- •Часть II
- •Общие сведения…………………………………………………………. 46
- •Общие сведения………………………………………………………… 51
- •Общие сведения……………………………………………………………. 80
- •Основные сокращения
- •1. Обратные связи в аэу
- •1.1. Основные понятия
- •1.2. Влияние ос на передаточные свойства устройства
- •1.3. Влияние обратной связи на входное и выходное сопротивления
- •1.4. Влияние обратной связи на стабильность коэффициента передачи
- •1.5. Влияние обратной связи на амплитудно-частотную, фазочастотную и переходную характеристики
- •1.6. Влияние обратной связи на внутренние помехи
- •1.7. Влияние обратной связи на нелинейные искажения
- •1.7. Устойчивость устройств с обратной связью
- •2. Режимы работы и цепи питания усилительных элементов
- •2.1. Режимы работы усилительных элементов
- •2.1.1. Режим а
- •2.1.2. Режим в
- •2.1.3. Режим с
- •2.1.4. Режим d
- •2.2. Температурная нестабильность режима биполярного транзистора
- •2.3. Температурная нестабильность режима полевого транзистора
- •2.4. Методы стабилизации
- •2.5. Обобщенная схема задания и стабилизации рабочей точки
- •2.6. Схема эмиттерной стабилизации
- •2.7. Схема коллекторной стабилизации
- •2.8 Цепи питания полевых транзисторов
- •2.8.1. Цепи питания с фиксацией напряжения на затворе
- •2.8.2. Схемы истоковой стабилизации
- •2.9. Генераторы стабильного тока
- •3. Каскады предварительного усиления
- •3.1. Особенности каскадов предварительного усиления
- •3.2. Резисторный каскад на биполярном транзисторе
- •3.2.1. Принципиальная и эквивалентная схемы
- •3.2.2. Область средних частот
- •3.2.3. Область нижних частот и больших времен
- •3.2.4. Область верхних частот и малых времен
- •3.3. Коррекция амплитудно – частотных и переходных характеристик
- •3.3.1. Общие сведения
- •3.3.2. Схема эмиттерной высокочастотной коррекции
- •3.3.3. Схема индуктивной высокочастотной коррекции
- •3.3.4. Схема низкочастотной коррекции
- •3.4. Дифференциальный каскад
- •3.4.1. Общие сведения
- •3.4.2. Принцип действия
- •3.4.3. Параметры дифференциального каскада
- •3.5. Усилительные каскады на составных транзисторах
- •3.5.1. Общие сведения
- •3.5.2. Резисторный каскад на составном транзисторе
- •3.6. Усилительные каскады с динамическими нагрузками
- •4. Устойчивость операционных усилителей
- •4.1. Устойчивость многокаскадного усилителя постоянного тока
- •4.2. Условия устойчивости операционных усилителей
- •4.3. Коррекция ачх операционных усилителей
- •4.4. Косвенные признаки относительной устойчивости
- •4.5. Влияние емкости нагрузки и входной емкости на устойчивость оу
- •4.6. Частотная коррекция в цепи ос
- •5. Обработка аналоговых сигналов операционными усилителями
- •5.1. Инвертирующий усилитель
- •5.2. Неинвертирующий усилитель
- •5.3. Суммирующий усилитель
- •5 .4. Дифференциальный усилитель
- •5 .5. Интегратор
- •5.5. Дифференциатор
- •5.7. Логарифмирующие и антилогарифмирующие усилители
- •6. Перемножители напряжений
- •Общие сведения
- •6.2. Перемножители с переменной крутизной
- •6.3. Интегральные перемножители и их параметры
- •Особенности применения интегральных перемножителей
- •7. Компараторы напряжения
- •7.1. Назначение, параметры
- •7.2. Особенности применения полупроводниковых компараторов
- •7.3. Специализированные компараторы на операционных усилителях
- •Однопороговые компараторы
- •Регенераторные компараторы
- •Двухпороговые компараторы
- •8. Литература
2.1.3. Режим с
В режиме С, так же как в режиме В, УЭ работает с отсечкой выходного тока. Причем угол отсечки < /2. Для этого рабочая точка должна располагаться левее точки пересечения спрямленной СДХ с осью напряжения. Режим С имеет более высокий КПД по сравнению с режимом В за счет лучшего использования УЭ по току. При малом угле отсечки КПД каскада приближается к 100%. Однако с уменьшением возрастают уровни как четных, так и нечетных высших гармоник по сравнению с первой гармоникой, т.е. возрастает коэффициент гармоник Причем, наличие интенсивных нечетных гармоник, которые не компенсируются двухтактной схемой, делает неприменимым этот режим в апериодических усилителях.
Режим С широко используется в усилителях мощности радиочастот, которые, как правило, нагружаются на сложные избирательные LC-системы, способные эффективно отфильтровывать высшие гармоники и обеспечивать в нагрузке только ток первой гармоники.
2.1.4. Режим d
В режиме D УЭ работает как электронный ключ, т.е. УЭ или закрыт, или открыт. В первом случае через УЭ протекает незначительный ток, а во втором мало падение напряжения на нем. Поэтому и в закрытом и в открытом состоянии потери в УЭ в режиме D ничтожно малы и КПД каскада приближается к 100%.
Очевидно, что этот режим нельзя непосредственно использовать для усиления гармонических сигналов. Их необходимо преобразовать в прямоугольные импульсы постоянной амплитуды, длительность которых должна меняться пропорционально мгновенному значению гармонического сигнала. После усиления этих импульсов в режиме D, осуществляется их обратное преобразование (демодуляция) в сигнал первоначальной формы.
2.2. Температурная нестабильность режима биполярного транзистора
Температурная нестабильность режима биполярного транзистора (БТ) в основном определяется тремя факторами: изменение обратного тока коллекторного перехода ; изменением напряжения на эмиттерном переходе; изменением статического коэффициента передачи тока базы, .
Зависимость тока от температуры выражается формулой
, (2.9)
где - температура перехода, - значение тока при , a=0,02…0,025 для кремниевого транзистора и а=0,03…0,035 для германиевого.
Поскольку на коллекторном переходе рассеивается электрическая мощность, то температура перехода всегда выше температуры окружающей среды
(2.10)
где - тепловое сопротивление промежутка переход – окружающая среда, а - мощность рассеяния на коллекторе. Сопротивление имеет размерность С/Вm или С/мВm и показывает на сколько увеличится температура перехода по сравнению с температурой окружающей среды на единицу мощности рассеяния на переходе.
, (2.11)
г де - тепловые сопротивления переход-корпус и корпус-окружающая среда.
При охлождении транзистора с помощью радиатора с тепловым сопротивлением
(2.12)
Ток у маломощных кремниевых транзисторов равен примерно 0,02…0,5мкА, а у германиевых по крайней мере на порядок больше.
При изменении температуры меняется ток прямосмещенного эмиттерного перехода (рис.2.3). Характеристика смещается почти параллельно со скоростью приблизительно –2,2 В на 1 изменения температуры перехода, что эквивалентно появлению в цепи между базой и эмиттером напряжения , но без сдвига характеристики. Этот прием избавляет от необходимости пользоваться семейством статических характеристик при разных температурах (очень часто такое семейство просто отсутствует) и производит все расчеты температурных изменений по одной характеристике.
Заменив на - и учтя технологический разброс параметров, получим
(2.13)
где - изменение температуры окружающей среды.
Известно, что у транзистора
. (2.14)
Значит ток изменяется не только при изменении , но и при изменении С повышением температуры перехода параметр увеличивается на (0,3…0,4)% на 1 сверх 25 и уменьшается (0,15…0,25)% на 1 при ее понижении, считая от 25.
С учетом влияния изменения температуры перехода и технологического разброса при 10% отбраковке крайние расчетные значения оказываются равными
,
, (2.15)
и
. (2.16)
Реальный БТ работающий в диапазоне температур, можно заменить идеальным, режим работы которого абсолютно стабилен, а влияние температуры на его режим учесть с помощью трех дестабилизирующих факторов , и (рис.2.4). На этом рисунке генератор тока отображает совместное влияние и на ток коллектора. Выражение для можно получить из (2.14), взяв производную от по и , полагая и , получим
где (2.17)
Зная величины возмущающих источников и и способ (схему) подачи питающих напряжений на электроды транзистора, можно определить приращение . В общем случае
(2.18)
где , - коэффициенты нестабильности, характеризующие чувствительность тока коллектора соответственно к изменению , и напряжения .
Эти коэффициенты имеют четкий физический смысл: - коэффициент усиления схемы по постоянному току; - проводимость прямой передачи схемы по постоянному току. Чем меньше и , тем стабильнее схема. У высокостабильных схем =1,2…2, =0,1…1мСим.