Контрольні запитання

1. Вкажіть на основні особливості схеми ввімкнення транзистора в схемі з спільним емітером.

2. Яку залежність відображає вхідна характеристика транзистopa в схемі з спільним емітером?

3. Яку залежність відображає вихідна характеристика транзистора в схемі з спільним емітером?

4. Поясніть процес підсилення за струмом при ввімкненні транзистора в схемі з спільним емітером.

5. Чим пояснити збільшення вхідного опору транзистора при ввімкненні його в схемі з спільним емітером?

6. Як впливає значення напруги між колектором і емітером на положення вхідної статичної характеристики транзистора?

7. Як впливає значення струму бази на положення вихідної статичної характеристики транзистора?

8. Наведіть співвідношення між коефіцієнтами підсилення за струмом у схемі з спільним емітером та з спільною базою.

9. Як визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опір транзистора за статичними характеристиками?

10. Розкажіть про використання транзистора в схемі з спільним емітером.

11. Назвіть власні параметри транзистора.

Схема для дослідження, необхідні прилади і деталі

С хема для зняття характеристик транзистора в схемі з спільним емітером наведена на рис.3. Для підбору елементів схеми необхідно знати параметри досліджуваного транзистора.

Виконання роботи

План роботи:

1. Складання і випробування схеми.

2. Зняття вхідних статичних характеристик транзистора І_б = f (U_бе) при U_ке = const.

3. Зняття вихідних статичних характеристик транзистора І_к = f₁ (U_ке) при І_б = const.

4. Побудова статичних характеристик транзистора.

5. Визначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опору транзистора.

Складання і випробування схеми

Досліджуваний транзистор, джерела живлення, вимірювальні прилади і потенціометри з'єднують за схемою зображеною на рис.3. Після перевірки схеми приступають до її випробування. Для цього потенціометром R₂ встановлюють напругу колектор-емітер U_ке порядку (5060)% від максимального значення напруги для досліджуваного транзистора. Підтримуючи цю напругу сталою, змінюють напругу U_бе (за допомогою потенціометра R₁) і стежать за показами приладу, який вимірює струм бази І_б. Його значення повинно змінюватися в межах, достатніх для зняття вхідної характеристики транзистора. Потім перевіряють можливість зняття вихідної характеристики. Для цього встановлюють повзунок потенціометра R₁ в середнє положення, задають значення струму бази І_б і підтримують його сталим. Змінюючи напругу U_ке, стежать за значенням струму колектора І_к, який повинен плавно змінюватися в межах, які дозволяють зняти вихідну статичну характеристику транзистора.

Зняття вхідних статичних характеристик транзистора

І_б=f (U_бе) при U_ке=const

Перед зняттям характеристик готують таблицю досліджень(табл.1).

Таблиця 1

І_б=f (U_бе) при U_ке=const

Транзистор типу __________

Uке=0, В		Uке=…, В		Uке=…, В		Uке=…, В
Uбе, В	Іб, мкА	Uбе, В	Іб, мкА	Uбе, В	Іб, мкА	Uбе, В	Іб, мкА

Вхідні статичні характеристики транзистора знімають для U_ке=0 В і значення напруги U_ке, що складає (2  10) В і залежить від типу досліджуваного транзистора. Для малопотужних транзисторів напругу між базою і емітером U_бе змінюють за допомогою потенціометра R₁ від 0 до (200300) мВ через (2030)мВ.

Потрібно звернути увагу на те, що вхідні статичні характеристики, зняті при U_ке0, практично не відрізняються одна від одної і дати пояснення цьому явищу.