
- •Вопрос 1 Явление переноса в газах: диффузия, теплопроводность, вязкость
- •Вопрос 2 Теория теплоёмкости Эйнштейна
- •Недостатки теории
- •Вопрос 1Пространственная решетка. Элементарная и примитивная решетки.
- •Вопрос 2 Уравнение Аррениуса
- •Вопрос 1 Природа пластичности твердых тел
- •Вопрос 2 Учет вклада свободных электронов в теплоемкость.
- •Вырожденный газ
- •Вопрос 1 Распределение электронов по энергетическим зонам в металлах, полупроводниках и диэлектриках.
- •Вопрос 2 Понятие длинны и времени выравнивания концентрации в газах и времени выравнивания температуры.
- •Вопрос 1Пространственные группы и кристаллические классы
- •Вопрос 2 Перемещение атомов в твёрдых телах на большие расстояния.
- •Вопрос 1 Дефекты кристаллической решётки.
- •Вопрос 2 Теория теплоёмкости Дебая.
- •Вопрос 1 Общее уравнение переноса
- •Вопрос 2 Решетка с базисом на примере кубической объемно центрированной и кубической гранецентрированной решеток. Простая, объемно- и гранецентрированная кубические решетки
- •Вопрос 1 Квантовая теория электропроводности металлов
- •Вопрос 2 Эффект Холла как метод исследования полупроводников
- •Вопрос 1 Поглощение света в кристаллах
- •Вопрос 2 Закон Видельмана- Франса
- •Вопрос 1Частные случаи общего уравнения переноса
- •Процесс переноса массы
- •Процесс переноса энергии
- •Вопрос 2 Нормальные колебания решетки
- •Вопрос 1 Сравнение механизма электропроводности металлов с механизмов проводимости в полупроводниках
- •Вопрос 2 Теплопроводность твердых тех
- •Вопрос 1 Понятие о симметрии кристаллической решетки
- •Вопрос 2 вакансионный механизм диффузии в твердых телах
- •Вопрос 1 Теплоемкость твердых тел
- •Вопрос 2 Эффект Холла в полупроводниках конечных размеров
- •Вопрос 1 Зависимость концентрации свободных электронов их подвижности и проводимости от температуры
- •Вопрос 2 Используем статистику Ферми-Дирака для описания электронного газа в полупроводнике.
- •Вопрос 1 Электропроводность чистых металлов. Правило Маттисена
- •Вопрос 2
- •Вопрос 1 Понятие эффективного диаметра молекул их длины свободного пробега
- •Вопрос 2 Определение энергии Ферми
- •Вопрос 1 Эффект Холла в неограниченном веществе
- •Вопрос 2 Индексы Милера
- •Вопрос 1 Модель свободных электронов
- •Вопрос 2 Методы изучения структуры твёрдых тел с помощью рентгеновского излучения.
- •Вопрос 1 Понятие о фононах
- •Вопрос 2 Зависимость концентрации, подвижности и проводимости полупроводников от температуры
- •Вопрос 1 Теплопроводность металлов
- •Вопрос 2 определение ширины запрещенной зоны полупроводников оптическим методом
- •Вопрос 1 Квантовая теория электропроводности
- •Вопрос 2 Атомный механизм диффузии в междоузлии
- •Вопрос 1 Сравнение классической теории электропроводности с квантовой
- •Вопрос 2 Оптика полупроводников
- •Вопрос 1 Условия выбора элементарных ячеек по Браве
- •Вопрос 2 Теория теплоемкости Дебая
- •Вопрос 1 Энергия активации диффузии в твердых телах
- •Вопрос 2 учебник Савельев страница 182, 202 (учебник у Славы )
- •Вопрос 1 Частные случаи общего уравнения переноса.
- •Вопрос 2 Связь подвижности электронов со временем релаксации.
- •Вопрос 1 Пространственные группы и кристаллические классы.
- •Вопрос 1 Учет вклада свободных электронов в теплоемкость.
- •Вопрос 2 Симметрия Кристаллов
- •Вопрос 1 Классификация твёрдых тел
- •Вопрос 2 Зависимость сопротивления проводника от температуры
- •Вопрос 2 Оптика полупроводников
- •Вопрос 1 Частный случай общего уравнения переноса: диффузия
- •Вопрос 2 Кубическая сингания
- •Вопрос 1
- •Вопрос 2 Теория теплоёмкости Эйнштейна. Общие положения.
- •Вопрос 1 Связь межплоскостных расстояний с индексами
- •Вопрос 2 Проводимость примесных полупроводников.
Вопрос 2 Индексы Милера
Индексы узлов. Положение любого узла решётки относительно выбранного начала координат определяется заданием трёх его координат: x,y,z. Эти координаты можно выразить следующим образом x=ma, y=nb, z=pc, где a,b,c – параметры решётки; m,n,p – целые числа
Если за еденицу измерения длин вдоль осей решётки принять параметры решётки, то координатами узла будут просто числа m,n,p. Эти числа называются индексами узла и записываются так : [[mnp]]. Для отрицательного индекса знак минусставится над индексом.
Индексы направления. Для описания направления в кристалле выбирается прямая, проходящая через начало координат. Её положения однозначно определяется индексами [[mnp]] первого узла, через который она проходит (рис 1.15) . Поэтому индексы узла [[mnp]] являются одновременно и индексами направления. Индексы направления обозначают так: [mnp]. По определению, индексы направленияпредставляют собой три наименьших целых числа, характеризующих положение близжайшего узлана данном направлении. Так, индексами направления, проходящего через начало координат и узел [[435]], являются [435]. В качестве примера на рис. 1.16 приведены основные направления в кубическом кристалле и их обозначения.
рис 1.16
Предыдущие 2 типа индексов + индексы плоскости =Индексы Миллера.
Билет 18
Вопрос 1 Модель свободных электронов
Модель свободных электронов (МСЭ). МСЭ - теория свободных электронов, т.е. электронов не взаимодействующих с ионными остатками. Это крайняя идеализация - взаимодействие с ионами всегда присутствует: движение электронов ограничено размерами образца именно за счет этого взаимодействия. Тем не менее, МСЭ дает удивительно хорошее описание для многих процессов. Считается также, что электроны не взаимодействуют друг с другом (модель независимых электронов). Основные теории МСЭ связаны с именами Друде и Зоммерфельда.
Теория металлов Друде (1900г.) - теория свободных электронов в рамках классической физики. Точнее - почти свободных электронов - электроны испытывают столкновения с ионами.
Основные предположения:
1) Газ независимых электронов. В интервалах между столкновениями не учитывается взаимодействие электронов с другими электронами и ионами. В отсутствие электромагнитных внешних полей электрон движется по прямой с постоянной скоростью до очередного столкновения. В присутствии внешних полей, электрон движется в соответствии с воздействием только этих полей, пренебрегая сложными дополнительными полями, порождаемыми другими электронами и ионами.
2) Столкновения - мгновенные события, внезапно меняющие скорость электронов. Позже будет показано, что при этом рассеяние на электронах не является важным! Достаточно предположить существование какого-то механизма рассеяния не вдаваясь в подробности. (Друде предполагал отталкивание от сердцевин непроницаемых ионов).
3) В единицу времени электрон испытывает столкновение с вероятностью W~1/ . За время dt - W ~dt/ . - время релаксации, не зависит от пространственного положения электрона и его скорости.
4) Электрон приходит в состояние теплового равновесия со своим окружением исключительно благодаря столкновениям. Столкновения поддерживают локальное термодинамическое равновесие чрезвычайно простым способом: скорость электрона после столкновения не зависит от скорости до того, направлена случайным образом, соответствует температуре в данной локальной области.
Теория металлов Зоммерфельда (1928г) - квантовая модель газа свободных и независимых электронов Ферми.
Вместо Максвелл-Больцмановского распределения по скоростям электронов
fB(v)
= n(m/2 |
(1.15) |
используется распределение Ферми-Дирака:
f(v)
= (m/ |
(1.16) |
Здесь
Т0
выбирают из условия нормировки n =
dvf(v)
и составляет обычно десятки тысяч
градусов. В другой записи,
f(Е)
= 1/{exp[(Е -
|
(1.17) |
где - химический потенциал, величина, зависящая от энергии (очень слабо!) и определяется из условия , чтобы полное число частиц = N. При абсолютном нуле (Т = 0) = Е F - энергии Ферми, т.е энергии наиболее высокого заполненного уровня . При всех температурах f(Е) = 1/2 при Е = . При Е - >> kBT распределение Ферми переходит в больцмановское или максвелловское распределение f(Е) =exp[( - Е)/kBT].