
Таблица 7.1 — Варианты индивидуальных заданий по исследованию
плоского конденсатора
№ п/п |
Исследуемый диэлектрик |
Марка диэлектрика |
Толщина диэлектрика |
Вариант задания |
1 |
Фторопласт |
фторлон-4 |
2 |
0 |
2 |
Слюда |
СО |
0,5 |
1 |
3 |
Стекло |
С-35-9 |
2 |
2 |
4 |
Керамика |
V1-а-4 |
2 |
3 |
5 |
Полистирол |
ПС-С |
3 |
4 |
6 |
Фторопласт армированный |
ФАФ |
3 |
5 |
7 |
Стеклотекстолит |
СВФЭ |
3 |
6 |
8 |
Текстолит |
Вч |
3 |
7 |
9 |
Полистирол |
ПС-С |
2 |
8 |
10 |
Гетинакс |
Дв |
3 |
9 |
Таблица 7.2 — Варианты индивидуальных заданий по исследованию
неплоского конденсатора
Тип конденсатора |
Вариант задания |
К10-7В-100пФ |
0 |
К10-78-220Пф |
1 |
К77-1-100пФ |
2 |
КД-1-270пФ |
3 |
КСО-1-470пФ |
4 |
СГМ-1-330пФ |
5 |
Продолжение таблицы 7.2
КТК-1-150пФ |
6 |
КТК-1-220пФ |
7 |
КТ4-1-180пФ |
8 |
КМ-6-П33-270 пФ |
9 |
7.4.2. Порядок выполнения работы
7.4.2.1. Включить прибор Е4-5А тумблером "СЕТЬ".
7.4.2.2. Произвести прогрев прибора Е4-5А в течении 15 минут.
7.4.2.3. К клеммам "Lx" прибора подключить соответствующую требуемому диапазону f образцовую катушку индуктивности.
7.4.2.4. Исследуемый конденсатор подключить к клеммам параллельно.
7.4.2.5. Контур прибора настроить в резонанс на частоте измерения "f"
и определить значения резонансной ёмкости и добротности контура С2 и Q2.
7.4.2.6. Исследуемый конденсатор отключить от прибора и контур вторично настроить в резонанс на ту же частоту путём изменения ёмкости измерительного конденсатора. При этом определить значения С1 и Q1.
7.4.2.7. Результаты измерений занести в таблицу 7.3.
Таблица 7.3 — Экспериментальные и расчетные данные
для плоского конденсатора
f, МГц |
15 |
20 |
25 |
26 |
30 |
43 |
60 |
73 |
75 |
100 |
125 |
130 |
145 |
С1,пФ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С2,пФ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Q1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Q2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tg |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Примечание: измерения необходимо проводить на двух крайних и средней точках каждого диапазона. В случае если не удается найти резонанс в рекомендуемой точке, необходимо продолжить поиск резонанса на ближайшей частоте.
7.4.2.8. Используя данные варианта индивидуального задания рассчитать по формуле (7.1) емкость конденсатора с воздушным диэлектриком .
7.4.2.9. Используя результаты измерения емкости конденсатора контура (C1, C2), рассчитать емкость исследуемого конденсатора по формуле (7.2), и
относительную диэлектрическую проницаемость диэлектрика по формуле (7.3).
7.4.2.10. С помощью формулы (7.4) рассчитать тангенс угла потерь tg диэлектрика в исследуемом конденсаторе.
7.4.2.11. Результаты расчета на рекомендуемых частотах занести в таблицу 7.3.
7.4.2.12. Провести исследования свойств диэлектрика неплоского конденсатора по пунктам 7.4.2.1…7.4.2.12.
7.4.2.13. Результаты измерения занести в таблицу 7.4.
7.4.2.14. Рассчитать по формулам (7.4), (7.5) , tg и занести расчетные данные в таблицу 7.4.
7.4.2.14. Выключить прибор.
7.4.2.15. Построить графики частотных зависимостей , для плоского конденсатора.
7.4.2.16. Построить графики частотных зависимостей , для неплоского конденсатора.
Таблица 7.4 — Экспериментальные и расчетные данные
для неплоского конденсатора
f,МГц |
15 |
20 |
25 |
26 |
30 |
43 |
60 |
73 |
75 |
100 |
125 |
130 |
145 |
С1,пФ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С2,пФ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Q1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Q2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tg |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|