
- •1.Анизотропия и симметрия внешней формы, физических свойств и структуры кристаллов
- •2. Пространственная Решетка кристаллов.
- •3: Метод кристаллографического индицирования. Закон целых чисел.
- •4. Решетки Браве.
- •5. Операции симметрии. Элементы симметрии кристаллов
- •1. Элементы симметрии 1 рода
- •2. Элементы симметрии II рода
- •6. Координатные системы. Категории. Сингонии
- •2. Кристаллографические категории
- •3. Сингонии
- •9.Эксперементальное определение структуры кристаллов.
- •10. Основные понятия кристаллохимии: Координационное число и координационный многогранник. Пределы устойчивости структур.
- •12. Политипия
- •13. Изоморфизм.
- •14. Полиморфизм
- •15.Типы связей
- •16. Дефекты в твердых телах
- •3.1. Классификация дефектов
- •17. Дислокация(линейная)
- •19 Предельные группы симметрии (группы Кюри).
- •20 Скалярные физические свойства кристаллов
- •21.Векторные свойства кристаллов. Пироэлектрический эффект. Электрокалорический эффект
- •24. Напряженное и деформированное состояние твердых тел.
- •25. Закон Гука для анизотропных твердых тел.
- •26. Пластические свойства кристаллических веществ.
- •27.Тепловые свойства твёрдых тел: теплоёмкость твёрдых тел. Закон Дюлонга - Пти.
- •28.Теория теплоёмкости Эйнштейна.
- •29. Теория теплоемкости дебая
- •30. Основы зонной теории твердых тел: электропроводность металлов.
- •31.Уравнение шредингера для твердых тел.
- •32. Электрические свойства твердых тел: электропроводность металлов.
- •3 3. Собственная проводимость полупроводников. Проводимость примесных полупроводников.
- •35. Магнитные свойства твердых тел: классификация магнетиков, диамагнетизм и парамагнетизм твердых тел, ферромагнетизм.
32. Электрические свойства твердых тел: электропроводность металлов.
По величине электропроводности все твердые тела можно разделить на металлы, диэлектрики и полупроводники.
Металлы
– проводники электрического тока,
удельная электропроводность
.
Диэлектрики
– используются в качестве изоляторов,
.
Полупроводники
– твердые тела, имеющие удельную
электропроводность
.
Одно и то же твердое тело в зависимости от содержания примесей и дефектов может иметь различную электропроводность.
Для
полупроводников и диэлектриков с
.
Для
металлов наоборот, с
.
При
температуре вблизи абсолютного нуля
перестает изменяться,
диэлектриков и п/п равна нулю при
температуре абсолютного нуля.
Электропроводность металлов можно выразить соотношением
.
3 3. Собственная проводимость полупроводников. Проводимость примесных полупроводников.
Рассмотрим, п/п не содержащий примесей и дефектов.
При T=0 К электропроводность такого полупроводника равна нулю, поскольку в нем нет свободных носителей заряда. Действительно, валентная зона полностью заполнена электронами и не дает никакого вклада в проводимость, а зона проводимости пуста. При T>0 К появляется вероятность заброса электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис. 8.3). В валентной зоне при этом образуются дырки. Ясно, что концентрация электронов п будет равна концентрации дырок р:
п=р.
Одновременно с процессом образования свободных носителей (генерацией) идет процесс их исчезновения (рекомбинации). Часть электронов возвращается из зоны проводимости в валентную зону и заполняет разорванные связи (дырки). При данной температуре за счет действия двух конкурирующих процессов генерации и рекомбинации в полупроводнике устанавливается некоторая равновесная концентрация носителей заряда. Так, например, при комнатной температуре концентрация свободных электронов и дырок составляет в кремнии примерно 1010 см-3, в германии приблизительно 1013 см-3.
Если
к полупроводнику приложить электрическое
поле
,
то в нем возникает ток, складывающийся
из электронной и дырочной составляющих.
Полупроводники, в которых за счет
перехода некоторого количества
электронов из валентной зоны в зону
проводимости образуется такое же
количество дырок, называют собственными.
Соответственно
их проводимость, состоящую из
электронной и дырочной составляющих,
называют собственной
проводимостью.
Приписав электронам в зоне проводимости и дыркам в валентной зоне эффективную массу, мы можем считать их свободными и воспользоваться выражением для электропроводности.
,
.
При этом
.
Здесь
- эффективная
масса электрона,
- время релаксации.
Аналогичные выражения можно написать и для дырочной составляющей. Результирующая электропроводность собственного п/п определяется суммой электронной и дырочной компонент
,
-
подвижность дырок. В последнее выражение
входят два важнейших параметра -
концентрация и подвижность носителей
заряда.
Проводимость примесных полупроводников.
Если
в полупроводник введена донорная или
акцепторная примесь, то при низких
температурах, когда энергии тепловых
колебаний недостаточно для переброса
электронов из валентной зоны в зону
проводимости, свободные носители заряда
могут появиться за счет ионизации
примесных уровней. Энергии ионизации
мелких доноров или акцепторов незначительна
по сравнению с шириной запрещенной
зоны. Поэтому связанный с донорным
атомом электрон достаточно легко
может быть оторван от этого атома, т. е.
переведен с донорного уровня в зону
проводимости (рис. 8.6, а). Чем выше
температура, тем больше доноров отдаст
свои электроны. С повышением температуры,
конечно, увеличивается и вероятность
межзонных переходов. Однако в данном
полупроводнике количество электронов
в зоне проводимости будет значительно
больше, чем количество дырок в валентной
зоне. В силу этого электропроводность
полупроводника, содержащего доноры,
будет электронной.
Электроны
являются основными
носителями заряда, дырки
— неосновными.
Такой
полупроводник называется электронным
(или донорным).
В полупроводнике, содержащем акцепторную примесь электроны легко переходят из валентной зоны на акцепторные уровни. При этом в валентной зоне образуются свободные дырки. Количество свободных дырок здесь будет значительно больше, чем количество свободных электронов, образовавшихся за счет переходов из валентной зоны в зону проводимости. Поэтому дырки являются основными носителями, а электроны — неосновными. Проводимость полупроводника, содержащего акцепторную примесь, имеет дырочный характер, а сам полупроводник в соответствии с этим называется дырочным (или акцепторным).
Ясно, что увеличение температуры приведет в конце концов к тому, что все электроны с донорных уровней перейдут в зону проводимости, а дальнейший рост Т вызовет соответствующее увеличение концентрации собственных носителей. До тех пор, пока собственной проводимостью можно пренебречь, для электропроводности электронного полупроводника можно написать:
,
для дырочного
.
34. Электропроводность диэлектриков.
К диэлектрикам относятся твердые тела, у которых ширина запрещенной зоны превышает 2—3 эВ. Ясно, что при комнатной и более низкой температуре заброс электронов из валентной зоны в зону проводимости практически отсутствует, т. е. концентрация свободных носителей в диэлектрике исключительно мала. Поэтому при указанных условиях, в отличие от узкозонных полупроводников, собственная проводимость здесь ничтожна.
В то же время при наличии в диэлектрике примесных атомов свободные носители заряда могут появиться за счет термической активации примесных уровней. Вследествие этого при нормальных и низких температурах проводимость в диэлектриках имеет примесный характер. Так же как и в полупроводниках, носителями заряда здесь могут быть электроны и дырки. Если примесь имеет донорный характер, то основными носителями заряда являются электроны, а неосновными — дырки. Такой диэлектрик (по аналогии с полупроводником) называют электронным, или диэлектриком п-типа. Если же примесь акцепторная, то основными носителями будут дырки. В этом случае диэлектрик называют дырочным, или р-типа.
При приложении к диэлектрику электрического поля свободные носители начинают ускоряться и, таким образом, возникает электропроводность. В соответствии с природой носителей заряда (электроны или дырки) рассмотренный механизм электропроводности называют в общем случае электронным. Очевидно, что вследствие низкой концентрации электронов (дырок) электропроводность диэлектриков незначительна. Для различных веществ она колеблется от 10-10 до 10-22 Ом-1 см-1. Необходимо отметить, что механизм генерации может быть не только тепловым. Электроны проводимости в диэлектрике могут появиться за счет облучения светом соответствующей длины волны, быстрыми частицами, вследствие приложения сильных полей.
Если электронная проводимость диэлектрика имеет собственный характер, что возможно при повышенных температурах, то, так же как и в случае полупроводников,
.
В случае примесной проводимости вклад в проводимость дает только один сорт носителей.
Температурная зависимость электронной проводимости диэлектриков достаточно хорошо описывается выражением
,
где
- ширина запрещенной зоны,
- постоянная Больцмана.
Эффект Холла.
Явления, которые возникают в твердых тела при совместном действии на них электрического и магнитного полей, называются гальваномагнитными явлениями. Эффект Холла – это явление возникновения в образце с текущем по нему током поперечного эл. поля под действием магнитного.
П
оместим
в магнитное поле образец; по нему течет
ток (
).
Пусть носителями заряда являются
.
Они приобретают скорость
.
На
действует сила Лоренца
,
и
.
В результате траектория электрона будет искривляться. Траектория примет вид циклоиды. Если радиус кривизны траектории много больше длины свободного пробега электрона, то магнитное поле слабое. Пусть магнитное поле слабое.
Под
действием силы Лоренца электроны
отклоняются к боковой поверхности
образца, в результате чего на ней
создается избыток отрицательного
заряда. На противоположной стороне
появится недостаток отрицательного
заряда, т. е. избыток положительного.
Такое разделение зарядов будет происходит
до тех пор, пока сила, действующая на
электроны со стороны возникшего эл.
поля
,
направленного от одной боковой поверхности
к другой, не скомпенсирует силу Лоренца.
Поле
получило название поля Холла.
Разделение зарядов прекратится при условии
,
т. е.
.
Разность
потенциалов
между боковыми гранями называют э. д.
с. Холла. Если ширина образца равна
,
то
.
Т.
к.
,
где
- концентрация,
-
скорость электронов, то
.
Видно,
что
пропорциональна
и
(
).
Коэффициент пропорциональности
называется постоянной Холла:
.
Если носителями заряда являются дырки, то для них то же самое. При этом для постоянной Холла имеем
.
Произведение постоянной Холла на проводимость определяет подвижность носителей заряда:
,
которая получила название холловской подвижности.
Измерение эффекта Холла совместно с измерением проводимости образца позволяет получать информацию о знаке носителей заряда, концентрации носителей и их подвижности.
При
некоторых условиях холловское
сопротивление, равное
,
становится квантованным и выражается:
,
где
,
- постоянная Планка.
Измерение
квантового эффекта Холла позволяет
определить фундаментальную физическую
постоянную – отношение
.