
- •Часть II
- •Общие сведения…………………………………………………………. 46
- •Общие сведения………………………………………………………… 51
- •Общие сведения……………………………………………………………. 80
- •Основные сокращения
- •1. Обратные связи в аэу
- •1.1. Основные понятия
- •1.2. Влияние ос на передаточные свойства устройства
- •1.3. Влияние обратной связи на входное и выходное сопротивления
- •1.4. Влияние обратной связи на стабильность коэффициента передачи
- •1.5. Влияние обратной связи на амплитудно-частотную, фазочастотную и переходную характеристики
- •1.6. Влияние обратной связи на внутренние помехи
- •1.7. Влияние обратной связи на нелинейные искажения
- •1.7. Устойчивость устройств с обратной связью
- •2. Режимы работы и цепи питания усилительных элементов
- •2.1. Режимы работы усилительных элементов
- •2.1.1. Режим а
- •2.1.2. Режим в
- •2.1.3. Режим с
- •2.1.4. Режим d
- •2.2. Температурная нестабильность режима биполярного транзистора
- •2.3. Температурная нестабильность режима полевого транзистора
- •2.4. Методы стабилизации
- •2.5. Обобщенная схема задания и стабилизации рабочей точки
- •2.6. Схема эмиттерной стабилизации
- •2.7. Схема коллекторной стабилизации
- •2.8 Цепи питания полевых транзисторов
- •2.8.1. Цепи питания с фиксацией напряжения на затворе
- •2.8.2. Схемы истоковой стабилизации
- •2.9. Генераторы стабильного тока
- •3. Каскады предварительного усиления
- •3.1. Особенности каскадов предварительного усиления
- •3.2. Резисторный каскад на биполярном транзисторе
- •3.2.1. Принципиальная и эквивалентная схемы
- •3.2.2. Область средних частот
- •3.2.3. Область нижних частот и больших времен
- •3.2.4. Область верхних частот и малых времен
- •3.3. Коррекция амплитудно – частотных и переходных характеристик
- •3.3.1. Общие сведения
- •3.3.2. Схема эмиттерной высокочастотной коррекции
- •3.3.3. Схема индуктивной высокочастотной коррекции
- •3.3.4. Схема низкочастотной коррекции
- •3.4. Дифференциальный каскад
- •3.4.1. Общие сведения
- •3.4.2. Принцип действия
- •3.4.3. Параметры дифференциального каскада
- •3.5. Усилительные каскады на составных транзисторах
- •3.5.1. Общие сведения
- •3.5.2. Резисторный каскад на составном транзисторе
- •3.6. Усилительные каскады с динамическими нагрузками
- •4. Устойчивость операционных усилителей
- •4.1. Устойчивость многокаскадного усилителя постоянного тока
- •4.2. Условия устойчивости операционных усилителей
- •4.3. Коррекция ачх операционных усилителей
- •4.4. Косвенные признаки относительной устойчивости
- •4.5. Влияние емкости нагрузки и входной емкости на устойчивость оу
- •4.6. Частотная коррекция в цепи ос
- •5. Обработка аналоговых сигналов операционными усилителями
- •5.1. Инвертирующий усилитель
- •5.2. Неинвертирующий усилитель
- •5.3. Суммирующий усилитель
- •5 .4. Дифференциальный усилитель
- •5 .5. Интегратор
- •5.5. Дифференциатор
- •5.7. Логарифмирующие и антилогарифмирующие усилители
- •6. Перемножители напряжений
- •Общие сведения
- •6.2. Перемножители с переменной крутизной
- •6.3. Интегральные перемножители и их параметры
- •Особенности применения интегральных перемножителей
- •7. Компараторы напряжения
- •7.1. Назначение, параметры
- •7.2. Особенности применения полупроводниковых компараторов
- •7.3. Специализированные компараторы на операционных усилителях
- •Однопороговые компараторы
- •Регенераторные компараторы
- •Двухпороговые компараторы
- •8. Литература
6.2. Перемножители с переменной крутизной
Идея этого метода проста: один сигнал изменяет крутизну активного элемента, который усиливает другой входной сигнал. В результате выходное напряжение схемы будет пропорционально произведению входных сигналов. Этот метод основан на использовании экспоненциальной зависимости тока через p-n переход от напряжения.
Рассмотрим работу и оценим основные параметры ПН, построенного на дифференциальном каскаде (рис. 6.3), которые реализует этот метод.
Эмиттерные токи транзисторов VT1, VT2 определяются выражением:
,
(6.2)
где Iэбо – начальный ток эмиттерного перехода, к=kT/q– температурный потенциал. При t=.250C, к=25,69мB Если exp(Uбэ/к)>>1, то крутизна этих транзисторов g.21=dIЭ/dUэбIЭ/к При идеальном согласовании параметров транзисторов VT1 и VT2 имеем:
Iэ1(Iу/2к)
Uэб1,
Iэ2(Iу/2к)
Uэб2,
где
Iу
=
Iэ1
+ Iэ2
.
Переходя
от эмиттерных токов к коллекторным
,
находим
разность коллекторных напряжений этиx
транзисторов Uк=Iк1R3
-Iк2
R3=(Iу/2к)
R3Ux
Учитывая,
что
,
получим
.
Напряжение
усиливается дифференциальным усилителем,
построенным на ОУ. Поэтому
.
(6.3)
Данная схема обладает существенными недостатками.
Выходное напряжение зависит от
– параметра с низкой температурной стабильностью.
Уже при Ux > 10 мВ начинает сказываться нелинейная зависимость
(6.2), что приводит к возникновению существенных нелинейных искажений и к ограничению динамического диапазона ПН.
Д
ля
решения проблемы температурной
стабилизации и нелинейных искажений
было предложено простое и эффективное
решение (рис. 6.4). В этой схеме для
компенсации экспоненциальной зависимости
эмиттерных токов транзисторов VT1
и
VT2 от
напряжения Uбэ
(6.2) используются логарифмические
свойства диодов VD1
и
VD2 (или
транзисторов в диодном включении). Из
рис. 6.4 следует, что
,
или
.
(6.4)
Но
,
(6.5)
,
(6.6)
где Iдo – начальный ток через диод. Подставляя (6.5) и (6.6) в (6.4), получим
.
Если транзисторы и диоды образуют со-гласованные пары, т.е. Iд01 = Iд02 и Iэб01 = Iэб02, то ln(Iд1/ Iд2)= ln(Iк1/ Iк2). Значит:
Iд1/ Iд2= Iк1/ Iк2 (6.7)
Таким образом, отношение выходных токов прямо пропорционально отношению входных токов независимо от температуры или величины этих токов. Другими словами, данная схема (с учетом сделанных допущений) является линейной и обладает идеальной температурной стабильностью.
Если
сигнал на входе X
есть разность
токов
диодов VD1
и VD2
(рис. 6.4), а выходной сигнал – разность
коллекторных токов транзисторов VT1
и
VT2, то можно
показать, что при
(6.8)
Из (6.8) следует, что ток Iх, т.е. ток, протекающий через диоды VD1 и VD2 при отсутствии напряжения на входе X, является для двухквадрантного ПН (двухполярный вход X и однополярный вход Y) масщтабным коэффициентом.
Данная схема обладает рядом преимуществ по сравнению с ПН на обычном дифференциальном усилителе (рис. 6.3).
1.Имеет более широкую полосу пропускания (1-10 МГц).
2.Обладает
лучшей линейностью (более широким
динамическим диапазоном). Сигнал по
входу X
можно варьировать в пределах
,
сохраняя линейность ПН.
3.Имеет
более высокую температурную стабильность,
так как согласно (6.8) связь между сигналами
на входе и выходе не зависит от температуры.
В практических схемах эта зависимость
существует (за счет, например, температурных
изменений h21).
Однако, если в схеме на рис. 6.3 масштабный
коэффициент меняется на 0,3% на
С,
то в данной схеме на порядок меньше
(около
).
В силу перечисленных достоинств линеаризированная усилительная схема (рис. 6.4) стала применяться в качестве функционального узла в ПН широкого применения.
Чтобы на базе этой схемы создать ПН, необходимо кроме УИТ по входу Y следует предусмотреть УИТ и по входу X, т.е.
.
(6.9)
Таким образом, для получения линейной зависимости Uвых от Uх необходимо предварительно напряжение Ux преобразовать в ток, а затем этот ток прологарифмировать с помощью диодов VD1 и VD2. В результате будем иметь логарифмическую зависимость входного напряжения дифференциального усилителя от Ux и линейную зависимость Uвых от Uх.
Учитывая (6.8) и (6.9), получим
,
.
(6.10)
Масштабный
коэффициент ПН k
устанавливается заданием величины
которая имеет необходимую размерность
(В-1).
Р
ассмотрим
принцип действия и особенности схемного
решения реального двухквадрантного
ПН с переменной
крутизной (рис. 6.5). В основу этой схемы
положена линеаризированная усилительная
схема (рис. 6.4). Дифференциальный усилитель
реализован на транзисторах VT1
и
VT2. Роль
диодов VD1
и
VD2 (рис.
6.4) в этой схеме играют транзисторы VT3,
VT4 в диодном
включении.
УИТ по входу Y
выполнен на ОУ A1,
охваченном с помощью элементов R2
и VT5
параллельной
ООС по току. Благодаря чему расширяется
диапазон линейной зависимости тока Iу
от напряжения Uу
вплоть до Uу
= 0.
Если у VT5
h21
>> 1, то
Iу=Uу/R5,
т.е.
1/R5.
УИТ по входу X реализован на дифференциальной паре VT6, VT7, стабильность их режима работы по постоянному току обеспечивается транзисторами VT8 и VT9.
Если Uу = 0, то VT5 заперт и выход практически отсоединен от входа X, ослабление сигнала по этому входу не хуже 80 дБ. Однако, при уменьшении сигнала Uу падают токи транзисторов VT1, VT2 , что приводит к сужению полосы пропускания схемы.