71.Элементы оперативной памяти.

Оперативная память может выполняться с использованием статических и динамических элементов памяти.

Динамические системы построены на использовании системы конденсаторов, которые либо заряжены (1) либо нет (0). В идеальном конденсаторе заряд может храниться неограниченно. Реальные конденсаторы имеют большой ток утечки, поэтому необходима постоянная регенерация хранимой информации. Такая регенерация производится наряду со считыванием. Если обращения к памяти нет в течении нескольких миллисекунд, то нужно задействовать специальную программу, обновляющую через определенные интервалы времени (все те же миллисекунды).

Статическое ОЗУ – состоит из ячеек, содержащих триггеры и связанную с ним систему управления.

Триггер – это транзистор, который может быть либо открыт либо закрыт. Каждая такая ячейка хранит один бит информации. В такой ячейке бит храниться до тех пор, пока не будет отключено питание.

73.Основные характеристики микросхем памяти.

-    тип памяти -    емкость -    разрядность -    быстродействие Емкость памяти. Для повышения быстродействия обычно используется 4, 8, 16, 32, 64 линий ввода-вывода. Это и есть разрядность памяти. Производится одновременное чтение, запись всех ячеек по одному адресу. Адрес один, но хранится информации в разных матрицах. Одновременная запись нескольких бит информации – разрядов. Количество бит информации, которые находятся в ячейках каждой матрицы, называется глубиной адресного пространства.

Общая емкость памяти будет определяться произведением глубины адресного пространства на количество разрядов. Если глубина адресного пространства 5 мегабайт и 16 линий ввода, то общая емкость будет равна 5 16=80 мегабайт. Быстродействие будет определяться временем действия между двумя операциями чтения и записи

74.Повышение скорости обмена данными.

Методы повышения скорости обмена данными:

Применение пакетного режима

Чередование памяти

Разбиение памяти на страницы

Кэширование

В пакетном режиме запрос осуществляется не побайтно, а производится считывание несколько рядом расположенных байт. Чередование байтов – логически связанные байты располагаются друг за другом. Но вследствии регенерации считывание следующего может быть недоступно из-за паузы – для регенерации того, что есть. Чтобы этого не было, эти последовательно связанные байты располагаются не последовательно, а в параллельные банки памяти.

Тогда, когда идет регенерация в первом банке, производится считывание из второго банка, а контроллер распределяет информацию по стр-ам.

Разбиение по страницам

Поскольку соседние байты связаны логически, то разбив память на страницы, и зная, что мы обр-ся послед-но, то можно не повторять координаты страницы, а можно давать только координаты самого байта.

КЭШ – быстродействующая память, работ-ая на тактовой частоте процессора, не требует никаких циклов ожидания. Количество требуемой памяти зависит от самой программы. Сам объем оперативной памяти должен быть в 2-3 раза больше, чем объем самой обрабатываемой страницы.