
- •Часть II
- •Общие сведения…………………………………………………………. 46
- •Общие сведения………………………………………………………… 51
- •Общие сведения……………………………………………………………. 80
- •Основные сокращения
- •1. Обратные связи в аэу
- •1.1. Основные понятия
- •1.2. Влияние ос на передаточные свойства устройства
- •1.3. Влияние обратной связи на входное и выходное сопротивления
- •1.4. Влияние обратной связи на стабильность коэффициента передачи
- •1.5. Влияние обратной связи на амплитудно-частотную, фазочастотную и переходную характеристики
- •1.6. Влияние обратной связи на внутренние помехи
- •1.7. Влияние обратной связи на нелинейные искажения
- •1.7. Устойчивость устройств с обратной связью
- •2. Режимы работы и цепи питания усилительных элементов
- •2.1. Режимы работы усилительных элементов
- •2.1.1. Режим а
- •2.1.2. Режим в
- •2.1.3. Режим с
- •2.1.4. Режим d
- •2.2. Температурная нестабильность режима биполярного транзистора
- •2.3. Температурная нестабильность режима полевого транзистора
- •2.4. Методы стабилизации
- •2.5. Обобщенная схема задания и стабилизации рабочей точки
- •2.6. Схема эмиттерной стабилизации
- •2.7. Схема коллекторной стабилизации
- •2.8 Цепи питания полевых транзисторов
- •2.8.1. Цепи питания с фиксацией напряжения на затворе
- •2.8.2. Схемы истоковой стабилизации
- •2.9. Генераторы стабильного тока
- •3. Каскады предварительного усиления
- •3.1. Особенности каскадов предварительного усиления
- •3.2. Резисторный каскад на биполярном транзисторе
- •3.2.1. Принципиальная и эквивалентная схемы
- •3.2.2. Область средних частот
- •3.2.3. Область нижних частот и больших времен
- •3.2.4. Область верхних частот и малых времен
- •3.3. Коррекция амплитудно – частотных и переходных характеристик
- •3.3.1. Общие сведения
- •3.3.2. Схема эмиттерной высокочастотной коррекции
- •3.3.3. Схема индуктивной высокочастотной коррекции
- •3.3.4. Схема низкочастотной коррекции
- •3.4. Дифференциальный каскад
- •3.4.1. Общие сведения
- •3.4.2. Принцип действия
- •3.4.3. Параметры дифференциального каскада
- •3.5. Усилительные каскады на составных транзисторах
- •3.5.1. Общие сведения
- •3.5.2. Резисторный каскад на составном транзисторе
- •3.6. Усилительные каскады с динамическими нагрузками
- •4. Устойчивость операционных усилителей
- •4.1. Устойчивость многокаскадного усилителя постоянного тока
- •4.2. Условия устойчивости операционных усилителей
- •4.3. Коррекция ачх операционных усилителей
- •4.4. Косвенные признаки относительной устойчивости
- •4.5. Влияние емкости нагрузки и входной емкости на устойчивость оу
- •4.6. Частотная коррекция в цепи ос
- •5. Обработка аналоговых сигналов операционными усилителями
- •5.1. Инвертирующий усилитель
- •5.2. Неинвертирующий усилитель
- •5.3. Суммирующий усилитель
- •5 .4. Дифференциальный усилитель
- •5 .5. Интегратор
- •5.5. Дифференциатор
- •5.7. Логарифмирующие и антилогарифмирующие усилители
- •6. Перемножители напряжений
- •Общие сведения
- •6.2. Перемножители с переменной крутизной
- •6.3. Интегральные перемножители и их параметры
- •Особенности применения интегральных перемножителей
- •7. Компараторы напряжения
- •7.1. Назначение, параметры
- •7.2. Особенности применения полупроводниковых компараторов
- •7.3. Специализированные компараторы на операционных усилителях
- •Однопороговые компараторы
- •Регенераторные компараторы
- •Двухпороговые компараторы
- •8. Литература
3.3.3. Схема индуктивной высокочастотной коррекции
Э
та
схема коррекции (рис.
3.16)
наиболее часто используется в выходных
каскадах на БТ и ПТ, работающих на
емкостную нагрузку.
В
этой схеме нагрузкой каскада является
параллельный колебательный контур,
сопротивление которого на некоторой
высокой частоте можно получить больше,
чем параллельное соединение сопротивлений
RK,
RH
и емкости СН.
При чем, добротность контура, а значит
и его сопротивление будет тем больше,
чем больше Rн,
т.е. эффективность коррекции возрастает
при Rн>>Rк.
АЧХ и ПХ каскада зависят от коэффициента
коррекции
(рис.
3.17). При
k=0.414 имеет место максимально плоская
АЧХ, максимум образующейся при k>0.414,
может быть использован для уменьшения
частотных искажений, возникающих в
других каскадах, т.е. для осуществления
взаимной коррекции. При k=0.414 выигрыш по
площади усиления составляет 1.72.
При L=0 ёмкость СН заряжается по экспоненциальному закону (рис. 3.18), т.к. по мере заряда ёмкости уменьшается зарядный ток за счёт ответвления части тока в сопротивление RК (и в сопротивление RН, если бы оно было соизмеримо с RК).
Индуктивность L, препятствуя возрастанию тока в цепи RK, стремится сохранить ток заряда ёмкости СН постоянным, что способствует более быстрому нарастанию напряжения на паразитной ёмкости.
При Q>0.5, т.е. k>0.25 переходной процесс в контуре становится колебательным, и возникают выбросы (кривая 3). Если k=0.25 выигрыш по составляет 1.36 и =0, если k=0.35 ― 1.68 и =1% (критический выброс), а при k=0.414 ― 1.82, =3%.
В заключении напомню, что критическим выбросом – называется выброс, который не возрастает при увеличении числа каскадов.
3.3.4. Схема низкочастотной коррекции
НЧ коррекция чаще всего осуществляется постановкой RФCФ - фильтра в цепь питания (рис. 3.19).
АЧХ для разных значений СФ изображены на рис. 3.20. При СФ= (кривая 1) резистор Rф закорочен по переменному току и мы получаем АЧХ обычного некорректированного каскада.
П
ри
СФ=0
сопротивление между точками 1-1
возрастает
до величины Rк
+ Rф,
что приводит к возрастанию коэффициента
усиления. При Сф=const
на средних частотах АЧХ каскада совпадает
с кривой 1, а при низких частотах с кривой
2. Причём, при увеличении Cф
средняя часть АЧХ, соединяющая линии 1
и 2, смещается влево, максимум снижается
и при некотором значении Сф
– исчезает.
Максимально плоская оптимальная АЧХ (кривая 4) получается при
. (3.28)
Выигрыш по уменьшению частоты среза при СP=const примерно равен
. (3.29)
Если
сравнить некорректированный каскад
(Сф=)
с каскадом с оптимальной коррекцией
(кривая 4) при одинаковой частоте среза
fНС,
то во втором каскаде ёмкость СР
будет меньше практически в
раз.
Зависимости
ПХ от величины корректирующей ёмкости
СФ
приведены на рис.3.21. При СФ=
переходной процесс протекает также,
как у некорректированного каскада. При
СФ=0
возрастает постоянная времени
и уменьшается величина спада. При
СФ=const
и при скачке
входного напряжения заряд ёмкости СФ
приводит к возрастанию напряжения на
ёмкости СФ
и в узле 1, что частично компенсирует
спад выходного напряжения за счёт заряда
СР.
П
ри
скорости нарастания напряжения на
конденсаторах СФ
и СР
примерно
совпадают и их форма выходного напряжения
наиболее близка к идеальной. При СФ<СФКР
нарастание напряжения на СФ
будет опережать скорость нарастания
напряжения на конденсаторе СР
и ПХ будет
иметь максимум.
Т
t
раз. Однако, с повышением RФ
приходится повышать напряжение питания,
поэтому получить отношение
свыше 10…15 затруднительно.