![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •3.1. Общие сведения.
- •3.2. Собственные (чистые) полупроводники.
- •3.3. Примесные полупроводники
- •3.3.1. Донорные примеси
- •3.3.2. Акцепторные примеси.
- •3.3.3. Основные и неосновные носители зарядов.
- •3.4. Электропроводность полупроводников.
- •3.5. Воздействие внешних факторов на электропроводность полупроводников
- •3.5.1. Влияние температуры на электропроводность полупроводников
- •3.5.2. Влияние деформации на электропроводность полупроводника.
- •3.5.3. Влияние света на электропроводность полупроводника
- •3.5.4. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников
- •3.6. Германий
- •3.8. Кремний
- •3.9. Полупроводниковые соединения типа аiiiвv
- •3.10. Полупроводниковые соединения типа aii bvi
- •3.11. Полупроводниковые соединения типа aivbvi
3.3.3. Основные и неосновные носители зарядов.
Те носители, концентрация которых в данном полупроводнике больше, носят название основных, а те, которых меньше – неосновных. Так, в полупроводнике n-типа электроны являются основными носителями зарядов, а дырки – неосновными (nn и pn соответственно). Концентрация свободных электронов в зоне проводимости может быть различной. В большинстве случаев используются слаболегированные полупроводники; электроны в этом случае заполняют незначительную часть уровней в зоне проводимости. Такое состояние называют невырожденным. В полупроводнике p-типа основные носители – дырки (pp), а неосновные – электроны (np). Примесная электропроводность для своего появления требует меньших энергетических воздействий (сотые или десятые доли электронвольта), чем собственная, поэтому она обнаруживается при более низкой температуре, чем собственная электропроводность полупроводника. В примесном полупроводнике при данной температуре справедливо соотношение:
p·n = ni2
3.4. Электропроводность полупроводников.
Полупроводник, не содержащий примесей, в нормальных условиях обладает так называемой собственной проводимостью или проводимостью типа i. Собственная проводимость обусловлена генерацией пар “электрон-дырка” . Если концентрация электронов в зоне проводимости – ni , а дырок в валентной зоне – pi и ni = pi,то собственная проводимость полупроводника:
σi = ni е (μn + μp)
В примесном полупроводнике n = p, поэтому электропроводность выражается следующей формулой:
σ = е (μnn + μpp)
3.5. Воздействие внешних факторов на электропроводность полупроводников
3.5.1. Влияние температуры на электропроводность полупроводников
В широком диапазоне температур и для различного содержания примесей имеют место температурные зависимости концентрации носителей заряда в полупроводнике n-типа.
С увеличением температуры число носителей, поставляемых примесями, возрастает, пока не истощатся электронные ресурсы примесных атомов.
Вторая компонента, обуславливающая электропроводность полупроводников – подвижность носителей заряда. При повышении температуры энергия электронов, а следовательно, и подвижность увеличивается. Но, начиная с некоторой температуры Т усиливаются колебания узлов кристаллической решетки полупроводника, которые мешают перемещению свободных носителей зарядов. Следовательно, их подвижность падает (рис.3.2.).
Рис.3.2.Зависимость
подвижности носителей заряда
в полупроводниках от температуры.
Рассмотрев влияние температуры на концентрацию и подвижность носителей заряда, можно представить и характер изменения удельной проводимости при изменении температуры (рис.3.3).
Рис.3.3.Кривые
зависимости удельной проводимости
полупроводников от температуры при
различных концентрациях примеси
(NД1>NД2>NД3).
В ПП с атомной и ионной кристаллической решеткой подвижность меняется при изменении температуры сравнительно слабо ( по степенному закону), а концентрации – очень сильно ( по экспоненциальному ). Поэтому температурная зависимость удельной проводимости похожа на температурную зависимость концентрации. В области истощения (концентрация постоянна) изменение удельной проводимости обусловлено температурной зависимостью подвижности (рис.3.3).
При Т=0К электроны не обладают подвижностью, поэтому ПП становятся диэлектриками.