– Тепловий (некерований) зворотний струм колектора. Підставляючи значення іе з (1) в (2) отримуємо

. (3)

Розв’язавши це рівняння відносно і_к, отримуємо

(4)

і (5) де  – коефіцієнт передачі струму бази;

і_кн  початковий наскрізний струм, який протікає через весь транзистор, коли і_б=0.

З врахуванням прийнятих позначень отримуємо остаточний вираз для і_к

(6)

Коефіцієнт  , так само як і  відноситься до важливих параметрів транзистора. Якщо відомий  , то  можна визначити за формулою

(7)

При значному підвищенні напруги на колекторі струм і_кн різко зростає і відбувається електричний пробій. Необхідно знати, що при роз’єднанні кола бази в транзисторі може відбуватися лавиноподібне збільшення струму колектора, що приводить до його перегріву і виходу транзистора з ладу. Тому при експлуатації транзисторів заборонено роз’єднувати коло бази при ввімкненному колекторному живленні.

До власних параметрів транзистора, які характеризують властивості транзистора незалежно від схеми його ввімкнення, відносять:

при U_к = const  диференціальний коефіцієнт передачі емітерного струму;

при U_к=const  диференціальний опір емітерного переходу , де _Т  температурний потенціал, який залежить від температури і при температурі оточуючого середовища Т_ос=20^оС складає _Т =25 мВ;

при I_e = const  диференціальний опір колекторного переходу, для малопотужних транзисторів r_к  1 МОм;

при I_e = const  коефіцієнт внутрішнього зворотного зв’язку за напругою, який характеризує вплив U_к на U_е у зв’язку з явищем модуляції товщини бази, ;

r_б  об’ємний опір бази, який залежить від конфігурації бази (її активної і пасивної частин) і матеріалу, переважно r_б  (100  200) Ом;

 ємність (бар’єрна) колекторного переходу;

і_к0  тепловий (некерований) струм колектора.

Для малопотужних транзисторів у залежності від матеріалу, на основі якого він виготовлений, напруга між базою і емітером складає (0,3  0,7) В; при цьому в колі бази проходить струм у декілька десятків мікроампер. Напруга, що прикладається між емітером і колектором, може становити (5  30) В; при цьому струм колектора може досягнути декількох десятків міліампер.

При ввімкненні транзистора в схемі з спільним емітером підсилювальний каскад забезпечує підсилення за струмом і за напругою, а коефіцієнт підсилення за потужністю має максимальне значення. Вихідна напруга знаходиться у протифазі з вхідною, отже, між вихідною і вхідною напругами існує фазовий зсув, який складає . Вхідний опір транзистора при такому ввімкненні транзистора є відносно низький і знаходиться в межах від сотень Ом до одиниць кілоом. До недоліків такої схеми ввімкнення відносять гірші частотні властивості і низьку температурну стабільність у порівнянні з схемою ввімкнення з спільною базою.

Незважаючи на те, що струми, які проходять через емітерний і колекторний переходи, майже однакові, потужність, що розсіюється на колекторі, значно більша, ніж потужність, яка розсіюється на емітерному переході. Це пояснюється тим, що напруга між базою і емітером значно менша, ніж напруга між базою і колектором. Щоб полегшити відведення тепла від колектора, його роблять більшої площі, ніж емітер. У потужних транзисторах область колектора приєднана до масивного металевого корпусу, що покращує відвід тепла від колектора і дозволяє підвищити потужність, яка на ньому розсіюється.